- •Электронный вариант конспекта по дисциплине «Электронные приборы»
- •Электропроводность полупроводников.
- •Собственная электропроводность п/п.
- •Основы квантовой статистики
- •Примесные п/п.
- •Электронно-дырочный переход
- •Физические процессы в симметричном р-n – переходе
- •Условия равновесия
- •Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе
- •Плотность диффузионного тока.
- •Плотность дрейфового тока. Дырочный ток.
- •Ширина запирающего слоя (зс)
- •Различные виды переходов Несимметричный переход
- •Контакт металл - п/п Контакт Ме – n-п/п
- •Контакт Ме – п/п p-типа
- •Пробой p-n-перехода.
- •Ёмкости p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды Устройство и классификация п/п диодов
- •Вах диода
- •Статические параметры диодов
- •Зависимость характеристики и параметров диодов от температуры
- •Выпрямительные диоды
- •Параметры вд
- •Параллельное соединение диодов
- •Последовательное включение диодов
- •Особенности германиевых и кремниевых вд
- •Импульсные диоды
- •Стабилитроны и стабисторы
- •Варикапы
- •Транзисторы
- •Биполярные транзисторы
- •Режимы работы.
- •Токи в транзисторе
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Транзистор как чп
- •Параметры бт в схеме с об
- •Параметры бт в схеме оэ
- •Параметры бт в схеме с ок
- •Режим большого сигнала
- •Особенности транзисторов на вч при малых сигналах
- •Эквивалентная схема транзистора
- •Полевые транзисторы
- •Транзисторы, управляемые с помощью p-nперехода или барьера Шоттки
- •Пт с изолированным затвором.
- •Принцип работы пт с индуцированным каналом.
- •Пт со встроенным каналом.
- •Приборы с отрицательным сопротивлением
- •Туннельный диод
- •Токи в тд
- •Тиристоры
- •Динисторы. Переход п2 обычно считается коллекторным переходом. Динисторы можно рассматривать как два включённых навстречу друг другу транзистора.
- •Iвыкл III
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Фотоэлектронные приборы
- •Фотоэлемент
- •Светодиоды
- •Диод Устройство и принцип действия
- •Статические параметры диода
- •Предельные параметры диода
- •Устройство и принцип действия триодов
- •Статические параметры триода
- •Тетроды
- •Пентоды
- •Электронно-лучевые приборы
- •Принципы управления электронным лучом
- •Осциллографические трубки с электростатической фокусировкой и отклонением
- •Приложение 1: «Телевизоры на жк-панелях»
- •Глава 1. Исторический обзор развития микроэлектроники.
- •1.1. Основные направления развития электроники.
- •1.2. История развития микроэлектроники.
- •Глава 2. Общие сведения о полупроводниках
- •2.1. Полупроводники и их электрофизические свойства
- •2.2. Структура полупроводниковых кристаллов
- •2.3. Свободные носители зарядов в полупроводниках
- •2.4. Элементы зонной теории твердого тела.
- •Глава 3. Методы получения монокристаллов кремния
- •3.1. Метод Чохральского
- •3.2. Метод зонной плавки
- •Глава 4. Электронно-дырочный переход.
- •4.1. Образование p-n-перехода.
- •4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •Глава 5. Биполярные и полевые транзисторы.
- •5.1. Структура биполярных транзисторов и принцип действия.
- •5.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •5.4. Методы получения транзисторов.
- •Глава 6. Интегральные схемы.
- •6.1. Общие понятия.
- •6.2. Элементы биполярных полупроводниковых ис.
- •6.3. Элементы ис на мдп-структуре.
- •Глава 7. Большие интегральные схемы.
- •7.1. Общие положения.
- •Глава 8. Технологический процесс изготовления ис.
- •Глава 9. Гибридные интегральные схемы.
- •Глава 10. Методы обеспечения качества и надежности в процессе серийного производства ппи.
- •10.1. Общие понятия.
- •10.2. Система получения и использования информации при проведении работ по повышению надежности ппи.
- •10.3. Требования по обеспечению и контролю качества ис в процессе производства.
Светодиоды
Это приборы, излучающие свет при пропускании тока в прямом направлении через p-n-переход. Выделение света осуществляется за счёт рекомбинации электронов и дырок в области ЗСp-n-перехода и преобразования энергии в световое излучение.
Если светодиод построен из п/п со строением энергетических зон, дающим прямой переход, то акты рекомбинации происходят достаточно часто и энергия излучения равна ширине запрещённой зоны.
При обратном напряжении в энергетической структуре п/п должны быть энергетические уровни и для перехода из одной зоны в другую. Электроны должны осуществлять взаимодействие с ядром атома.
Rн
+ Е -
Спектральная диаграмма содержит составляющие разных длин волн, ширина спектра излучения светодиода порядка 100 нм. Но спектр излучения, из-за того, что его можно легко изменить, распределён от инфракрасной до ультрафиолетовой области.
n p p
1
3
1 2 3 4 5 6 7 8 λ, 102нм
Некоторые СД могут излучать 2 цвета (2 – красное, 1,3 – зелёное свечение)
Светодиоды служат в качестве индикаторов. Имеют высокую надёжность, длительный срок службы, могут работать на ВЧ, потребляют мало энергии.
Яркостная характеристика В
B
UпорU’Uпр
U’ – предельное для использования; напряжение, при котором яркость прекращает увеличиваться, т.к. носители зарядов приобретают большую скорость, и поэтому увеличивается количество рекомбинаций.
Параметры:
сила света
яркость
λmax – длина волны, на которой световое излучение соответствует максимальной спектральной характеристике.
Iпр max
АЛ – арсенид галлия; КЛ – кремниевый.
Оптрон
Оптрон – это прибор, состоящий из источника света и приёмника света, помещающихся в один корпус.
Электрический сигнал подаётся на источник света, преобразуется в световой сигнал, который попадает на фотоприёмник, преобразующий световой сигнал в электрический сигнал.
IФ
электрический электрический
сигнал сигнал
Чаще всего используются оптроны, в которых источник света – светодиод, а приёмник – фотодиод, фототранзистор, фототиристор и т.д.
I вых
I вх
K пер=ΔI вых /ΔI вх
передаточные характеристики
Достоинства: почти идеальная электрическая изоляция входных и выходных цепей; отсутствие паразитных обратных связей между входом и выходом (сигнал передаётся только в одну сторону); громадная помехозащищённость каналов передачи от входа к выходу от влияния электрических помех; возможность коммутации и управления мощными электрическими цепями с помощью маломощных цепей; возможность передачи большого объёма информации.
Диод Устройство и принцип действия
Простейшая электронная лампа – диод – состоит из катода, благодаря которому осуществляется электронная эмиссия, и анода, назначение которого – управление током в лампе. Анод является коллектором, он собирает электроны, движущиеся от катода. Оба электрода помещены в баллон, выполненный чаще всего из стекла, но в некоторых случаях из керамики и металла. Внутри баллона поддерживается вакуум, т.е. очень разреженное состояние газа до 10-6…10-7мм. рт. ст. Аноды электронных ламп изготовляют из тугоплавких металлов, имеющих большую работу выхода, – никеля, молибдена и т.д.
Условное изображение диодов в схемах приведено на рисунке.
А
К н н
При подаче напряжения накала катод разогревается до требуемой температуры и происходит эмиссия электронов. Вылетевшие из катода электроны обладают некоторыми начальными скоростями, различными как по величине, так и по направлению. В отсутствие напряжения между анодом и катодом эти электроны заполняют пространство между ними, образуя отрицательный пространственный заряд. Этот пространственный заряд создаёт вблизи катода область отрицательного потенциала. Подадим между анодом и катодом напряжение плюсом на анод +Uа. Электроны пространственного заряда под действием ускоряющего электрического поля, созданного положительным потенциалом на аноде, притягиваются к нему. В цепи лампы возникает анодный токIа. При подаче на анод напряжения, отрицательного по отношению к катоду, для электронов эмиссии создаётся тормозящее поле, и анодный ток отсутствует.
Таким образом, ламповый диод обладает односторонней проводимостью, как и полупроводниковый диод.
Анодная (вольт - амперная) характеристика диода
Эта характеристика представляет собой зависимость
Iа=f (Uа) при Uн= const,
где Uн– напряжение накала, которое обеспечивает постоянство температуры катода и, следовательно, постоянство тока эмиссии. ПриUА=0 анодный ток практически отсутствует и только некоторые электроны, имеющие достаточно большую энергию, могут развить скорость, необходимую для преодоления тормозящего поля пространственного заряда, и достичь анода. При подаче положительного анодного напряжения для электронов создаётся ускоряющее поле, которое позволяет им преодолеть тормозящее поле пространственного заряда и достигнуть анода. По мере возрастания анодного напряженияUАпроисходит постепенное рассасывание пространственного заряда, и анодный токIАувеличивается. При каком-то значении +Uа пространственный заряд полностью рассасывается. Режим, при котором полностью рассасывается пространственный заряд электронов в диоде, называетсярежимом насыщения. В этом режиме все электроны, вылетевшие с катода, достигают анода. В режиме насыщения ток эмиссии
IА=IА нас. Таким образом, при работе диода наблюдается два режима:режим пространственного зарядаирежим насыщения.
IА
режим простр. режимUА
заряда насыщения
Основным режимом является режим пространственного заряда, т.к. в этом режиме проявляется управляющее действие поля анода, и анодный ток IАменяется пропорционально напряжениюUА. Эта пропорциональность нарушается в режиме насыщения, где изменениеUАне вызывает соответствующего измененияIА.
В действительности, и в режиме насыщения также происходит некоторое увеличение тока IАпри увеличенииUА. Оно особенно резко выражено у ламп с оксидными катодами, что связано с увеличением тока эмиссии под действием поля анода.