- •41 Диэлектрики в электростатическом поле. Механизм поляризации диэлектриков. Диэлектрическая проницаемость
- •1. Понятие, классификация радиоволн
- •2. Особенности распространения радиоволн
- •3. Факторы, влияющие на дальность и качество радиоволн
- •42Факторы, влияющие на распространение радиоволн
- •Напряженность поля
- •2.2. Зоны Френеля
- •Влияние тропосферы на ррв
- •Лекция 10. Особенности распространения ультракоротких радиоволн
- •10.1. Распространение земной волны в диапазоне укв
- •Гравитационное, магнитное и электрическое поля Земли
- •Анализ формулы Введенского показывает, что
- •Слои ионосферы
- •Пути распространения декаметровой волны в плоском отражающем слое ионосферы в. П. Пашинцев, с. А. Тишкин, м. Э. Солчатов Филиал Ростовского военного института ракетных войск
- •Максимальная применимая частота
- •Определение максимально применяемой частоты (мпч) по данным ионосферного прогноза
- •1. Краткие сведения по теме
Пути распространения декаметровой волны в плоском отражающем слое ионосферы в. П. Пашинцев, с. А. Тишкин, м. Э. Солчатов Филиал Ростовского военного института ракетных войск
Получена 2 апреля 2001 г.
Разработана методика аналитического расчета фазового, реального и эквивалентного однородного путей распространения декаметровой волны в плоском отражающем слое ионосферы с параболическим распределением электронной концентрации.
Известно [1],
что форма траектории декаметровой (ДКМ)
волны в процессе ее преломления и
отражения в ионосфере определяется
фазовой скоростью распространения
.
Последняя превышает скорость света в
вакууме (
),
поскольку на любой высотеhионосферы коэффициент ее преломленияn(h)<1.
Чтобы найти времяt,
затрачиваемое радиосигналом на
прохождение реального путиL=ctв ионосфере необходимо знать групповую
скорость ДКМ волны
.
При
измерении расстояний радиотехническими
методами обычно измеряют фазовое
или
групповое
время
прихода, определяющее протяженность
фазового
или
группового
пути
распространения радиоволны в ионосфере
[2]. При
этом для измеренияL
необходимо вносить поправки на фазовый
или
групповой
путь.
В
[3]
введено понятиеэквивалентного
однородного
пути
распространения
ДКМ волны в отражающем слое ионосферы
(т.е. вдоль траектории с однородной
электронной концентрацией
,
соответствующей высоте
отражения
волны), определяемого через
.
В настоящее время известно [4] аналитическое выражение для расчета лишь группового пути распространения ДКМ волны, полученное в приближении плоского отражающего слоя ионосферы с параболическим распределением электронной концентрации (ЭК) по высотеN(h).
Целью статьи является разработка методики аналитического расчета фазового, реального и эквивалентного однородного путей распространения ДКМ волны в плоском отражающем слое ионосферы через групповой путь.
Геометрия
траектории распространения ДКМ волны
с рабочей частотой
,
падающей под углом
на
нижнюю границуh=h0
плоского отражающего слоя
ионосферы,
приведена на рис.1.
В
плоскослоистой ионосфере с ростом
высоты
![]()
происходит
постепенное увеличениеЭК
N(h)
в элементарных слоях вплоть до значения
,
соответствующего высоте
максимума
ионизации [1,5,6].
При этом величина коэффициента преломления
ионосферы
уменьшается согласно выражению
(1)
где
-
плазменная частота ионосферы на высотеh.

Рис. 1. Геометрия распространения ДКМ волны
На
произвольной высоте h
угол наклона траектории
распространения
ДКМ волны в плоскослоистой ионосфере
(рис.1)
определяется из уравнения [1,4-6]
.
(2)
Из (1,2)
следует условие отражения ДКМ волны (в
точке В на высоте
)
и соотношение для выбора ее рабочей
частоты в приближении плоской Земли и
ионосферы (закон секанса):
![]()
(3)
,
(4)
где
-
частота эквивалентной вертикально
направленной волны (
),
а
.
Чтобы приступить к определению фазового и реального путей ДКМ волны в ионосфере, запишем выражение для изменения фазы во фронте этой волны при ее распространении (см. рис. 1) по реальной траектории АВС [2-4]
,
(5)
где dl- элемент реального путиLвдоль траектории распространения ДКМ
волны в ионосфере. Последний связан с
элементом высоты (dh)
траектории и произвольным углом
ее
наклона (2)
соотношением
.
(6)
В соответствии с рис. 1и выражением (6) протяженность реального пути ДКМ волны в ионосфере будет определяться как
.
(7)
Фазовый путь ДКМ волны в ионосфере определяется согласно (5-7) выражением вида
,
(8)
где
-
элемент фазового пути.
Наиболее просто определяется групповой путь ДКМ волны в ионосфере [4]
,
(9)
где
-
элемент группового пути.
Сравнительный анализ
(7-9)
указывает на выполнение соотношений
.
В
[4]
получено аналитическое выражение
для расчета
при
параболической модели распределения
по высоте ЭК в отражающем слое
ионосферы
,
(10)
где
-
полутолщина слоя. Подстановка в (9)
выражения (1) с учетом (10) дает известное
выражение
,
(11)
где
-
критическая частота ионосферного слоя.
Расчет
осуществляется
с учетом следующих обстоятельств [1,4,5].В законе секанса (4)
является
функцией истинной высоты отражения
,
в то время как результаты ионограммы
позволяют установить взаимосвязь
с
действующей высотой отражения
.
Поэтому для практических расчетов
закон
секанса (4)
записывают в виде
,
(12)
где угол падения волны
на ионосферный слой определяется на
базе теорем эквивалентности через
и
дальность связиR(расстояниеPT нарис.
1) из выражения
.
(13)
Значение
для
параболической модели распределения
ЭК (10) рассчитывается согласно
аналитическому выражению[4,5]
,
(14)
где параметры
ионосферы
,
и
находят
из ионограммы (при этом полутолщину
отражающего слоя
находят
по значению
для
,
поскольку
).
Тогда
в соответствии с (14)
аналитическое выражение (11)
для расчета
(равного
пути распространения волны по эквивалентной
треугольной траекторииAB1Cнарис. 1со скоростью света с) можно записать в
виде
,
(15)
где
определяется
согласно (13).
Анализ
аналитических выражений (11-15)
показывает, что при приближении
к
значение
резко
возрастает, а увеличение
происходит
медленнее вследствие относительно
небольшого уменьшения
(13)
приR=const.
Действуя аналогичным способом, т.е. подставляя в (8) выражение (1) с учетом (10), можно получить с использованием табличного интеграла [7]

аналитическое выражение для расчета фазового пути распространения ДКМ волны в плоском отражающем слое ионосферы в виде
,
(16)
где
-
определяется согласно (11,15), а
-
согласно (13,14).
Получить
удобное аналитическое выражение для
расчета реального пути
аналогичным
способом прямой подстановки (1,10) в
(7) не
удастся. Поэтому для решения этой задачи
воспользуемся следующей методикой [3].
Для
произвольной высоты
выражение
(1) можно
разложить в биномиальный ряд
(17)
обеспечивая в
расчетах два точных десятичных знака,
если второе слагаемое подкоренного
выражения (т.е.
/
)
не превышает 0.19 [8].
Это условие справедливости разложения
(17) для
наибольших значений
можно
с учетом (4)
записать в виде
![]()
![]()
![]()
.
(18)
При выполнении условия (18) примерное равенство (17) с учетом (1) можно записать в виде
.
(19)
В соответствии с (19) выражение (7) для реального пути ДКМ волны в ионосфере можно определить через фазовый (8) и групповой (9) пути как
.
(20)
Подстановка
в (20)
выражения для
(16)
позволяет получить аналитическое
выражение для расчета реального пути
распространения ДКМ волны в плоском
отражающем слое ионосферы в виде
.
(21)
Сравнительный
анализ известного (11)
и полученных (16,21)
расчетных выражений указывает на
выполнение соотношений
.
Достоверность
полученных выражений (16,21)
подтверждается тем, что при выполнении
условия (18)
справедливости разложения (17)
отличия значений
и
отL будут иметь
одинаковую величину и противоположный
знак [2]:
.
(22)
В
соответствии с (22)
и расчетными выражениями (11,16,21)
значения поправок на групповой (
)
и фазовый (
)
путь ДКМ волны в ионосфере определяются
как
.
(23)
С
учетом выражений для
(11,15)
последнее соотношение можно записать
в более удобном для расчетов виде
.
(24)
Анализ
выражения (24)
показывает, что по мере приближения
к
,
т. е. роста отношения
,
значения
(14)
и
(11,15)
возрастают и пропорционально им
увеличиваются поправки на групповой
и
фазовый
путь.
Так, при малых отношениях
,
когда справедливо разложение
при
обеспечении в расчетах двух точных
десятичных знаков [8],
будем иметь
.
При наибольших
отношениях
,
когда
,
значение
.
В соответствии с (22) и (24) аналитические выражения для расчета реального (21) и фазового (16) путей распространения ДКМ волны в плоском отражающем слое ионосферы можно записать в более удобных видах:
(25)
(26)
где
-
определяется согласно (11,15).
Теперь
определим эквивалентный однородный
путь
распространения
ДКМ волны в ионосфере. Заметим, что
фазовый путь (8)
в соответствии с (17)
можно найти как
,
(27)
где
поправка на фазовый путь
определяется
полным количеством электронов (ПКЭ)
вдоль реального путиLс
неоднородной
ЭК N(h):
.
(28)
Поскольку
наибольший вклад в значение
будет
вносить область ионосферы с
ЭК, соответствующей высоте
отражения ДКМ волны![]()
,
значение ПКЭ (28)
можно определить черезLи
как
[3]
(29)
где
- усредненное вдоль реально путиL(т.е. однородное) значение ЭК,
-
эквивалентная протяженность пути с
однородной ЭК, соответствующей высоте
отражения
.
В соответствии
с выражениями (28,29)
определяется
как
.
(30)
Согласно (1,4)
отношение
связанно
с коэффициентом преломления ионосферы
соотношением вида
.
Выражая отсюда
указанное отношение через
и
подставляя его в (30),
получим
,
(31)
где квадрат усредненного вдоль реального пути Lзначения коэффициента преломления ионосферы определяется из соотношения
.
Входящие в
(31) значения Lи
можно
определить с помощью общих выражений
для
(8)
и
(7),
представляемых в виде
;
.
Отсюда имеем
;![]()
и выражение (31) сводится к виду
.
Подставив
сюда выражение для
(26),
получим окончательное выражение для
определения эквивалентного однородного
пути (
)
распространения ДКМ волны в плоском
отражающем слое ионосферы
(32)
где Lи
определяются
согласно (25,24), а
-
согласно (11,15).
Анализ (32)
показывает, что по мере роста отношения
,
значенияLи
возрастают
и
приближается
кL. Так, при малых
отношениях
,
когда
,
будем иметь
,
,
.
При наибольших
отношениях
значение
и
.
Таким образом, разработана методика, позволяющая получить аналитические выражения для расчета фазового (16,26), реального (21,25) и эквивалентного однородного (32) путей распространения ДКМ волны в плоском отражающем слое ионосферы с параболическим распределением электронной концентрации через известное выражение (11) или (15) для расчета группового пути.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Долуханов М.П.Распространение радиоволн. М.: Связь, 1965.
2.Колосов М.А., Арманд Н.А., Яковлев О.И.Распространение радиоволн при космической связи. М.: Связь, 1969.
3.Пашинцев. В.П., Колосов Л.В., Тишкин С.А., Антонов В.В. // РЭ. 1996. Т.41. №1. С. 21.
4.Дэвис К.Радиоволны в ионосфере. М.: Мир, 1973.
5.Калинин А.И., Черенкова Е.Л.Распространение радиоволн. М.: Связь, 1971.
6.Черенкова Е.Л., Чернышев О.В.Распространение радиоволн и работа радиолиний. М.: Радио и связь, 1984.
7.Выгодский М.Я.Справочник по высшей математике. М.: Наука, 1969.
8. Брадис В.М. Четырехзначные математические таблицы. М.: Учпедгиз, 1962.
50
