Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
rub_kontr_EiSAU.doc
Скачиваний:
31
Добавлен:
18.02.2016
Размер:
198.14 Кб
Скачать

Рубежный контроль 1

1. Какой полупроводник является собственным?

2. В каком случае полупроводниковый диод не пропускает ток

3. Для чего применяется схема эквивалентности транзистора?

4. Обозначение, какого прибора приведено на рисунке.

5. Какое соединение транзистора дает наиболее эффективную работу

6. К какому типу усилителей относится операционный усилитель?

7. Удельное сопротивление кремния при комнатной температуре:

8. Электронно-дырочный переход создается:

9. Активный режим работы биполярного транзистора, когда.

10. Инжекция носителей это:

11. Основным элементом выпрямителя является:

12. Обозначение, какого прибора приведено на рисунке.

13. Основными носителями тока в примесных полупроводниках являются:

14. Вольтамперная характеристика выпрямительного диода:

15. Биполярные транзисторы имеют:

16.Активный режим работы биполярного транзистора, когда.

17. Коэффициент усиления в схеме с ОЭ:

18. МДП- транзистор с индуцированным каналом это:

А) В) С) Д) Е)

19. Механизм возникновения собственной проводимости:

20. Число свободных электронов в металлах при комнатной температуре:

21. Коэффициент передачи эмиттерного тока характеризует:

22. Биполярные транзисторы отличаются от полевого транзистора:

23. Достоинство схемы с ОЭ состоит в:

24. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.

25. Какие параметры транзистора являются проводимостью

26. Запрещенная зона-

27. Активный режим p-n-p транзистора в схеме с ОЭ

А) В) С) Д) Е)

28 . Удельное сопротивление германия при комнатной температуре:

29. Контактная разность потенциалов равна:

30. Основным элементом усилителя является:

31. Параметр h11 биполярного транзистора определяет:

32. Какие особенности полупроводников можно наблюдать при постоянной температуре

33. Что называется модуляцией слоя базы биполярного транзистора

34. Отличие полевого транзистора от биполярного состоит в:

35. Графическое изображение для n-p-n транзистора дискретного:

А) В) С) Д) Е)

36. Уравнение нагрузочной прямой.

37. Биполярный транзистор это:

38. Коэффициент усиления в схеме с ОК:

39. Связь между атомами в полупроводнике:

40. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.

41. В области р- n – перехода появится пространственный заряд, если:

42. Параметр h21 биполярного транзистора определяет:

43. Фотодиод работает на основе. . .

44. Основные носители зарядов это:

45. Полный ток p-n перехода равен:

46. Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ:

47. МДП транзистор это:

48. Режим отсечки в схеме с ОЭ для p-n-p транзистора:

А) В) С) Д) Е)

49. Отличие полевого транзистора от МДП транзистора

50. Какие факторы приводят к увеличению концентрации электронов в полупроводниках n- типа

51. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.

52. При каком соединении транзистора повышается его термостабилизация.

53. Какой вид обратной связи (ОС) применяется в усилителях?

54. Коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ.

55. Формирование p-n прехода происходит в результате:

56. Диффузионный ток p-n перехода равен:

57. Пороговое напряжение для Ge и SI:

58. Первый закон Кирхгофа для транзистора:

59. Чем различается МДП транзистор от МОП транзистора?

60. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.

61. В каком соединении транзистора коэффициент усиления по току меньше единицы.

62. Дрейфовой ток диода показывает:

63. Режим насыщения для p-n-p транзистора в схеме с ОЭ:

А) В) С) Д) Е)

64. Входное сопротивление схемы с ОК:

65. Биполярный транзистор это:

66. Электронно-дырочный переход создается:

67. Эмиттер- это какая часть транзистора?

68. Вольт-амперная характеристика диода имеет вид:

69. Механизм возникновения собственной проводимости:

70. Входное сопротивление схемы с ОЭ:

71. Формирование p-n прехода происходит в результате:

72. Биполярный транзистор это:

73. Схема с (ОЭ) общим эмиттером для n-p-n транзистора :

А) В) С) Д) Е)

74. Какому состоянию электронного ключа соответствует режим отсечки транзистора?

75. Прямое включение p-n перехода это:

76. Туннельный диод это

А) В) С) Д) Е)

77. p-n переход в отсутствии питания находится в состоянии:

78. Проводимость n-типа создается:

79. Из каких частей состоит транзистор?

80. Основная зона-

81. Валентная зона –

82. Как обозначается на схемах выпрямительный диод?

А) В) С) Д) Е)

83. Эмиттер- это часть транзистора -

84. Что называют полупроводниковым диодом?

85. МДП транзистор это:

86. Отличие полевого транзистора от биполярного состоит в:

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]