2 0R

при r  R.

Напруженість поля нескінченної рівномірно зарядженої площини

_{E } ^ _.

^2 ₀

Зв’язок між напруженістю та потенціалом електростатичного поля

_{Для однорідного поля}

^ _{ }

^d _.

E

dr^

_{E } ^{1   2} _,

^d

^{де d – відстань між еквіпотенційними поверхнями з потенціалами }₁ ^{та }₂^.

^{Робота сил поля щодо переміщення заряду Q}₀ ^{з точки поля з потенціалом}

_{1 в точку з потенціалом 2}

^A₁₂ ^{ Q}₀ ^₁ ^{ }₂ ^.

^.

Електроємність конденсатора

_{C } ^Q _,

^U

де Q – заряд конденсатора, U – різниця потенціалів пластин конденсатора.

Електроємність плоского конденсатора

_{ S}

_{C } ⁰ _,

^d

де S – площа кожної пластини конденсатора; d – відстань між пластинами.

_{Електроємність циліндричного конденсатора}

_{C } ^{2 0L} _,

^lnR₂ ^{/ R}₁ ^

де L – довжина обкладинок конденсатора; R₁ та R₂ – радіуси коаксіальних циліндрів.

_{Електроємність сферичного конденсатора}

_{C   }

_{C  0}

_{R1 R2 ,}

^R₂ ^{ R}₁

^{де R}₁ ^{та R}₂ ^{– радіуси концентричних сфер.}

Енергія зарядженого конденсатора

_{2 2}

_{W } ^QU

²

_ ^CU

²

_ ^Q _,

^2C

де Q – заряд конденсатора, С – його ємність; U – різниця потенціалів

обкладинок конденсатора.

Закон Ома

_{а) для однорідної ділянки кола}

_{I } ^U _,

^R

де I – сила струму, що протікає по ділянці кола, U – напруга на ділянці; R – опір

ділянки;

_{б) для неоднорідної ділянки кола}

_{I } ^{1   2  } _,

R  r

^{де }₁ ^{– }₂ ^{– різниця потенціалів на кінцях ділянки;  – ЕРС джерела, що входить}

у ділянку; r – внутрішній опір джерела;

_{в) для замкненого кола}

_{I } ^ _,

R  r

де R – зовнішній опір кола, r – внутрішній опір джерела.

_{Правила Кірхгофа}

_ ^I _i

^{ 0 ;} _ ^I _i ^R_i

^ _ ^ _i ^,

^де _ ^I _i

– алгебрична сума струмів, що сходяться в вузлі;

 ^I _i ^R_i ^{– алгебрична сума падіння напруги в замкнутому контурі;}

 ^ _i ^{– алгебрична сума ЕРС джерел, що входять в цей контур}

Електромагнетизм

_{ }

_{Зв'язок між магнітною індукцією B}

_

_{та напруженістю H магнітного поля}

_

^{B  }₀ ^{H ,}

де ₀ = 410^–7 Гн/м – магнітна постійна;  – магнітна проникність ізотропного середовища.

_{Закон Біо–Савара–Лапласа}

d

_

_{ 1}

_H

_ ^4



_ ^{I  [ dl}

^{r 3}

_{ r}^ _]

^,

_

_{де dH – напруженість магнітного поля, що створюється елементом dl}

_

_{довжини}

_{провідника зі струмом I; r}^ _{– радіус-вектор, проведений від}

знаходиться напруженість.

_{Напруженість магнітного поля}

dl до точки, в якій

_осі

а) нескінченно довгого прямого провідника зі струмом I на відстані r₀ від

_{H } ^I _;

^2r₀

б) відрізка провідника зі струмом I на відстані r₀ від осі

_I

_{H }

^4r₀

^cos₁ ^{ cos}₂ ^,

де ₁ і ₂ – кути, що створює провідник з радіусами-векторами, проведеними від кінців провідника до точки, що розглядається;

_{в) в центрі кругового контура радіуса R зі струмом I}

г) на осі кругового контура

_{H } ^I _;

^2R

 ,

_IR²

^H _2R² _{ a}² _^{3 / 2}

де а – відстань від центра контуру до точки, де знаходиться напруженість;

_{д) нескінченно довгого соленоїда}

H  I  n₀

_ ^IN _,

^l

^{де N – кількість обвитків в обмотці соленоїда; l – довжина соленоїда; n}₀ ^–

кількість обвитків на одиницю довжини соленоїда.

Сила Лоренца

_{  }

^{F  Q[  B ]} _,

_{де Q – заряд частинки, що рухається зі швидкістю v в полі з магнітною}

_

^{індукцією B .} _

Потік вектора магнітної індукції B

_{магнітному полі}

через плоский контур в однорідному

Ф  B  S  cos ,

де S – площа контура; φ – кут між вектором B

_{та нормаллю n}^ _{до площини контура.}

_{Повний магнітний потік (потокозчеплення)}

_{  NФ ,}

де N – кількість обвитків, що пронизуються потоком Ф.

_{ЕРС індукції}

_{  } ^d _.

ⁱ dt

Заряд, що протікає по замкнутому контурі при зміні магнітного потоку

_{Q  } ^ _,

^R

де R – опір контура.

Енергія магнітного поля, що пов’язана з контуром індуктивністю L , по якому проходить струм I,

_LI ²

_{W  .}