Вопрос 1: Какой из трех усилителей имеет инвертирующий эффект?

Ответ: .................

Вопрос 2: Почему усилители с общим стоком не имеют такой же значимости, что и усилитель с общим коллектором на биполярном транзисторе?

Ответ: .................

Вопрос 3: в каких отношениях усилитель с общим затвором отличается от усилителя с общим истоком?

Ответ: .................

ПРИЛОЖЕНИЕ 1.

Классификация и обозначения полупроводниковых приборов

Для унификации обозначений и стандартизации параметров полупроводниковых приборов используется система условных обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые приборы по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам, конструктивнотехнологическим свойствам, виду полупроводниковых материалов. Система условных обозначений отечественных полупроводниковых приборов базируется на государственных и отраслевых стандартах. Первый ГОСТ на систему обозначений полупроводниковых приборов – ГОСТ 10862–64 был введен в 1964 году. Затем по мере возникновения новых классификационных групп приборов был изменен на ГОСТ 10862–72, а затем на отраслевой стандарт ОСТ 11.336.038–77 и ОСТ 11.336.919–81. При этой модификации основные элементы буквенно-цифрового кода системы условных обозначений сохранились. Данная система обозначений логически выстроена и позволяет дополнять себя по мере дальнейшего развития элементной базы.

Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в ГОСТах:

• 25529–82 – Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

• 19095–73 – Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

• 20003–74 – Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

• 20332–84 – Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов.

Система обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ 11.336.919–81 «Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений», которая состоит из 5 элементов. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент.

Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4. В табл. П.1 приведены обозначения для первого элемента.

Таблица П.1

Исходный материал	Условные обозначения
Германий	Г или 1
Кремний	К или 2
Соединения галлия (например арсенид галлия)	А или 3
Соединения индия (например форсид индия)	И или 4

Второй элемент.

Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (табл. П.2).

Таблица П.2

Подкласс приборов	Условные обозначения
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные	Д
Транзисторы биполярные	Т
Транзисторы полевые	П
Варикапы	В
Тиристоры диодные	Н
Тиристоры триодные	У
Туннельные диоды	И
Стабилитроны	С
Сверхвысокочастотные диоды	А
Излучающие оптоэлектронные приборы	Л
Оптопары	О

Третий элемент.

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплуатационные параметры различные. Например, для транзисторов – это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов – максимальное значение прямого тока, для стабилитронов – напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров – значение тока в открытом состоянии. В табл. П.3 приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.

Таблица П.3

Назначение прибора	Условные обозначения
Диоды выпрямительные, с прямым током, А :
менее 0,3	1
0,3…10	2
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды и др. )	3
Диоды импульсные, с временем восстановления, нс :
более 500	4
150…500	5
30…150	6
5…30	7
1…5	8
с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс	9
Триодные тиристоры с максимально допустимым средним током в открытом состоянии (или импусным), А
незапираемые :
менее 0,3 (менее 15)	1
0,3…10 (15…100)	2
более 10 (более 100)	7
запираемые :
менее 0,3 (менее 15)
0,3…10 (15…100)
более 10 (более 100)
Назначение прибора	Условные обозначения
симметричные:
менее 0,3 (менее 15)	5
0,3…10 (15…100)	6
более 10 (более 100)	9
Диоды туннельные и обращенные:
усилительные	1
генераторные	2
переключательные	3
обращенные	4
Варикапы:
подстрочные	1
умножительные (варакторы)	2
Стабилитроны, стабисторы и ограничители,с напряжением стабилизации, В:
мощностью менее 0,3 Вт:
менее 10	1
10…100	2
более 100	3
мощностью менее 0,3…5 Вт:
менее 10	4
10…100	5
более 100	6
мощностью менее 5…10 Вт:
менее 10	7
10…100	8
более 100	9
Транзисторы биполярные:
маломощные с рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт:
низкой частоты (граничная частота МГц)	1
средней частоты (граничная частота МГц)	2
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	3
средней мощности (0,3…1,5) Вт:

Назначение прибора	Условные обозначения
низкой частоты (граничная частота МГц)	4
средней частоты (граничная частота МГц)	5
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	6
большой мощности (более 1,5 Вт):
низкой частоты (граничная частота МГц)	7
средней частоты (граничная частота МГц)	8
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	9
Транзисторы полевые:
малой мощности не более 0,3 Вт :
низкой частоты (граничная частота МГц)	1
средней частоты (граничная частота МГц)	2
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	3
средней мощности (0,3…1,5) Вт:
низкой частоты (граничная частота МГц)	4
средней частоты (граничная частота МГц)	5
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	6
большой мощности (более 1,5 Вт):
низкой частоты (граничная частота МГц)	7
средней частоты (граничная частота МГц)	8
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	9
Источники инфракрасного излучения:
излучающие диоды	1
излучающие модули	2
Приборы визуального представления информации :
светоизлучающие диоды	3
знаковые индикаторы	4
знаковое табло	5
шкалы	6
экраны	7
Оптопары:
резисторные	Р
Назначение прибора	Условные обозначения
диодные	Д
тиристорные	У
транзисторные	Т

Четвертый элемент.

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Примеры обозначения полупроводниковых приборов:

2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В.

КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0,5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки 20, группа А.

КТ937А – кремниевый биполярный транзистор, большой мощности, высокочастотной (с граничной частотой более 30 МГц), номер разработки 37, группа А.

КП310А – кремниевый транзистор малой мощности, с граничной частотой более 30 МГц, номер разработки 10, группа А.