
- •1.Кристалічна структура і форма твердих тіл
- •4.Структури реальних кристалів, простих сполук.
- •5.Дифракція в кристаллах
- •6.Дифракція як метод дослідження
- •7.Умова дифракції Брегга
- •8. Атомний фактор розсіювання
- •9.Експериментальні методи рентгенографічного дослідження структури кристалів
- •10.Обернений простір. Обернена гратка. Зони Бріллюена.
- •11.Електронний газ у металахТермодинамічні властивості електронного газу в металах.
- •12.Розподіл Фермі — Дірака.
- •13.Теорія провідності металів
- •14. Вплив поверхні на енергію зв’язку електрона.
- •15. Робота виходу.
- •16. Контактна різниця потенціалів.
- •18. Енергія Фермі
- •19. Вироджений і невироджений напівпровідник
- •Природа виродження
- •20.Електропровідність напівпровідників
- •21.Ефект Холла
- •23.Термодинамічний р-n-перехід.
- •Області просторового заряду
- •24.Фотопровідність.
- •25.Термоелектричні явища в напівпровідниках.
- •26.Термоелектричні генератори.
- •27.Магнітні властивості твердих тіл. Магнітні матеріали, діа-, пара- та феромагнетизм.
- •28. Магнітний резонанс
- •29. Магнітоопір.
- •31. Інверсна залежність рівнів і «від’ємні» температури
- •34. Напівпровідникові лазери.
- •36.Надтекучість і надпровідність
- •37.Критична температура надпровідникового стану.
- •38. Ефект Мейссенера.
- •39. Природа явища надпровідності.
- •40. Надтекучість рідкого гелію.
- •41. Модель двох рідин.
- •44. Коливання і хвилі в плазмі.
- •1.Вступ. Характеристика предмета, методологія
- •9.Вуглецеві нанотрубки. Структура. Отримання. Хімічна модифікація.Властивості: механічні, електричні, капілярні.
- •4.Відкриття фулерена с60.
- •5.Структура фулерена с60 і його кристалів
- •6.Отримання фулеренів.
- •7. Механізми утворення фулеренів.
- •8 Фулерити. Ендоедральні структури.
- •10.Застосування вуглецевих нанотрубок.
25.Термоелектричні явища в напівпровідниках.
Якщо температура контактів різних металів не однакова, то в ланцюзі виникає електричний струм, називаний термоелектричним. Явище виникнення термоелектричного струму (явище Зеєбека), а так само явище Пельтьє й Томсона, називається термоелектричними явищами.
Явище Зеєбека (німецький фізик) 1821г. - виникнення термоелектричного струму (або термоЕ.Р.С.) у замкненому ланцюзі послідовно з'єднаних різнорідних провідників, контакти між якими мають різну температуру.
У замкненому ланцюзі термо Е.Р.С. (різниці температур.
Пояснення виникнення термо Е.Р.С.:
EF залежить від температури, , якщо температура кристалів різна, то різними будуть і внутрішні контактні різниці потенціалів. Таким чином, сума стрибків потенціалів відмінна від нуля й, виникає в ланцюзі термо Е.Р.С. Дифузія електронів при градієнті температури в ланцюзі також приводить до появи термо Е.Р.С.
Явище Зеєбека використовується для виміру температур - термопари - являють собою два різнорідні метали, контакти яких перебувають при різних температурах.
Явище Пельтьє (французький ~фізик) 1834 р.: (зворотне до явища Зеєбека), при проходженні струму через контакт двох різнорідних металів залежно від його напруги крім джоулева тепла (нагрівання провідників) виділяється (при одному напрямку струму) або поглинається ( при іншому напрямку струму) додаткова теплота.
QДжI2, QПельтьєI; QПельтьє 0 при I і Qл 0 при I.
Пояснення явища Пельтьє:
Електрони по різну сторону спаю мають різну середню енергію. Якщо електрони, що рухаються за годинниковою стрілкою, пройдуть спай В и потраплять в область із меншою енергією, то надлишок своєї енергії вони віддадуть кристалічній решітці й спай В буде нагріватися. У спаї А електрони переходять в область із більшою енергією, забирають частина енергії в кристалічної решітки для вирівнювання своєї температури з температурою кристалічної решітки. У такий спосіб спай А буде охолоджуватися.
Явище Пельтьє використовується в термоелектричних напівпровідникових холодильниках.
Явище Томсона (1856)
При проходженні струму по нерівномірно нагрітому провідникові повинне відбуватися додаткове виділення (або поглинання) теплоти аналогічній теплоті Пельтьє.
Пояснення явища Томсона:
Тому що в нагрітій частині провідника електрони мають більшу середню енергію, ніж в менш нагрітої, то рухаючись у напрямку убування температури, вони віддають частину своєї енергії решітці, у результаті чого відбувається виділення теплоти Томсона. При русі електронів у зворотному напрямку відбувається поглинання енергії (теплоти) Томсона.
26.Термоелектричні генератори.
Термоелектричний генератор (ТЕГ), термоелектрогенератор, пристрій для прямого перетворення теплової енергії в електричну, принцип дії якого заснований на ефекті Зєєбека (див. Термоелектричні явища ) . В склад ТЕГ входять: термобатареї, набрані з напівпровідникових термоелементів сполучених послідовно або паралельно; теплообмінники гарячих і холодних спаїв термобатарей. ТЕГ підрозділяються: по інтервалу робочих температур — на нізко-, середньо і високотемпературні (діапазони температур 20—300, 300—600, 600—1000 °С; матеріали термоелементів — відповідно тверді розчини на основі халькогенідов елементів V групи, IV групи періодичної системи Д. І. Менделєєва і тверді розчини Si—ge); по сфері застосування — на космічних, морських наземні і т. д.; за типом джерела тепла — на ізотопних, сонячні (див.Сонячний термоелектрогенератор ) , газові і т. д. Ккд кращих ТЕГ складає ~ 15%, потужність досягає декількох сотеньквт.
ТЕГ володіють рядом переваг перед традиційними електромашинними перетворювачами енергії, наприклад турбогенераторами, відсутністю рухомих частин, високою надійністю, простотою обслуговування. ТЕГ застосовуються для енергопостачання видалених і важкодоступних споживачів електроенергії (автоматичних маяків, навігаційних буїв, метеорологічних станцій, активних ретрансляторів, космічних апаратів, станцій антикорозійного захисту газо- і нафтопроводів і т. п.). До недоліків сучасних ТЕГ відносяться низький ккд(коефіцієнт корисної дії) і відносно висока вартість.
Переваги
ТЭГ: великий термін їхньої служби, висока
надійність, стабільність параметрів,
вибростойкость. Недоліки ТЭГ: невисокі
відносні енергетичні показники: питома
маса 10-15 кг/кВт, поверхнева щільність
потужності 10 кВт/м?? (на одиницю поперечного
перерізу елемента ), об'ємна щільність
потужності 200-400 кВт/м3 та порівняно
низький ККД перетворення (5-8%).
У основі дії будь-якого ТЭЭ лежать оборотні термоелектричні ефекти Пельтье, Томсона (Кельвіна) і Зебека. Визначальна роль ТЭГ належить ефекту термо-ЭДС (Зебека). Перетворення енергії супроводжується необоротними (диссипативными) ефектами: передачею тепла з допомогою теплопровідності матеріалу ТЭЭ і протікання струму. Матеріали ТЭЭ з приместной електронної і дырочной провідністю отримують запровадженням легуючих добавок в кристали основного напівпровідника.