Элементы физического синтеза.

Выбор типа микросхем, на этапе физического синтеза осуществляют соблюдая требования предъявляемые к ДУ, и отдельно к интегральной микросхеме. В свою очередь электрические параметры микросхемы установлены рядом Государственных стандартов Российской Федерации: ГОСТ 19480-74; ГОСТ 18683-73; ГОСТ 19799-74; ГОСТ 22565-77.

Для физического синтеза разрабатываемого ДУ мною была выбрана серия микросхем К155. Это наиболее популярная в нашей стране серия микросхем. Она содержит широкий выбор логических элементов. Основной логической схемой серии является схема И-НЕ, она представлена микросхемами с различным числом секций и количествами входов.

Серия К155 базируется на транзисторно-транзисторном типе логики. После разработки многоэмитерного транзистора был выпущен широкий ряд серий интегральных схем ТТЛ. Многоэмитерный транзистор представляет собой интегральный элемент, объединяющий преимущества диодных логических схем и транзисторного усилителя. Это остроумное схемное решение и породило новый класс двухступенчатой логики ТТЛ, пришедшей на замену Диодно-Транзисторной логике (ДТЛ). Благодаря МЭТ можно получить большой коэффициент объединения по входу, без особых технологических затрат. В обыкновенном микротранзисторе можно сделать сколько угодно эмиттеров, их число и определит количество входов, а на стоимость микросхемы это практически не повлияет. Это важно т.к. для физического синтеза моего замка понадобятся 4^х и 5^и- входовые элементы И-НЕ.

Повторяя структуру диодно-транзисторных ИС, транзисторно-транзисторные схемы значительно увеличить быстродействие (_ср=3-10нс), повысить уровень помехозащищенности (U_п 0,7В), снизить потребляемую мощность (по сравнению ДТЛ-ИС), а также увеличить функциональную сложность интегральной схемы. Коэффициент объединения по входам И m_И12-14, а коэффициент объединения по входам ИЛИ m_ИЛИ=8-10. Выходные усилители ТТЛ-схем обеспечивают высокую нагрузочную способность базовой схемы (n_э10) при значительных нагрузочных емкостях (C_н 100 пФ).Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации в диапазоне температур –45…+70 С.

1.Максимальное напряжение источника питания 6 В

2.Минимальное напряжение на входе микросхемы 0.4 В

3.Максимальное напряжение на входе микросхемы и между эмиттером -5.5 В

4.Минимальное напряжение на выходе микросхемы -0.3 В

5.Максимальное напряжение на выходе закрытой микросхемы 5.25 В

6.Максимальный входной вытекающий ток, при котором напряжение блокировки антизвонных диодов не менее -1.5 В -10 мА

В соответствии с функциональной схемой кодового замка я выбрал:

К155ЛА1 - логический элемент 2 “И-НЕ

К155ЛА3 - логический элемент 4 “И-НЕ

К155ТВ1 – JK триггер с логикой 3И на входе

Список литературы

1) Т.И. Коган. "Дискретные устройства (Автоматы). Конспект лекций" ч. I, II. ПВВКИУ 1985г.

2) Б.М. Гуревич. "Справочник по электронике для молодого рабочего". Высшая Школа 1987г.

3