
- •Полупроводниковые
- •Полупроводниковый диод
- •Виды полупроводниковых диодов
- •Барьер Шоттки
- •Диод Шоттки
- •p-n переход
- •p-n переходы прямое смещение
- •p-n переходы обратное смещение
- •Выпрямительные диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Характеристическое сопротивление
- •Эквивалентная малосигнальная схема диода для низких частот
- •Варикап
- •Стабилитрон
- •Туннельный диод
- •Туннельный диод
- •Обращённый диод
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов

Система обозначений диодов
КД212Б
3Цифра – функциональные возможности. Подкласс Д:
1 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока не свыше 10 А; 3 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;
4 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 150…500 нс; 5 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 30…150 нс; 6 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 5…30 нс; 7 - импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 1…5 нс; 8 – импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс. Подкласс Ц:
1 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 - столбы с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10 А; 3 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 4 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10А. Подкласс В:
1 – подстроечные варикапы;
2 – умножительные варикапы. Подкласс И:
1 – усилительные туннельные диоды;
2 – генераторные туннельные диоды;
3 – переключательные туннельные диоды;
4 – обращенные диоды.

Система обозначений диодов
КД212Б
Подкласс А:
31 – смесительные диоды;
2- детекторные диоды;
3 – усилительные диоды;
4 – параметрические диоды;
5 – переключательные и ограничительные диоды;
6 – умножительные и настроечные диоды;
7 – генераторные диоды;
8- импульсные диоды. Подкласс С:
1 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 2- стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10…100 В; 3 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более100 В; 4 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 5 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10…100 В; 6 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 7 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 8 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10…100 В; 9 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В.
Подкласс Г:
1 – низкочастотные генераторы шума;
2 – высокочастотные генераторы шума. Число – порядковый номер разработки.
4 |
Обычно используются двузначные числа от 01 до 99; если порядковый номер превышает число 99, то применяют |
трехзначное число от 101 до 999. |
|
5 |
Буква – классификация по параметрам (квалификационная литера). Применяют буквы русского алфавита, кроме |
букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э. |

Система обозначений диодов
КД212Б
|
Цифры: 1…9 – для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или |
||
|
электрических параметров; |
||
|
Буква С – для обозначения сборок – наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных |
||
|
электрически или соединенных одноименными выводами; |
||
|
Цифры, написанные через дефис – для обозначения следующих модификаций конструктивного исполнения |
||
|
бескорпусных приборов: |
||
Дополнител -1 |
– с гибкими выводами без кристаллодержателя; |
||
ьные |
-2 |
–с гибкими выводами на кристаллодержателе; |
|
символы |
|||
-3 |
– с жесткими выводами без кристаллодержателя; |
||
|
-4 |
– с жесткими выводами на кристаллодержателе; |
|
|
-5 |
– с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов; |
|
|
-6 |
– с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов. |