- •Минобрнауки россии
- •«Ухтинский государственный технический университет» (угту)
- •140400.62 «Электроэнергетика и электротехника»
- •169300, Республика Коми, г. Ухта, ул. Первомайская, д. 13. Типография угту.
- •169300, Республика Коми, г. Ухта, ул. Октябрьская, д. 13. ОглавлЕние
- •Часть I…………………………………………………………………………...5
- •Введение
- •Часть I.
- •1 Выпрямительные диоды
- •1.1 Эффект р-n перехода в диодах Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Что лежит в основе принципа действия диода?
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Почему максимальное значение выпрямленного напряженияне совпадает с амплитудой входного напряжения?
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Почему максимальное значение выпрямленного напряженияне совпадает с амплитудой входного напряжения?
- •Вопрос 1: Какова частота пульсаций выходного напряженияUвыхтрёхфазного выпрямителя с нулевым выводом?
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Какова величина напряжения стабилизации?
- •Вопрос 1: При каких условиях выходное напряжение параметрического стабилизатора остаётся постоянным?
- •Вопрос 1:Какова пульсация входного напряжения ∆Uвхза сглаживающим конденсатором?
- •Вопрос 1: Какой минимальный ток необходим светодиоду для слабого светоизлучения?
- •Вопрос 1: Какова величина порогового напряжения варикапа?
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1:Каковы общие свойства обоихр-nпереходов транзисторов двух типов?
- •Вопрос 2:Каковы отличияр-nпереходов в двух типах транзисторов?
- •4.2 Распределение тока в транзисторе и управляющий эффект тока базы Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •1.3 Характеристики транзистора Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •4.4 Установка рабочей точки транзистора и исследование влияния резистора в цепи коллектора на коэффициент усилия по напряжению усилительного каскада с общим эмиттером Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос1:Какое влияние оказывает сопротивление в цепи коллектора на коэффициент усиления?
- •4.5 Усилители на биполярных транзисторах Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Какой из трех усилителей имеет инвертирующий эффект?
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Какой элемент цепи (рисунок 1.18) можно использовать для задания максимального выходного напряжения?
- •Вопрос 2: Из каких компонентов состоит линейный регулятор напряжения?
- •4.7 Регулятор тока Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •5 Униполярные (полевые) транзисторы
- •5.1 Испытание слоев и выпрямительного действия униполярных транзисторов Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1:Когдар-nпереходы полевого транзистора с каналомn-типа заперты?
- •2.3 Управляющий эффект затвора полевого транзистора n-типа Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Каков наклон характеристикиSполевого транзистора, когда изменение напряжения затвор/исток составляет 1,5 в, а соответствующие изменение тока стока равно 4,5 мА?
- •Вопрос 1: Как ведет себя коэффициент усиления при увеличении сопротивления нагрузки rн?
- •5.5 Усилители на полевых транзисторах Общие сведения
- •Экспериментальная часть
- •Вопрос 1: Какой из трех усилителей имеет инвертирующий эффект?
- •Вопрос 2: Почему усилители с общим стоком не имеют такой же значимости, что и усилитель с общим коллектором на биполярном транзисторе?
- •Вопрос 3: в каких отношениях усилитель с общим затвором отличается от усилителя с общим истоком?
- •Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
- •1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов.
- •2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
- •4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах.
- •Стандартные условные графические и буквенные обозначения
- •Минобрнауки россии
3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730–73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые». В табл. П.8 приведены графические обозначения основных полупроводниковых приборов.
Таблица П.8 -Графические обозначения полупроводниковых приборов
Наименование прибора |
Обозначение |
Диод выпрямительный | |
Диод Шоттки |
|
Стабилитрон
| |
Стабилитрон двуханодный
| |
Диод туннельный
| |
Обращенный диод
| |
Варикап
|
Наименование прибора |
Обозначение |
Биполярный транзистор p-n-p-типа
| |
Биполярный транзистор n-p-n-типа
| |
Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом n-типа
| |
Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом р-типа
| |
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа
|
Наименование прибора |
Обозначение |
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом р-типа
| |
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа
| |
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа
| |
Диодный тиристор
| |
Диодный симметричный тиристор
| |
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по аноду
| |
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду
|
Наименование прибора |
Обозначение |
Триодный симметричный тиристор
| |
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по аноду
|
|
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по катоду
| |
Излучающий диод
| |
Фоторезистор
| |
Фотодиод
| |
Фототранзистор p-n-p-типа
|
Наименование прибора |
Обозначение |
Фототиристор
| |
Оптрон диодный
| |
Оптрон тиристорный
| |
Оптрон резисторный
| |
Оптрон транзисторный
|
4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах.
Элементы, входящие в состав изделия, на электрической принципиальной схеме должны иметь буквенно-цифровые обозначения.
Типы условных буквенно-цифровых обозначений и правила их построения устанавливает ГОСТ2.710–81.
Позиционное обозначение элемента в общем случае состоит из трех частей, указывающих вид, номер и функцию элемента и записывается без разделительных знаков и пробелов. Вид и номер являются обязательной частью
условного буквенно-цифрового обозначения и присваивается всем элементам схемы.
Буквенные коды некоторых полупроводниковых элементов приведены в табл. П.9.
Таблица П.9 - Буквенные коды полупроводниковых приборов
Первая буква кода (обязательная) |
Полупроводниковый прибор |
Двухбуквенный код |
B |
Фотоэлемент |
BL |
D |
Схема интегральная аналоговая Схема интегральная цифровая |
DA
DD |
V |
Диод, стабилитрон Транзистор Тиристор |
VD VT VS |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2