Лабораторная работа №3
.docЛабораторная работа №3
Исследование полевых транзисторов
Цель работы: приобрести навыки снятия стоковых и стоко-затворных характеристик полевого транзистора.
Программное обеспечение: программный пакет Electronics Workbench Multisim.
I. Краткие теоретические сведения
Полевые транзисторы – это транзисторы, в которых выходные токи и напряжения управляются электрическим полем.
По сравнению с биполярными транзисторами они имеют более простую конструкцию, благодаря чему при их изготовлении требуется меньше технологических операций, а также повышается процент выхода годных изделий, что снижает стоимость микросхем. Относительно низкая площадь, занимаемая полевым транзистором, позволяет применять более высокую степень интеграции в микросхемах, где они применяются. Полевые транзисторы могут использоваться как в качестве активных, так и в качестве пассивных элементов микросхем (конденсаторов, резисторов).
Различают следующие виды полевых транзисторов:
- с управляющим p-n переходом;
- со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).
Также различают транзисторы с каналом p-типа и с каналом n-типа.
Рисунок 1 – УГО и внутреннее строение Рисунок 2 – УГО и внутреннее строение
полевого транзистора с управляющим полевого транзистора с управляющим
p-n переходом и каналом p-типа p-n переходом и каналом n-типа
Основной схемой включения полевых транзисторов является схема с общим истоком. Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом заключается в том, что напряжение, подаваемое между затвором и истоком, изменяет размеры ОПЗ p-n перехода. Из-за этого уменьшается канал между истоком и стоком и, соответственно, ток, проходящий через него.
Рисунок 3 – Стоковые и стоко-затворные характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
II. Ход работы
1. Получить вариант задания у преподавателя.
2. Запустить Multisim и собрать схему по рисунку 4.
Рисунок 4 – Схема для снятия стоковых характеристик
Таблица 1 – Новые элементы на рисунке 4
Элемент |
Group |
Family |
Component |
Обозначение |
Полевой транзистор Q1 |
Transistors |
JFET_P |
(по варианту) |
3. Запустить схему. Снять стоковые характеристики транзистора при пяти напряжениях на затворе Uзи. Результаты записать в таблицу 2:
Таблица 2 – Стоковые характеристики полевого транзистора
Uси, В |
Iс, мА |
||||
Uзи = … В |
Uзи = … В |
Uзи = … В |
Uзи = … В |
Uзи = … В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4. Снять стоко-затворные характеристики транзистора при двух значениях Uси. Результаты записать в таблицу 3:
Таблица 3 – Стоко-затворные характеристики полевого транзистора
Uзи, В |
Iс, мА |
|
Uси = … В |
Uси = … В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5. По данным таблиц 2 и 3 построить семейства стоковых и стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Сделать выводы о зависимости тока стока полевого транзистора с управляющим p-n переходом от напряжений на нём.
6. Изучить схему полевого транзистора со стоковой нагрузкой (рис. 5). Переписать из карточки с заданием значения Ec и Rс для вашего варианта. Построить на семействе стоковых характеристик нагрузочную прямую, используя уравнение:
Рисунок 5 – Полевой Eс = Ic Rс + Uси (1.1)
транзистор со стоковой
нагрузкой Определить по построенному графику значения Uси и Iс для
этой нагрузочной прямой и записать результаты в таблицу 4:
Таблица 4 – Определение выходных параметров усилителя на полевом транзисторе
Uзи, В |
Параметр |
|||
По графикам |
Экспериментально |
|||
Uси, В |
Iс, мА |
Uси, В |
Iс, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8. Для проверки полученных значений токов и напряжений собрать схему по рисунку 6.
Рисунок 6 – Схема для проверки работы транзистора со стоковой нагрузкой
9. Результаты измерений записать в таблицу 4. Сделать вывод о степени погрешности при графическом методе определения выходных токов и напряжений.
10. Определить коэффициент усиления по напряжению в точке, заданной в карточке с заданием.
III. Контрольные вопросы
1. Перечислите основные преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными.
2. На чём основан принцип работы полевых транзисторов с управляющим p-n переходом?
3. Как изменится ток стока полевого транзистора, если напряжение между затвором и истоком уменьшится?
IV. Содержание отчёта
1. Название и цель работы
2. Схемы измерений (п. 2, 8)
3. Таблицы с результатами измерений (п. 4, 5, 7)
4. Графики полученных ВАХ (п. 6)
5. Ответы на контрольные вопросы
6. Выводы (п. 6, 9)