4.7. Контрольные вопросы

1. Какие типы транзисторов существуют? Показать структуру транзистора.

2. Показать три схемы включения транзистора.

3. Дайте определение коэффициенту усиления по току транзистора.

4. Изобразите входную и передаточную характеристику транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

5. Изобразите семейство выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

6. Что такое рабочая точка транзистора?

7. Перечислите динамические параметры транзистора.

8. Дайте определение динамическим параметрам транзистора.

9. Приведите формулы для расчета динамических параметров транзистора.

10. Покажите зависимость коэффициента усиления транзистора от тока коллектора.

11. Приведите формулу Эберса-Молла.

12. Что такое эквивалентная схема транзистора?

13. Какие достоинства и недостатки эквивалентных схем основанных на представлении транзистора четырехполюсником?

14. Нарисуйте эквивалентную схему транзистора в виде четырехполюсника.

15. Какие величины выбираются зависимыми, а какие независимыми при выводе уравнений транзистора в yиhпараметрах?

16. Перечислите особенности уравнений транзистора в yпараметрах.

17. Напишите уравнения транзистора в yиhпараметрах.

18. Дайте определение yиhпараметры.

19. Какой физический смысл yиhпараметров?

20. Нарисуйте схему замещения транзистора в yпараметрах.

21. Как экспериментально получить зависимость I_К(U_КЭ)?

22. Как экспериментально получить характеристику I_Б(U_БЭ)?

23. В каких пределах может находиться U_КЭтранзистора, работающего в линейном режиме (в режиме малого сигнала)?

24. Чему равно U_БЭ?

25. С какой целью используется сопротивление R_П?

26. Дать определение S, r_КЭ, r_бЭ.

27. Как экспериментально определить S, r_КЭ, r_бЭ.

5. Полевые транзисторы

5.1. Классификация полевых транзисторов

Полевыми транзисторами называются полупроводниковые элементы, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, т.е. практически без затрат мощности управляющего сигнала.

Существуют две большие группы полевых транзисторов:

• полевые транзисторы с управляющим p–nпереходом (JFET–JunctionFieldEffectTransistor), в которых изоляция канала от источника управляющего напряжения обеспечивается обратно смещеннымp–nпереходом;

• полевые транзисторы с МОП (металл – оксид - полупроводник) или МДП (металл – диэлектрик - полупроводник) структурой. Зарубежное обозначение MOSFET(или сокращенноMOS). В этих транзисторах изоляция канала от управляющего электрода обеспечивается с помощью диэлектрика (двуокиси кремния).

МОП – транзисторы бывают двух видов: со встроенным (созданным технологически) каналом и с индуцированным (создается внешним электрическим полем) каналом. Все типы транзисторов могут быть как n– канальные, так иp– канальные. Классификация и условные графические изображения транзисторов приведены на рис.5.1.

В системе моделирования MicroCAPтранзисторы с управляющимp–nпереходом обозначаются какNJFETиPJFET, МОП – транзисторы какNMOSиPMOS. ВMicroCAPне делается различие между МОП транзисторами со встроенным и индуцированным (наведенным) каналом. Отличить один тип транзистора от другого можно по величине напряжения отсечки или пороговому напряжению – параметрVTOполевого транзистора.DNMOSиDPMOS– это МОП транзисторы с индуцированным каналом, у которых подложка соединена с истоком.

Затвор З (G–gate) – управляющий электрод. Он управляет величиной сопротивления междустокомС (D-drain) иистоком И (S-source). Управляющим напряжением является напряжениеU_зи. Большинство полевых транзисторов являются симметричными, т.е. их свойства не изменяются, если электроды С и И поменять местами.