2. Увеличивается экспоненциально

3. уменьшается линейно

4. уменьшается экспоненциально

5. не зависит от температуры

13. Какой участок ВАХ диода используют для работы стабилитрона?

1. первый;

2. второй;

3. третий;

4. четвертый;

5. любой.

14. В каком типе полупроводникового прибора используется свойство изменения емкости обратно смещенного р-п перехода при изменении обратного напряжения?

1 . выпрямительный диод;

2. стабилитрон;

3. туннельный диод;

4. варикап;

5. динистор

15. Какая из приведенных ВАХ соответствует ВАХ диода Шоттки:

1. первая;

2. вторая;

3. третья;

4. четвертая;

5. любая.

16. В работе какого типа диода электрический ток обусловлен переносом основных носителей заряда?

1. выпрямительного диода;

2 . стабилитрона;

3. импульсного диода;

4. диода Шотки;

5. варикапа.

17. Какой из указанных параметров описывает ток обратно смещенного р-п перехода?

1. U_ОБР

2. U_ПР

3. J_ПР;

4 . J_S

5. Любой.

18. На каком участоке ВАХ дифференциальное сопротивление диода минимально?

1. первый;

2. второй;

3. третий;

4. четвертый;

5. любой.

19. Какой тип полупроводникового прибора имеет условное обозначение КС156А?

1. выпрямительный диод;

2. стабилитрон;

3 . биполярнвй транзистор;

4. униполярный транзистор;

20. Какая из приведенных ВАХ соответствует ВАХ туннельного диода:

1. первая;

2. вторая;

3. третья;

4. четвертая;

5. любая.

21. Если эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный переход смещен в обратном направлении, то в каком режиме будет работать транзистор?

1. в режиме отсечки

2. в режиме насыщения

3. в активном режиме

4. в инверсном активном режиме

5. в любом режиме

22. Какой из указанных h-параметров транзистора можно определить по

статической характеристике, приведенной на рисунке?

1. h_11Е;

2. h_12Е;

3. h_21Е;

4. h_22Е;

5. у_11Е;

23. Какая из указанных схем является схемой включения биполярного транзистора с общей базой?

1. а);

2. б);

3. в);

4. г);

5. д);

24. Какой из указанных h-параметров можно определить по наклону передаточной характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером?

1. h_11Е

2. h_12Е

3. h_21Е

4. h_22Е

5. никакой

25. Какое условно-графическое обозначение полупроводникового прибора соответствует биполярному транзистору?

1. а);

2. б);

3. в);

4. г);

5. д);

26. Если эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный переход смещен в прямом направлении, то в каком режиме будет работать транзистор?

1. В режиме отсечки

2. в режиме насыщения

3. в активном режиме

4. в инверсном активном режиме

5. любом режиме

27. Приведенный транзистор является:

1. биполярным транзистором р-п-р типа

2. биполярным транзистором п-р-п типа

3. биполярным транзистором п-р-п типа с диодом Шотки

4. составным транзистором п-р-п типа

5. однопереходным транзистором

28. Какая из указанных схем является схемой включения биполярного транзистора с общим эмиттером?

1. а);

2. б);

3. в);

4. г);

5. д);

29. Если эмиттерный переход транзистора смещен в обратном направлении, и коллекторный переход смещен в обратном направлении, то в каком режиме будет работать транзистор?

1. в режиме отсечки

2. в режиме насыщения

3. в активном режиме

4. в инверсном активном режиме

5. в любом режиме

30. Какой из указанных h-параметров является коэффициентом передачи по току транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером?

1. h_11Е

2. h_12Е

3. h_21Е

4. h_22Е

5. никакой

31. В какой момент времени биполярный транзистор, работающий в ключевом режиме, находится в режиме двойной инжекции?

1. t_З … t_Ф

2. t_Ф… t_И

3. t_P… t_c

4. t₀… t_З

5.меньше t₀

32. Если эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный переход смещен в обратном направлении, то в каком режиме будет работать транзистор?

1. в режиме отсечки

2. в режиме насыщения

3. в активном режиме

4. в инверсном активном режиме

5. в любом режиме

33. Приведенный транзистор является:

1. биполярным транзистором р-п-р типа

2. биполярным транзистором п-р-п типа

3. биполярным транзистором п-р-п типа с диодом Шотки

4. составным транзистором п-р-п типа

5. однопереходным транзистором

34. Какой из указанных h-параметров является выходной проводимостью транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером?

1. h_11Е

2. h_12Е

3. h_21Е

4. h_22Е