МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЕ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Пермский государственный технический университет

Кафедра АТ

Лабораторная работа № 2

Исследование полупроводниковых триодов.

Выполнил: ст. гр.АТ- 03-2

Назаров Л.Н.

Пономарёв И.М

Проверил:

Андреев Е.Г.

Пермь 2004г.

Цель работы:

Получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем с ОЭ и ОБ. Нахождение по входным и выходным характеристикам малосигнальных параметров транзистора.

Инструментарий:

На стойке: измерительный прибор вольтметр В-22; источник питания.

Лабораторный стенд для изучения транзисторов, транзистор МП26Б или аналогичный, соединительные провода.

I_k=F(U_к-э)/I_б=const.

Uк-э, В	Ik, мА
	Iб=0	Iб=0,05	Iб=0,1	Iб=0,15	Iб=0,2
0	0,6710-6	0,3410-6	0,0310-6	0,0210-6	0,0310-6
0,5	13,8910-3	1,7	3,57	5,23	6,75
2	14,710-3	1,84	4,03	5,66	7,31
4	15,410-3	1,96	4,33	6,1	7,86
6	1610-3	2,07	4,59	6,43	8,34
8	16,710-3	2,15	4,83	6,75	8,78
10	17,5510-3	2,2	4,97	7	9,14

I_б=F(U_б-э)/I_кэ=const.

Uк=0 В		Uк=-5 В
Iб, мА	Uб-э, В	Iб, мА	Uб-э, В
0	0,0037	0	0,0083
0,05	0,086	0,05	0,155
0,1	0,109	0,1	0,183
0,15	0,122	0,15	0,198
0,2	0,132	0,2	0,210

I_k=F(U_к-э)/I_б=const.

Uк-б, В	Ik, мА
	Iэ=0	Iэ=2	Iэ=4	Iэ=6	Iэ=8	Iэ=10
0	1,3410-6	0,1810-6	1,6910-6	5,3010-6	7,1910-6	8,8310-6
0,5	7,4510-3	1,9249	3,9014	5,728	7,865	9,827
2	7,6810-3	1,9345	3,9187	5,749	7,880	9,857
4	7,8810-3	1,9422	3,9303	5,765	7,908	9,882
6	8,0410-3	1,9483	3,9387	5,778	7,924	9,903
8	8,1710-3	1,9521	3,9453	5,790	7,938	9,917
10	8,2910-3	1,9569	3,9502	5,796	7,949	9,930

I_э=F(U_э-б)/Iк_б=const.

Uкб=0 В		Uкб=-5 В
Iэ, мА	Uэ-б, В	Iэ, мА	Uэ-б, В
0	0,006	0	0,0746
2	0,265	2	0,1514
4	0,328	4	0,1797
6	0,372	6	0,1955
8	0,408	8	0,2084
10	0,43	10	0,2202

H-параметры:

Схема общий эмиттер:

UK=5 B

IБ= 0,15 мA

UK=4 B

IБ=0,1 мA

Схема общая база:

UK=5 B

IЭ=8 мA

UK=4 B

IЭ=6 мA

Вывод:

В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор МП26Б со схемами включения ОЭ и ОБ.

Данный транзистор является германиевым, сплавным, с p-n-p – переходом, универсальным, низкочастотным, маломощным.

Транзисторы предназначены для усиления и переключения НЧ сигналов. В данной работе он используется для усиления НЧ сигналов.

1) Схема с ОБ имеет лучшие частотные свойства. Характеристики ОБ меньше зависят от температуры. Существует недостаток - малое входное сопротивление, большой входной ток.

2) Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем параметрам, но очень плохие частотные свойства, характеристики и параметры очень сильно зависят от температуры.