Лабораторные работы / Исследование полупроводниковых диодов
..docПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Автоматики и телемеханики.
Лабораторная работа № 1
Исследование полупроводниковых диодов.
Выполнил:
Студент группы АТ-03-2
Пономарёв И.М.
Проверил:
Преподаватель каф. АТ
Андреев Г.Е.
Пермь 2004г.
Цель работы: экспериментальные исследования статических и динамических характеристик и параметров диода.
Схема включения диода
ВАХ плоскостного диода
|
|
прямая ветвь |
||||||
|
U, В |
0 |
0,63 |
0,64 |
0,69 |
0,71 |
0,72 |
0,73 |
|
I, mА |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
|
|
обратная ветвь |
||||||
|
U, В |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
|
I, mА |
0 |
0,19 |
0,24 |
0,30 |
0,35 |
0,40 |
0,43 |
ВАХ точечного диода
|
|
прямая ветвь |
||||||
|
U, В |
0 |
0,216 |
0,271 |
0,290 |
0,384 |
0,396 |
0,445 |
|
I, mА |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
|
|
обратная ветвь |
||||||
|
U, В |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
|
I, mА |
0 |
0,49 |
0,58 |
0,67 |
0,76 |
0,83 |
0,91 |
ВАХ кремниевого стабилитрона
|
|
прямая ветвь |
||||||
|
U, В |
0 |
0,604 |
0,609 |
0,637 |
0,648 |
0,655 |
0,661 |
|
I, mА |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
|
|
обратная ветвь |
||||||||||
|
U, В |
1,2 |
1,3 |
1,5 |
2 |
2,1 |
2,2 |
2,3 |
2,4 |
2,5 |
2,97 |
|
|
I, mА |
0,13 |
0,16 |
0,243 |
0,814 |
1,08 |
1,41 |
1,83 |
2,38 |
3,09 |
9,3 |
|
Прямое статическое сопротивление плоскостного диода.
В точке максимального тока:
На пологом участке характеристики:
Обратное статическое сопротивление плоскостного диода.
КОм
Дифференциальное сопротивление плоскостного диода.
На восходящем участке:
Ом
На пологом участке:
Ом
Прямое статическое сопротивление точечного диода.
В точке максимального тока:
Ом
На пологом участке характеристики:
Ом
Обратное статическое сопротивление точечного диода.
КОм
Дифференциальное сопротивление точечного диода.
На восходящем участке характеристики:
На пологом участке характеристики:
Дифференциальное сопротивление кремниевого стабилитрона.
На восходящем участке характеристики
прямой ветви:
Ом
На пологом участке характеристики
прямой ветви:
Ом
Вывод: плоскостной диод изготовлен из кремния, а точечный из германия, следовательно, открывающее напряжение у плоскостного диода больше чем у точечного, что ясно видно из графика. Стабилитрон отличается от плоскостного и точечного диодов тем, что его рабочим участком является обратная ветвь в области пробоя. Напряжение пробоя является напряжением стабилизации. Поэтому стабилитроны и используются для стабилизации переменного напряжения и для ограничения напряжения.