Содержание контрольных вопросов модульной контрольной работы по дисциплине «Радиотехника и электроника» в 2011/2012 учебном году

1. Какое из определений диэлектрика проводника и полупроводника является справедливым?

1. Диэлектрик, это материал, в энергетическом спектре которого существует запрещенная зона шириной больше 3 эВ. Полупроводник это материал, в энергетическом спектре которого отсутствует запрещенная зона. Проводник это материал, в энергетическом спектре которого присутствует запрещенная зона шириной меньше 3 эВ.

2. Диэлектрик, это материал, в энергетическом спектре которого существует запрещенная зона шириной больше 3 эВ. Полупроводник это материал, в энергетическом спектре которого присутствует запрещенная зона шириной меньше 3 эВ. Проводник это материал, в энергетическом спектре которого отсутствует запрещенная зона.

3. Диэлектрик, это материал, в энергетическом спектре которого существует запрещенная зона шириной меньше 3 эВ. Полупроводник это материал, в энергетическом спектре которого присутствует запрещенная зона шириной больше 3 эВ. Проводник это материал, в энергетическом спектре которого отсутствует запрещенная зона.

4. Диэлектрик, это материал, в энергетическом спектре которого существует запрещенная зона шириной больше 1 эВ. Полупроводник это материал, в энергетическом спектре которого присутствует запрещенная зона шириной меньше 1 эВ. Проводник это материал, в энергетическом спектре которого отсутствует запрещенная зона.

5. Диэлектрик, это материал, в энергетическом спектре которого отсутствует. Полупроводник это материал, в энергетическом спектре которого присутствует запрещенная зона шириной больше 3 эВ. Проводник это материал, в энергетическом спектре которого существует запрещенная зона, шириною меньше 3 эВ.

2. Какому типу полупроводника соответствует приведенная зонная диаграмма:

1. собственному;

2. акцепторному;

3. донорному;

4. полуизолирующему;

5. компенсированному.

3. При легировании собственного полупроводника какой примесью можно получить твердый раствор полупроводника:

1. GaAs: Te

2. GaAs: Si

3. GaAs: K

4. GaAs: Zn

5. GaAs: Al

4. Какой параметр полупроводника можно определить на участке 2 зависимости свободных носителей заряда от температуры?

1. ширину запрещенной зоны.

2. концентрацию свободных носителей заряда

3. энергию ионизации примеси

4. подвижность носителей заряда

5. концентрацию примеси

5. Какому типу полупроводника соответствует приведенная зонная диаграмма?

1. собственному;

2. акцепторному;

3. донорному;

4. полуизолирующему;

5. компенсированному.

6. Какому типу полупроводника соответствует приведенная зонная диаграмма?

1. собственному;

2. акцепторному;

3. донорному;

4. полуизолирующему;

5. компенсированному.

7. При легировании собственного полупроводника какой примесью можно получить акцепторный полупроводника:

1. GaAs: Te

2. GaAs: Si

3. GaAs: K

4. GaAs: Zn

5. GaAs: Al

8. Какой параметр полупроводника можно определить на участке 3 зависимости свободных носителей заряда от температуры?

1. ширину запрещенной зоны.

2. концентрацию свободных носителей заряда

3. энергию ионизации примеси

4. подвижность носителей заряда

5. концентрацию примеси

9. При легировании собственного полупроводника какой примесью можно получить акцепторный полупроводник:

1. Si: Sb

2. Si: Ge

3. Si: P

4. Si: К

5. Si: In

10. Удельное сопротивление собственного полупроводника с ростом температуры:

1. увеличивается линейно.

2. увеличивается экспоненциально

3. уменьшается линейно

4. уменьшается экспоненциально

5. не зависит от температуры

11. При легировании собственного полупроводника какой примесью можно получить донорный полупроводник:

1. Si: Al

2. Si: Ge

3. Si: P

4. Si: O

5. Si: In

12. Концентрация свободных носителей заряда в собственном полупроводнике с ростом температуры:

1 . увеличивается линейно.