4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

Зависимость тока через p-n-переход от приложенного напряжения I=f(U) есть теоретическая вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода (рис.4.2).

Рис.4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода:

зависимость при нормальной температуре Т1;

- - - - зависимость при повышенной температуре Т2;

Т2>Т1.

При подаче на p-n-переход обратного напряжения ток I быстро достигает значения, равного Io, и затем при повышении обратного напряжения остается практически постоянным. Так как неосновных носителей в областях p и n мало, то при обратном включении ток I, обусловленный только неосновными носителями, мал.

При подаче на p-n-переход прямого напряжения ток I с увеличением U возрастает по экспоненте. Так как основных носителей в областях p и n много, то при прямом включении обусловленный основными носителями ток будет большим.

Вольтамперная характеристика p-n-перехода существенно зависит от температуры перехода. При увеличении температуры растет концентрация неосновных носителей и резко возрастает обратный ток перехода Io. В идеальных германиевых p-n-переходах при увеличении температуры на каждые 10⁰ С обратный ток удваивается. И хотя в кремниевых переходах зависимость еще больше, но абсолютные значения Iо у кремниевых переходов значительно меньше.

При малом прямом смещении прямой ток p-n-перехода возрастает с увеличением температуры из-за увеличения обратного тока Iо. При больших напряжениях, т.е. при больших прямых токах, основную роль играет проводимость полупроводника, которая уменьшается с увеличением температуры, поэтому прямые ветви ВАХ изменяются относительно мало.

Контрольные вопросы:

1. Что называется электрическим переходом в полупроводниковых изделиях?

2. Какие p-n-переходы Вы знаете?

3. Какие переходы называются изотипными?

4. Расскажите об идеальном плоскостном p-n-переходе.

5. Нарисуйте ВАХ для p-n-перехода.

6. Как изменяется ВАХ при повышении температуры?

7. Дайте характеристику потенциального барьера.

Глава 5. Биполярные и полевые транзисторы.

Транзистором называют активный полупроводниковый прибор, используемый для усиления или генерирования электрических сигналов.

В переводе с английского составное слово «транзистор» означает «преобразователь сопротивлений». В зависимости от принципа действия и конструктивных признаков транзисторы подразделяются на биполярные и полевые.

Биполярные транзисторы – это полупроводниковые приборы с двумя встречно-направленными p-n-переходами, созданными в одном кристалле, и тремя внешними выводами.

Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы, в которых изменение тока происходит под действием перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

В биполярных транзисторах ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков; в полевых (часто называемых униполярными) – протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака. В качестве полупроводниковых материалов для изготовления биполярных транзисторов используются преимущественно кремний, германий и арсенид галлия (GaAs).

По физическим эффектам, лежащим в основе управления носителями заряда, полевые транзисторы бывают двух видов: с управляющим p-n-переходом и со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор). В полевых транзисторах в качестве полупроводникового материала используют в основном кремний и арсенид галлия, в качестве диэлектрика – оксид кремния SiO2 (в МОП-транзисторах) или сложные структуры, например SiO2-Al2O3, SiO2-Si3N4 и др. (в МДП-структурах).