автор= Курбанов М.К.

№дисциплина= Физические основы электроникики

№модуль= Физические основы работы полупроводниковых приборов

Вопрос 1

Собственным называется

полупроводник, не содержащий акцепторных и донорных примесей

полупроводник, имеющий монокристаллическую структуру

полупроводник, имеющий поликристаллическую структуру

полупроводник с равной долей примесей акцепторов и доноров

вопрос2

Удельное сопротивление полупроводников лежит в пределах

10^-4-10¹⁰ Ом·м

10^-4-10^-6 Ом·м

10¹⁰-10²⁰ Ом·м

более 10²⁰ Ом·м

вопрос 3

Уровень Ферми располагается в собственном полупроводнике

вблизи середины запрещенной зоны

вблизи зоны проводимости

в валентной зоне

на дне зоны проводимости

вопрос 4

Примесным называется полупроводник

содержащий в небольшом концентрации атомы других веществ с валентностью, отличной от валентности основного вещества

содержащий кроме собственных атомов атомов легирующей примеси

В котором содержание атомов легирующей примеси больше . чем собственных атомов

вопрос 5

Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике р-типа являются

дырки

положительные ионы

отрицательные ионы

электроны

вопрос 6

Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике  n-типа являются

электроны

дырки

положительные ионы

отрицательные ионы

вопрос 7

Причиной диффузионного движения носителей заряда в полупроводниках является

градиент их концентраций

разность их концентраций

электрическое поле

тепловое хаотическое движение

градиент температуры

вопрос8

Причиной дрейфового движения носителей  заряда в полупроводниках является

электрическое поле

градиент их концентраций

тепловое хаотическое движение

градиент температуры

вопрос 9

Полупроводниковым диодом называют

электропреобразовательный прибор с одним p-n переходом, имеющий два вывода

электропреобразовательный прибор с одним p-n переходом, имеющий три вывода

полупроводниковый прибор с линейной вольтамперной характеристикой и двумя выводами

вопрос 10

Основными подвижными носителями заряда в полупроводнике  р-типа являются

дырки

электроны

положительные ионы

отрицательные ионы

вопрос 11

основными подвижными носителями заряда в полупроводнике  n-типа являются

электроны

положительные ионы

отрицательные ионы

Дырки

правильного ответа нет

вопрос 12

Вольтамперная характеристика идеального диода описывается следующим выражением

_{- верно}

вопрос 13

Анодом полупроводникового диода называется вывод

изготовленный к области p-типа

к которому подключают положительный полюс источника тока при включении диода в прямом направлении

изготовленный к области n-типа

к которому подключают отрицательный полюс источника тока при включении диода в прямом направлении

к которому подключают положительный полюс источника тока при включении диода в обратном направлении

вопрос 14

Катодом полупроводникового диода называется вывод

изготовленный к области n-типа

к которому подключают отрицательный полюс источника тока при включении диода в прямом направлении

изготовленный к области р-типа

на который необходимо подать отрицательное напряжение для включения диода в обратном направлении

на который необходимо подать положительное напряжение для включения диода в прямом направлении

вопрос15

Пробой электронно-дырочного перехода это

резкий рост обратного тока при значительном увеличении обратного напряжения на p-n переходе

рост обратного тока через переход при неизменном напряжении

резкое возрастание температуры на p-n переходе

вопрос 16

В p-n переходе имеют место следующие виды пробоя

тепловой

электрический

лавинопролетный

термоэлектронной

Высоковольтный

Вопрос 17

Если внешнее напряжение подано плюсом на катод, то в каком направлении включен диод?

Обратном

вопрос 18

В p-n переходе на границе раздела образуется

запирающий слой

обедненный слой

обогащенный слой

инверсный слой

вопрос 19

В p-n переходах в p-области образуется

пространственный отрицательный заряд ионов акцепторной примеси

объемный отрицательный заряд ионов акцепторной примеси

пространственный положительный заряд ионов донорной примеси

поверхностный положительный заряд ионов донорной примеси

вопрос20

В p-n переходах в n-области образуется

пространственный положительный заряд ионов донорной примеси 

объемный положительный заряд ионов донорной примеси 

пространственный отрицательный заряд ионов донорной примеси 

поверхностный отрицательный заряд ионов акцепторной примеси

вопрос 21

Базой полупроводникового диода называют

область с низкой концентрацией атомов примеси

сильнолегированная область

область сосредоточения пространственного заряда

вопрос 22

В результате диффузии основные носители заряда электроны и дырки перемещаются

в противоположных направлениях, дырки в n- область, а электроны в p- область

в противоположных направлениях, электроны в p- область, а дырки в n- область

в одном направлении

движение дырок и электронов является ненаправленным

остаются неподвижными

вопрос 23

При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения U в прямом направлении потенциальный барьер

уменьшается

увеличивается

остается неизменным

увеличивается с ростом температуры

правильного ответа нет

вопрос 24

При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения U обратной полярности потенциальный барьер

увеличивается

остается неизменным

уменьшается

правильного ответа нет

вопрос 25

Инжекцией основных носителей заряда называется

диффузионное движения носителей заряда через запирающий слой в ту область, где они являются неосновными носителями

диффузионное движение носителей заряда через запирающий слой в ту область, где они являются основными носителями

движение неосновных носителей заряда через запирающий слой в ту область, где являются основными

правильного ответа нет

вопрос 26

При увеличении внешнего обратного напряжения ширина запирающего слоя

увеличивается

уменьшается

остается неизменной

увеличивается по экспоненте

уменьшается по экспоненте

вопрос 27

на p-n -переходе контактную разность потенциала φ создает

№да

не скомпенсированный заряд ионов примеси

положительный заряд ионов примеси

отрицательный заряд ионов примеси

Скомпенсированный

правильного ответа нет

вопрос 28

К основным параметрам диода относятся

прямой ток

наибольшая рассеиваемая мощность

напряжение стабилизации

наименьшая температура корпуса

правильного ответа нет

вопрос 29

Полупроводниковые диоды делятся на

плоскостные и точечные

точечные и объемные

плоскостные и линейные

Прямые

правильного ответа нет

вопрос30

Полупроводниковый диод содержит

один p-n -переход

два p-n -перехода

три p-n –перехода

пять p-n –переходов

вопрос 31

Падение напряжения на кремниевом диоде при протекании через него номинального тока составляет

№да

0,6-1,2В

0,1-0,2В

0,2-0,3В

1,2-1,5В

0В

вопрос 32

Падение напряжения на германиевом диоде при протекании через него номинального тока составляет

0,3-0,5В

0,1-0,2В

0,2-0,3В

0,6-1,2 В

1,2-1,5В

вопрос 33

Ток утечки диода растет

пропорционально обратному напряжению

пропорционально обратному току

пропорционально обратному пробивному напряжению

пропорционально прямому падению напряжения

правильного ответа нет

вопрос 34

Обратный ток в германиевых диодах при нормальных условиях преимущественно определяется

тепловым током

током термогенерации

током рекомбинации

прямым падением напряжения

правильного ответа нет

вопрос 35

Обратный ток в кремниевых диодах при нормальных условиях преимущественно определяется

током термогенерации

тепловым током

рекомбинационным током

правильного ответа нет

вопрос 36

Тепловой ток  и ток термогенерации с ростом температуры

увеличивается, причем тепловой ток увеличивается сильней

уменьшается, причем тепловой ток уменьшается сильней

уменьшается, причем тепловой ток уменьшается медленней

увеличивается, причем тепловой ток увеличивается медленней

правильного ответа нет

вопрос 37

Обратный ток диода увеличивается

при увеличении теплового тока  

При увеличении тока термогенерации

остается неизменным

уменьшается

с увеличением степени легирования

правильного ответа нет

вопрос 38

Сопротивление диода постоянному току определяется из следующего выражения

вопрос 39

Сопротивление базы реальных диодов составляет

единицы Ом

десятки кОм

сотни Ом

единицы кОм

сотые доли Мом

вопрос 40

Барьерная емкость полупроводникового диода определяется из следующего выражения

Вопрос 41

Барьерная емкость для реальных диодов составляет

десятки и сотни пикофарад

десятки и сотни нанофарад

десятки и сотни килофарад

единицы и сотни фарад

сотни фарад

вопрос 42

ВАХ идеализированного диода описывается выражением

_верно

Вопрос 43

Коэффициент инжекции для реальных диодов должна составлять значение, близкое к

Единице

Вопрос 43

Полупроводниковый стабилитрон

полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока

полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя сильно зависит от тока

полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя не зависит от тока

полупроводниковый диод, ток на котором в области электрического пробоя слабо зависит от напряжения

правильного ответа нет

вопрос 44

Основным параметром полупроводникового стабилитрона является

напряжение стабилизации

обратное пробивное напряжение

обратный ток

прямое падение напряжения

наибольшая рассеиваемая мощность

вопрос 45

Туннельный пробой возникает у стабилитронов

с малым рабочим напряжением до 3-4В

с рабочим напряжением 3-7В

с рабочим напряжением более 7В

правильного ответа нет

вопрос 46

Мощность рассеивания на маломощном стабилитроне составляет

до 0,3Вт

до 0,5Вт

до 1Вт

более 1Вт

вопрос 47

Мощность рассеивания на мощном стабилитроне равна

более 5Вт

менее 1 Вт

менее 1.5 Вт

менее 2 Вт

вопрос 48

Мощность рассеивания на среднемощном стабилитроне равна

0.3 -5 Вт

менее 0,1Вт

0,1– 0.3 Вт

5 – 7 Вт

более 10 Вт

вопрос 49

Напряжение стабилизации стабилитрона зависит

от температуры

от давления

от влажности

напряжение всегда одинаково

правильного ответа нет

вопрос 50

Напряжение на стабилитроне характеризуется

температурным коэффициентом напряжения стабилизации

температурным коэффициентом тока стабилизации

температурным коэффициентом сопротивления

правильного ответа нет

вопрос 51

Температурный коэффициент напряжения стабилизации рассчитывают по следующей формуле

вопрос 52

Причиной увеличения тока через фотодиод с увеличением обратного напряжения при постоянном световом потоке является

уменьшение толщины базы в  результате увеличения  ширины p-n перехода

уменьшение сопротивления перехода

уменьшение сопротивления объема базы

увеличение интенсивности рекомбинации электронов и дырок

правильного ответа нет

вопрос 53

Германиевый фотодиод имеет наибольшую  чувствительность в области длин волн

0,5 – 0,2мкм

2 - 5мкм

0,1 - 0,5мкм

6 -8мкм

0 -0,5мкм

вопрос 54

Варикап, это

полупроводниковый диод, в котором используется зависимость барьерной емкости перехода от  значения обратного напряжения

полупроводниковый диод с  очень маленькой емкостью p-n перехода

полупроводниковый диод, работающий в режиме пробоя

полупроводниковый диод  с точечным контактом

вопрос 55

Варикапы используются

при обратном смещении  перехода

при прямом смещении  перехода

при любом смещении  перехода

вопрос 56

Коэффициент перекрытия по емкости варикапа

отношение большей барьерной емкости  к меньшей в заданном интервале изменения обратного  напряжения

отношение диффузионной емкости  к барьерной

отношение меньшей емкости к барьерной в заданном интервале изменения обратного  напряжения

отношение меньшей емкости к большей в заданном интервале изменения обратного  напряжения

вопрос 57

Добротностью варикапа называют

отношение реактивного сопротивления к сопротивлению потерь

относительная величина потерь в варикапе

отношение активного сопротивления к реактивному

отношение реактивного сопротивления к активному

№вопрос 58

Чаще всего для изготовления варикапов используется

германий и арсенид галлия

кремний и цинк

Селен и висмут

бор и сурьма

вопрос 59

Туннельным диодом называют

диод, имеющий на прямой ветви ВАХ участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

диод, имеющий на обратной ветви ВАХ участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

диод, работающий в режиме лавинного пробоя при больших обратных смещениях

диод, работающий в режиме туннельного пробоя при больших обратных смещениях

вопрос 60

Концентрация подвижных носителей больше

у туннельных диодов

у выпрямительных диодов

у всех диодов одинакова

у выпрямительных диодов немного больше

вопрос 61

Примерная концентрация подвижных носителей в туннельном диоде

вопрос 62

Изменение температуры сильнее влияет на ВАХ

выпрямительных диодов

туннельных диодов

лавинопролетных диодов

Фотодиодов

вопрос 63

Чаще всего для изготовления выпрямительных диодов используется

кремний и германий

Фосфид галлия и нитрид алюминия

арсенид галлия и селен

бор и сурьма

правильного ответа нет

вопрос 64

Обращенный диод

диод, у которого  проводимость  при обратном  напряжении значительно больше, чем при прямом

диод, у которого  проводимость  при обратном  напряжении значительно меньше, чем при прямом

диод, работающий  в режиме лавинного пробоя

диод, работающий  в режиме туннельного пробоя при прямом смещении

вопрос 65

При одном и том же небольшом напряжении ток обращенного диода больше при

при обратном смещении

при прямом смещении

не имеет значения

при прямом смещении ток немного больше

вопрос 66

Транзистор

полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать электрические сигналы и имеющий три вывода

полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать электрические сигналы и имеющий пять выводов

полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать электрические сигналы и имеющий четыре вывода

полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать электрические сигналы и имеющий три и более выводов

вопрос 67

Напряжением отсечки полевого транзистора называется

напряжение , при котором транзистор запирается

напряжение , при котором транзистор открывается

напряжение , при котором транзистор открывается и запирается

напряжение , при котором транзистор не работает

вопрос 68

Эффективность работы биполярного транзистора определяется

коэффициентом инжекции

током эмиттера

током покоя

дырочной составляющей

электронной составляющей

вопрос 69

Число рекомбинаций в базе биполярного транзистора уменьшаться, если ширина базы будет

уменьшаться

увеличиваться

останется неизменным

станет равным нулю

№вопрос 70

Укажите соотношения между концентрациями электронов n и дырок p в канале, образованном в p-полупроводнике

n>p

n=p

n<p

np

возможны различные соотношения в зависимости от приложенного напряжения

вопрос 71

Электронно-дырочный переход полевого транзистора в активном режиме смещен

в обратном направлении

в прямом направлении

переход в равновесном состоянии

в любом из двух направлений

вопрос 72

Ток в полевом транзисторе обусловлен

движением основных носителей

движением не основных носителей

движением основных и не основных носителей

движением не основных носителей при положительном напряжении сток-исток

движением основных носителей при отрицательном напряжении сток-исток

вопрос 73

Истоком в полевом транзисторе называется

один из выводов, через который основные носители заряда входят в канал

один из выводов, через который не основные носители заряда выходят из канала

вывод от перехода транзистора

один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала

один из выводов, через который не основные носители заряда входят в канал

вопрос 74

Стоком в полевом транзисторе называется

один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала

вывод от перехода транзистора

один из выводов, через который основные носители заряда входят в канала

один из выводов, через который не основные носители заряда входят в канала

один из выводов, через который не основные носители заряда выходят из канала

вопрос 75

Затвором в полевом транзисторе называется

вывод, с помощью которого управляют сечением канала

один из выводов, через который не основные носители заряда выходят из канала

один из выводов, через который основные носители заряда входят в канала

один из выводов, через который не основные носители заряда входят в канала

один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала

вопрос 76

Напряжение насыщения в полевом транзисторе, это

напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала

напряжение сток-исток, при котором происходит открытие канала

напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора

напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при ненулевом токе транзистора

вопрос 77

режим насыщения –это электрический режим транзистора

при котором имеет место перекрытие канала при ненулевом токе транзистора

режим, при котором <0,

режим, при котором <0,<0

режим, при котором переходы транзистора смещены в обратном направлении

режим, при котором переходы транзистора смещены в прямом направлении

вопрос 78

Укажите связь напряжения насыщения  с напряжением отсечки

вопрос 79

Управление током в полевом транзисторе основано

на изменении ширины переходов и сечения канала при изменении входного напряжения

на изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации инжектированных носителей

на изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения

на изменении емкости переходов

на изменении ширины переходов и сечения канала при изменении выходного напряжения

№вопрос 80

Ток базы определяется из следующего выражения