Параметры бт в схеме с об

Входные параметры:

• =

• =

• 

В активном режиме относительно малая величина,- большая величина(в схеме с общей базой) не велико.

Выходные параметры:

• =

• =

• при =const

Выходная проводимость очень мала 2*…-2*Смбудет велико.

С физической точки зрения большую величинуможно объяснить тем, чтоэто сопротивление обратного смещенияp-n перехода

• коэффициент обратной связи по напряжению

при =const

Этот параметр определяется сравнением воздействия входного и выходного напряжения на входной ток, обычно его величина

• коэффициент усиления по току

при (низок)

• коэффициент усиления по напряжению

(высок)

• коэффициент усиления по мощности

Параметры бт в схеме оэ

Входные параметры:

• =

• =

• = const

Физический смысл эмиттера такой же как ОБ, но его величина гораздо больше т.к. в знаменателе стоит, которая значительно больше. Эта величина равна 100 кОм на начальном участке, и при=1мА равна 1кОм

Выходные параметры:

• =

• =

• 

Величина вследствие большой зависимости тока К отпримерно в 10 раз большев 10 раз меньше

Коэффициент обратной связи по напряжению

= const

по смыслу не отличается

Коэффициент усиления по току

,

это важнейший параметр, определяющие усилительные свойства в схеме с ОЭ, зависит от тока базы, и эта зависимость может быть существенной.

Коэффициент усиления по напряжению

Коэффициент усиления по мощности

Данная схема обладает максимальным усилением коэффициент по мощности

Параметры бт в схеме с ок

Входные параметры:

• =

• =

• = const

Выходные параметры:

• =

• =

• = const

Величина <, т.к.>; может быть сотни Ом

Коэффициент обратной связи по напряжению

Эта величина в данной схеме будет равна 1

Коэффициент усиления по току

Коэффициент усиления по напряжению

Коэффициент усиления по мощности

Режим большого сигнала

-это режим работы транзистора при воздействии на него импульсного напряжения. При этом амплитуда импульсов настолько велика, что БТ при отсутствии импульса работает в режиме отсечки, во время нарастания напряжения на входе переходит в активный режим, а затем в режим насыщения.

Параметры

• интегральный коэффициент усиления по току

• статическая крутизна характеристики прямой передачи

(в схеме с ОБ) (в схеме с ОЭ)

• Напряжение между К и Э в режиме насыщения

• Напряжение между Б и Э в режиме насыщения

• Время рассасывания -это интервал времени в течение которого после подачи запирающих импульсов напряжение на К при включении по схеме с ОБ возрастает до величины 0.1

Особенности транзисторов на вч при малых сигналах

ДО сих пор мы рассматривали работу транзистора в статическом режиме при изменении тока и напряжения. При этом мы не рассматривали переходные процессы, которые происходят при изменении той или иной величины. Наиболее наглядной инерционность проявляется при рассмотрении движений носителей в базе, время которогозависит от ширины базы и коэффициента диффузии.

Инерционность процесса сказывается на параметрах транзистора в случае воздействия напряжения ВЧ, период которых меньше , либо при работе в режиме, когда время нарастаний и спада напряжения будет очень мало.

Сильное влияние при работе на ВЧ будет оказывать наличие емкостей p-n переходов, т.к. сопротивление p-n в этом случае с ростом частоты будет уменьшаться.