Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
lab_raboty_po_ORET.pdf
Скачиваний:
33
Добавлен:
18.02.2016
Размер:
898.28 Кб
Скачать

30

Таблица 3.1. Исходные данные для проведения расчетов

Lp ,

Ln ,

N A ,

ND ,

Sпер

,

λ,

Ф,

 

вари-

Si, Ge

GaAs

×10

16

×10

14

×10-4

 

анта

мкм

×10-3 лм

 

 

 

 

см2

 

×10-2

×10-4

см-3

см-3

 

1

0,4

1,0

1,0

2,0

1,0

 

0,4

0; 1;

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

0,45

1,5

2,5

3,0

2,0

 

0,45

0; 3;

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

0,5

2,0

3,0

4,0

3,0

 

0,5

0; 4;

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

0,55

2,5

3,5

5.0

4,0

 

0,55

0; 3;

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

0,6

3,0

4,0

6,0

5,0

 

0,6

0; 5; 10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

0,65

3,5

4,5

7,0

6,0

 

0,65

0; 6;

9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

0,7

4,0

5,0

8,0

7,0

 

0,7

0; 6; 12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

0,75

4,5

6,5

9,0

8,0

 

0,75

0; 7; 14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9

0,8

5,0

7,0

10,0

9,0

 

0,8

0; 7; 12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

0,85

5,5

7,5

20,0

10,0

 

0,85

0; 8; 16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11

0,9

6,0

8,0

30,0

20,0

 

0,9

0; 9; 18

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

0,95

6,5

8,5

40,0

40,0

 

0,4

0; 10;

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13

1,0

7,0

9,0

50,0

50,0

 

0,45

0; 12;

24

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14

1,02

7,5

9,5

60,0

60,0

 

0,5

0; 13;

26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

1,05

8,0

10,0

70,0

80,0

 

0,55

0; 14;

28

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

0,65

3,5

4,5

15

8,5

 

0,6

0; 15;

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

17

0,7

4,0

5,0

8

 

9,0

 

0,65

0; 16;

32

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

18

0,75

4,5

5,5

9

 

9,5

 

0,7

0; 17;

34

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

19

0,8

5,0

6,0

10

10,0

 

0,75

0; 18;

36

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

0,85

5,5

6,5

15

10,5

 

0,8

0; 20;

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21

0,9

6,0

7,0

20

11,0

 

0,85

0; 10;

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

22

0,95

6,5

7,5

30

11,5

 

0,9

0; 12;

24

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

23

1,0

7,0

8,0

40

12,0

 

0,59

0; 13;

26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

24

0,55

2,5

3,5

15

12,5

 

0,64

0; 14;

28

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

0,6

3,0

4,0

10

13,0

 

0,4

0; 15;

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

31

Контрольные вопросы

1. Объяснить механизм формирования тока через освещенный p-n – переход и дать определение эффекта генерации фото-ЭДС.

2.При каких допущениях получено соотношение (7.1), описывающее вольтамперную характеристику фотодиода.

3.От каких параметров полупроводников и светового потока зависит чувствительность фотоприемника на основе p-n – перехода.

4.В какой части вольтамперной характеристики реализуется режим преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию.

5.Пояснить, при каких условиях фотоэлемент выдает максимальную выходную мощность.

Рекомендуемая литература

1.Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. Электронные приборы. Учебник для вузов. – Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Издательство МАИ. 1996. 544 с.

2.Морозова И.Г. Физика электронных приборов: Учебник для вузов. – М.: Атомиздат. 1980. 392 с.

3.Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. – М.: Радио и связь. 1989. 360 с.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]