- •Электронный вариант конспекта по дисциплине «Электронные приборы»
- •Электропроводность полупроводников.
- •Собственная электропроводность п/п.
- •Основы квантовой статистики
- •Примесные п/п.
- •Электронно-дырочный переход
- •Физические процессы в симметричном р-n – переходе
- •Условия равновесия
- •Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе
- •Плотность диффузионного тока.
- •Плотность дрейфового тока. Дырочный ток.
- •Ширина запирающего слоя (зс)
- •Различные виды переходов Несимметричный переход
- •Контакт металл - п/п Контакт Ме – n-п/п
- •Контакт Ме – п/п p-типа
- •Пробой p-n-перехода.
- •Ёмкости p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды Устройство и классификация п/п диодов
- •Вах диода
- •Статические параметры диодов
- •Зависимость характеристики и параметров диодов от температуры
- •Выпрямительные диоды
- •Параметры вд
- •Параллельное соединение диодов
- •Последовательное включение диодов
- •Особенности германиевых и кремниевых вд
- •Импульсные диоды
- •Стабилитроны и стабисторы
- •Варикапы
- •Транзисторы
- •Биполярные транзисторы
- •Режимы работы.
- •Токи в транзисторе
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Транзистор как чп
- •Параметры бт в схеме с об
- •Параметры бт в схеме оэ
- •Параметры бт в схеме с ок
- •Режим большого сигнала
- •Особенности транзисторов на вч при малых сигналах
- •Эквивалентная схема транзистора
- •Полевые транзисторы
- •Транзисторы, управляемые с помощью p-nперехода или барьера Шоттки
- •Пт с изолированным затвором.
- •Принцип работы пт с индуцированным каналом.
- •Пт со встроенным каналом.
- •Приборы с отрицательным сопротивлением
- •Туннельный диод
- •Токи в тд
- •Тиристоры
- •Динисторы. Переход п2 обычно считается коллекторным переходом. Динисторы можно рассматривать как два включённых навстречу друг другу транзистора.
- •Iвыкл III
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Фотоэлектронные приборы
- •Фотоэлемент
- •Светодиоды
- •Диод Устройство и принцип действия
- •Статические параметры диода
- •Предельные параметры диода
- •Устройство и принцип действия триодов
- •Статические параметры триода
- •Тетроды
- •Пентоды
- •Электронно-лучевые приборы
- •Принципы управления электронным лучом
- •Осциллографические трубки с электростатической фокусировкой и отклонением
- •Приложение 1: «Телевизоры на жк-панелях»
- •Глава 1. Исторический обзор развития микроэлектроники.
- •1.1. Основные направления развития электроники.
- •1.2. История развития микроэлектроники.
- •Глава 2. Общие сведения о полупроводниках
- •2.1. Полупроводники и их электрофизические свойства
- •2.2. Структура полупроводниковых кристаллов
- •2.3. Свободные носители зарядов в полупроводниках
- •2.4. Элементы зонной теории твердого тела.
- •Глава 3. Методы получения монокристаллов кремния
- •3.1. Метод Чохральского
- •3.2. Метод зонной плавки
- •Глава 4. Электронно-дырочный переход.
- •4.1. Образование p-n-перехода.
- •4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •Глава 5. Биполярные и полевые транзисторы.
- •5.1. Структура биполярных транзисторов и принцип действия.
- •5.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •5.4. Методы получения транзисторов.
- •Глава 6. Интегральные схемы.
- •6.1. Общие понятия.
- •6.2. Элементы биполярных полупроводниковых ис.
- •6.3. Элементы ис на мдп-структуре.
- •Глава 7. Большие интегральные схемы.
- •7.1. Общие положения.
- •Глава 8. Технологический процесс изготовления ис.
- •Глава 9. Гибридные интегральные схемы.
- •Глава 10. Методы обеспечения качества и надежности в процессе серийного производства ппи.
- •10.1. Общие понятия.
- •10.2. Система получения и использования информации при проведении работ по повышению надежности ппи.
- •10.3. Требования по обеспечению и контролю качества ис в процессе производства.
Транзистор как чп
Транзистор БТ можно представить в виде ЧП, характеризуемого входным и выходным токами и напряжением, т.к. он всегда включен с одним общим электродом. Токи и напряжение связаны между собой нелинейными функциональными зависимостями. Для этих зависимостей любые 2 из 4 величин могут быть выбраны в качестве аргументов. На основании этого можно составить систему уравнений:
;- независимые величины
*
**
***
Если ЧП линейный, то эти соотношения будут линейными, но транзистор - элемент нелинейный. Но если для нелинейного ЧП рассматривать малые амплитуды напряжений и токов или их малые приращения, то в некоторых пределах изменения этих величин участок нелинейной зависимости можно считать линейным. Такие параметры называются малосигнальными
Системы параметров
1 система у-параметров
Для БТ с учетом условия использования малых амплитуд можно использовать линейные зависимости. В качестве независимых переменных выбирают и:
*См
2 система z -параметров
*Ом
3 система h-параметров
иявляются безразмерными коэффициентами,имеет размерность сопротивления умноженного на ток, а-проводимости.
Физический смысл коэффициентов
Физический смысл коэффициентов в системе h-параметров можно уяснить, поочерёдно полагая в этих уравнениях
;
;
Величина, обратная коэффициенту передачи по напряжению
;
;
Система уравнений с h-параметром содержит в качестве коэффициентов наиболее важные величины, характеризующие транзистор в схеме как прибор, управляющих током.
Режимы, при которых можно осуществить измерение параметров практически легко осуществить. В этой системе помимо параметров, характеризующих входное и выходное сопротивление, есть коэффициент передачи по току и напряжению. Вышеперечисленные достоинства системы h-параметров предопределяют её широкое использование.
Связь между системами параметров
Параметры транзистора
1. параметры по постоянному току
2. параметры (движения) в режиме малого сигнала
3. параметры большого сигнала
1)параметры по постоянному току - это величины неуправляемых токов в транзисторе, т.е. токов через эмиттерный и коллекторный переходы, которые смещены в обратном направлении
Эти параметры определяют температуру нестабильных транзисторов и их учитывают при всех расчетах схем на транзисторах.
а) обратный ток , через переход коллектор- база, при некотором заданном напряжении на этом переходе и в режиме холостого хода со стороны эмиттера.
б) - это обратный ток эмиттерного перехода при некотором заданном напряжении на этом переходе и в режиме холостого хода со стороны эмиттера.
в) начальный ток () коллектора при заданном напряжении на коллекторе и в режиме короткого замыкания в цепи эмиттер – база.
г) начальный ток в цепи эмиттера – это ток при инверсном включении транзистора и в режиме короткого замыкания в цепи коллектор – база.
д) ток запертого транзистора
е) ток коллектора при заданном напряжении на эмиттере и коллекторе; и обратно смещенном эмиттерном переходе
параметры по постоянному току используются при расчете и конструировании усилительной схемы или устройств, работающих при низких частотах
Малый сигнал - это такое (синусоидальное) напряжение, величина амплитуды которого значительно меньше постоянного напряжения смещения на электродах транзистора