Лабораторные работы / Транзисторы(моё)

ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Автоматики и Телемеханики

Лабораторная работа №2.

Исследование транзисторов.

Выполнил:

Студент группы АТ-03-2

**********

Проверил:

Преподаватель каф. АТ

Андреев Г.Е.

Пермь, 2004

Цель работы:

Получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем с ОЭ и ОБ. Нахождение по входным и выходным характеристикам малосигнальных параметров транзистора.

Инструментарий:

На стойке: измерительный прибор вольтметр В-22; источник питания.

Лабораторный стенд для изучения транзисторов, транзистор МП26Б или аналогичный, соединительные провода.

I_k=F(U_к-э)/I_б=const.

Uк-э, В	Ik, мА
	Iб=0	Iб=0,05	Iб=0,1	Iб=0,15	Iб=0,2
0	0,7610-3	6,3210-3	6,5110-3	6,4810-3	6,7710-3
0,5	16,0310-3	1,9	3,428	5,99	7,14
2	16,7210-3	2,073	4,16	6,41	7,75
4	17,4810-3	2,23	4,50	6,98	8,33
6	18,1210-3	2,374	4,80	7,46	8,90
8	18,7410-3	2,5	5,20	7,95	9,47
10	19,2210-3	2,64	5,5	8,44	10,08

I_б=F(U_б-э)/I_кэ=const.

Uк=0 В		Uк=-5 В
Iб, мА	Uб-э, В	Iб, мА	Uб-э, В
0	0	0	0,0463
0,05	0,079	0,05	0,153
0,1	0,0997	0,1	0,180
0,15	0,113	0,15	0,197
0,2	0,124	0,2	0,210

I_k=F(U_к-э)/I_б=const.

Uк-б, В	Ik, мА
	Iэ=0	Iэ=2	Iэ=4	Iэ=6	Iэ=8	Iэ=10
0	1,410-3	177,3610-3	1,819	5,693	7,438	9,134
0,5	9,710-3	2,1038	3,909	5,941	7,800	9,787
2	9,9610-3	2,1088	3,9428	5,954	7,842	9,815
4	10,2210-3	2,1150	3,9520	5,961	7,865	9,835
6	10,3910-3	2,1147	3,9531	5,973	7,882	9,853
8	10,5610-3	2,1192	3,9573	5,983	7,896	9,873
10	10,7010-3	2,1235	3,9640	5,993	7,910	9,891

I_э=F(U_э-б)/Iк_б=const.

Uкб=0 В		Uкб=-5 В
Iэ, мА	Uэ-б, В	Iэ, мА	Uэ-б, В
0	0,002	0	0,0179
2	0,252	2	0,1462
4	0,3140	4	0,1721
6	0,3576	6	0,1883
8	0,3886	8	0,2004
10	0,4169	10	0,2198

H-параметры:

Схема общий эмиттер:

UK=5 B

IБ= 0,15 мA

UK=4 B

IБ=0,1 мA

Схема общая база:

UK=5 B

IЭ=8 мA

UK=4 B

IЭ=6 мA

Вывод:

В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор МП26Б со схемами включения ОЭ и ОБ.

Данный транзистор является германиевым, сплавным, с p-n-p – переходом, универсальным, низкочастотным, маломощным.

Транзисторы предназначены для усиления и переключения НЧ сигналов. В данной работе он используется для усиления НЧ сигналов.

1) Схема с ОБ имеет лучшие частотные свойства. Характеристики ОБ меньше зависят от температуры. Существует недостаток - малое входное сопротивление, большой входной ток.

2) Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем параметрам, но очень плохие частотные свойства, характеристики и параметры очень сильно зависят от температуры.