Заключение

Резистор

диапазон сопротивлений

номинальная мощность, Вт

б10^-6,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

К_R

Км

Кстаб

С2-29В

Постоянный непроволочный

(прецизионный)

<1кОм

0.125

0.04

0.45

1

1

1

–

0.05

0.0009

1кОм<100кОм

0.125

0.04

0.45

1

1

0.7

–

0.05

0.0006

100кОм<1МОм

0.125

0.04

0.45

1

1

2.0

–

0.05

0.0018

1МОм

0.125

0.04

0.45

1

1

0.6

–

0.1

0.0005

С2-33

Постоянный непроволочный

(металлодиэлектрический)

<1кОм

0.25

0.04

0.45

1

1

1

0.7

1.0

0.0126

0.5

0.04

0.45

1

1

1

0.7

1.0

0.0126

1.0

0.04

0.45

1

1

1

1.5

1.0

0.0270

1кОм<100кОм

0.25

0.04

0.45

1

1

0.7

0.7

1.0

0.0088

0.5

0.04

0.45

1

1

0.7

0.7

1.0

0.0088

1.0

0.04

0.45

1

1

0.7

1.5

1.0

0.0189

2.0

0.04

0.45

1

1

0.7

1.5

1.0

0.0189

100кОм<1МОм

0.25

0.04

0.45

1

1

2.0

0.7

1.0

0.0252

1МОм

0.25

0.04

0.45

1

1

0.6

0.7

1.0

0.0076

С5-35В-25

Постоянный проволочный

(нагрузочный)

1кОм

–

0.045

0.21

1

1

1.3

–

–

0.0123

С5-61

Постоянный проволочный

1кОм

–

Б.с.г.

0.02

0.21

1

1

1.3

–

–

0.0055

СП5-16ВА

Переменный проволочный

(подстроечный)

0.24 Ом

0.25

0.003

0.46

1

1

1.9

–

–

0.0026

6.8 кОм

0.25

0.003

0.46

1

1

0.3

–

–

0.0004

Б19К-1-1

Сборка резисторная

–

0.02

0.47

1

1

–

–

–

0.0094

Б19К-2

Сборка резисторная

–

0.02

0.47

1

1

–

–

–

0.0094

Конденсатор

Емкость, nф

Uном,

В

б10^-6,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

К_С

Кпс

А_проб

А_обрыв

э10⁶, ч^-1

К 10-17 керамический, постоянной емкости

180

<1600

0.025

0.18

1

1

0.745

–

39/2

0.0034

300

<1600

0.025

0.18

1

1

0.790

–

39/2

0.0036

5600

<1600

0.025

0.18

1

1

1.127

–

39/2

0.0051

10⁴

<1600

0.025

0.18

1

1

1.208

–

39/2

0.0054

1.5 10⁴

<1600

0.025

0.18

1

1

1.268

–

39/2

0.0057

10⁵

<1600

0.025

0.18

1

1

1.592

–

39/2

0.0072

К 10-23 керамический, постоянной емкости

6.8 10⁵

<1600

Б.с.г.

0.008

0.18

1

1

2.004

–

39/2

0.0029

К 10-47А керамический, постоянной емкости

4.7 10⁴

<1600

0.02

0.18

1

1

1.454

–

39/2

0.0052

1.5 10⁵

<1600

0.02

0.18

1

1

1.672

–

39/2

0.0060

3.3 10⁵

<1600

0.02

0.18

1

1

1.817

–

39/2

0.0065

4.7 10⁵

<1600

0.02

0.18

1

1

1.917

–

39/2

0.0069

1.5 10⁶

<1600

0.02

0.18

1

1

2.186

–

39/2

0.0079

Конденсатор

емкость, мкф

U_ном,

В

T^о_раб,С

б10^-6,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

К_С

Кпс

А_проб

А_обрыв

К 50-24 оксидноэлектролит.

10³

16

–

0.3

0.38

1

1

1.0

–

–

0.1140

К 50-27 оксидноэлектролит.

10³

160

–

0.4

0.38

1

1

1.0

–

–

0.1520

10³

350

–

0.4

0.38

1

1

1.0

–

–

0.1520

К 50-38

оксидноэлектролит.

10³

(470)

16

–

0.12

0.38

1

1

1.0

–

–

0.0456

10³

(2200)

16

–

0.12

0.38

1

1

1.0

–

–

0.0456

К 53-18 оксиднополупровод.

2.2

32

125

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

6.8

32

125

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

33

32

125

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

10

40

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

К 71-7 с органическим синтетическим диэлектриком.

0.01

250

0.06

0.15

1

1

0.8

–

69/6

0.0072

К 73-16 с органическим синтетическим диэлектриком.

1.0

160

0.02

0.15

1

1

1.0

–

69/6

0.0030

6.8

160

0.02

0.15

1

1

1.064

–

69/6

0.0032

1.0

400

0.02

0.15

1

1

1.0

–

69/6

0.0030

Б 18-1-В

Сборка конденсаторная

_э=_э^табл (Кр (45^оС)/ Кр(25^оС))=0.0252( 0.11/0.05 ) [ 1. Стр 278 ]

0.0554

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

э10⁶, ч^-1

Полупроводник

подгруппа

U_раб,

В

режим работы

б10⁶,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

К_ф

Кs1

Кдн

2Д206А диод

Кремниев

S₁<

60%

выпрямитель

0.06

0.0958

1

1

1.5

0.7

1.0

0.0060

2Д212А диод

Кремниев

переключатель

0.28

0.0958

1

1

0.6

0.7

0.6

0.0068

2Д213А диод

Кремниев

переключатель

0.19

0.0958

1

1

0.6

0.7

1.0

0.0076

КД226В диод

Кремниев

(импул)

27

переключатель

0.09

0.0948

1

1

0.6

0.7

0.8

0.0029

2Д510А диод

Кремниев

(импул)

Переключатель

Аналог.

выпрямитель

0.016

0.0958

1

1

0.6

0.7

0.6

0.0004

1.0

0.0006

1.5

0.0010

2С108А стабилитрон

0.003

0.2899

1

1

–

–

–

0.0009

2С133В стабилитрон

0.012

0.2899

1

1

–

–

–

0.0035

2С175Ж стабилитрон

0.0032

0.2899

1

1

–

–

–

0.0009

2С527А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

–

–

–

0.0008

2С530А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

–

–

–

0.0008

2С551А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

–

–

–

0.0008

Д818Г стабилитрон

0.0019

0.2899

1

1

–

–

–

0.0006

2Т504А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.0

0.0032

Продолжение табл.2

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

э10⁶, ч^-1

Полупроводник

подгруппа

U_раб,

В

режим работы

б10⁶,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

К_ф

Кs1

Кдн

2Т505А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

0.8

0.0026

2Т630А транзистор

Биполярный кремниев

Аналог.

0.17

0.1902

1

1

1.5

0.5

0.5

0.0122

2Т653А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

0.8

0.0026

2Т827А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

2.5

0.0080

2Т834А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

2.5

0.0080

2Т842А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.3

0.0042

2Т862Г транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.3

0.0042

2Т3117А транзистор

Биполярный кремниев (свч)

переключатель

0.074

0.3129

1

1

0.7

0.5

0.5

0.0040

2ТС622А сборка транзистор

кремниев

переключатель

0.2

0.1902

1

1

0.7

0.5

5.0

0.0666

КИП МО1Б светодиод

импульс

0.1

0.272

1

1

–

–

–

0.0272

3Л341Г индикатор

Без встроенного управления

Непрер.

0.05

0.566

1

1

–

–

–

0.0283

3Л341К индикатор

Непрер.

0.05

0.43

1

1

–

–

–

0.0215

ТЛО-1-16 оптопара

Аналог (АЛ107А,Б)

Непрер.

0.1

0.471

1

1

–

–

–

0.0471

3ОТ 127А оптопара

транзисторный

Непрер.

0.23

0.54

1

1

–

–

–

0.1242

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

э10⁶, ч^-1

Микросхема

группа

кол.

элемен.

технология изготовления

б10⁶,

ч^-1

Кст

Кэ

Кпр

К_корп

Кv

Кис

140УД6А

Аналогов.

45

–

0.029

1.59

1

1

1

–

–

0.0461

142ЕН5А

Аналогов.

39

–

Б.с.г.

0.023

1.59

1

1

1

–

1

0.0366

249ЛП1Б

Опто-электр.

Перекл. логич. сигналов

–

0.15

–

1

1

–

–

–

0.1500

521СА3

Аналогов.

51

–

Б.с.г.

0.023

1.59

1

1

1

–

1

0.0366

542НД5

Аналогов.

4

–

0.036

0.95

1

1

1

–

1

0.0342

Продолжение табл. 3

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

э10⁶, ч^-1

Микросхема

группа

кол.

элемен.

технология изготовления

б10⁶,

ч^-1

Кст

Кэ

Кпр

К_корп

Кv

Кис

564АГ1

Цифров.

170

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.52

1

1

1

1

1

0.0258

564ИЕ11

Цифров.

319

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.52

1

1

1

1

1

0.0258

564КП1

Цифров.

158

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.52

1

1

1

1

1

0.0258

564КП2

Цифров.

188

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.52

1

1

1

1

1

0.0258

564КТ3

Цифров.

52

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.21

1

1

1

1

1

0.0206

564ЛА7

Цифров.

64

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.21

1

1

1

1

1

0.0206

564ЛА10

Цифров.

30

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.21

1

1

1

1

1

0.0206

564ЛЕ5

Цифров.

49

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.21

1

1

1

1

1

0.0206

564ЛН2

Цифров.

19

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.21

1

1

1

1

1

0.0206

564ПУ4

Цифров.

104

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.52

1

1

1

1

-

0.3496

564ТЛ1

Цифров.

88

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.21

1

1

1

1

1

0.0206

564ТМ2

Цифров.

128

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

1.52

1

1

1

1

1

0.0258

588ВА1

Цифров.

1040

КМОП-технол

Б.с.г.

0.017

Ксл. 2.73

1

1

1

1

1

0.0464

КР588ВА1

Цифров.

1500

КМОП-технол

0.21

1.6

1

1

–

–

–

0.3600

590КН5

Аналогов.

104

–

0.038

2.23

1

1

1

–

–

0.0847

590КН6

Аналогов.

230

–

0.038

2.23

1

1

1

–

–

0.0847

1401СА1

Аналогов.

57

–

Б.с.г. 0.023

1.59

1

1

1

–

1

0.0366

Трансформатор

б10⁶,

ч^-1

Кт

Кэ

Кпр

ТПП

Tmax=85^oC,t_п^ту55^оС,низковольтный

0.001

1.38

1

1

0.0014

8Т4.720.050

Статический преобразователь

э=э^табл (Кт(45^оС))/(Кт(25^оС)) = 0.0131.38/1.12

0.0160

8Т4.720.051

Статический преобразователь

э=э^табл (Кт(45^оС))/(Кт(25^оС)) = 0.0131.38/1.12

0.0160

8Т4.720.065

Статический преобразователь

э=э^табл (Кт(45^оС))/(Кт(25^оС)) = 0.0131.38/1.12

0.0160

Установочное изделие

ВП1-1В

Предохранитель (вставка)

0.013

2.23

1

1

0.0290

Коммутационный низковольтный аппарат

колич.

контактов

tmax^ТУ,

^оС

тип нагрузки

б10⁶,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

Кз

К_F

–

РЭС 47 слаботочный

2п

+85

индуктивная

0.0153

0.42

1

1

0.94

0.1

–

0.0006

РЭС 80 слаботочный

2п

+100

активн.

0.0280

0.26

1

1

0.94

0.1

–

0.0007

РЭН 33 средней мощности

2п

+85

индуктивная

0.092

0.42

1

1

0.94

0.1

–

0.0036

РЭН 34 средней мощности

2п

+85

индуктивная

0.092

0.42

1

1

0.94

0.1

–

0.0036

Дроссель

б10⁶,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

D13-2B (3B)

Дроссель фильтров

0.0016

0.47

1

1

0.0008

D69-0.005

Дроссель фильтров

Б.с.г. 0.0016

0.47

1

1

0.0008

8Т4.779.053

Дроссель фильтров

0.002

0.47

1

1

0.0009

Коммутационное изделие

б(10⁶,ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

Ккк

К_F

–

BDM1-2 (2 полюса)

Микровыключатель движковый; fвкл<10²

0.23

0.55

1

1

1

0.5

–

0.0632

КЭМ-2 (бесконтактный)

Магнитоуправляемый контакт; замыкающий тип

0.00036

0.24

1

1

–

0.5

–

0.0001

Газоразрядный прибор

_х.с.г..10⁶,ч^-1

Кэ

Кпр

Р-91 (разрядник)

Нерезонансный, неуправляемый

0.015

1

1

0.0150

Низкочастотный соединитель

Tп,

^оС

n

N

контактов

Хар-ка элемента

б10⁶,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

Ккк

Ккс

–

2РМДТ27Б19Г5В

+50

1-25

16

Для кабеля 8Т6.644.935

0.0012

0.29

1

1

3.42

0.32

–

0.0004

СНП 58-64/95

+30

1-25

4

Для печатн. монтажа

0.00112

0.88

1

1

1.72

0.32

–

0.0005

АП.008

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.4532

ТЛ.001

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.3535

ТЛ.002

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.3794

УН.005

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.8574

Микросхема

группа

кол. элементов

техология изготовл.

б.с.г.10⁶,

ч^-1

Кст

Кэ

Кпр

Ккорп

Кv

Кис

АП.008

ТЛ.001

ТЛ.002

УН.005

740УД1

Аналог.

30

–

0.023

1.79

1

1

1

–

1

0.0412

–

–

2

–

740УД4

Аналог.

45

–

0.023

1.79

1

1

1

–

1

0.0412

2

–

–

3

765ИЕ10

Цифров.

354

КМОП

0.017

1.68

1

1

1

1

1

0.0286

1

–

–

–

765ИЕ11

Цифров.

1100

КМОП

0.017

3.03

1

1

1

1

1

0.0515

1

–

–

–

765ЛА7

Цифров.

64

КМОП

0.017

1.35

1

1

1

1

1

0.0230

1

–

–

–

765ЛН2

Цифров.

19

КМОП

0.017

1.35

1

1

1

1

1

0.0230

1

–

–

–

Полупроводник

Сигнал

Нагрузка,

%

Хар-ка.

б(б.с.г.)10⁶,ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

Кф

К_S1

–

э10⁶, ч^-1

2Д907Б диодная матрица

Аналог.

60

Импульс.

0.19

0.0795

1

1

1

0.7

–

0.0151

–

1

–

–

0.1048

0.0139

–

–

4

–

2С164М стабилитрон

–

–

–

0.003

0.4355

1

1

–

–

–

0.0013

1

–

–

–

0.3557

–

–

0.0011

–

1

–

–

2П308Г-1

аналог

70

Транзист. полев.

0.096

0.1705

1

1

1.5

1

–

0.0246

–

–

2

–

2Т324Б-1

Аналог. Переключ

40

СВЧ

0.16

0.1705

1

1

0.7

0.5

–

0.0095

–

1

–

–

0.3211

0.0180

2

–

–

–

2Т378Б-1

Аналог. Переключ

30

–

0.026

0.1705

1

1

0.7

0.5

–

0.0016

–

1

4

6

0.2007

0.0018

1

–

–

–

2Т388АМ-2

Аналог. Переключ

30

–

0.032

0.1705

1

1

0.7

0.5

–

0.0019

–

2

2

–

1.5

0.0041

–

–

–

6

2Т625АМ-2

Аналог.

30

Биполярный

0.038

0.1705

1

1

1.5

0.5

–

0.0048

–

–

–

3

2Т629АМ-2

Аналог.

30

Биполярный

0.023

0.1705

1

1

1.5

0.5

–

0.0029

–

–

–

3

2ТС393Б

Сборка транзист

СВЧ

(анал.)

0.018

0.1705

1

1

1.5

0.5

–

0.0023

–

1

–

–

2ТС398Б

Сборка транзист

СВЧ

(анал.)

0.064

0.1705

1

1

1.5

0.5

–

0.0082

–

2

–

–

2ТС370Б

Сборка транзист

Б.с.г.

0.045

0.1705

1

1

1.5

0.5

–

0.0058

–

2

–

–

Конденсатор

емкость, пф

Uном,

В

б.с.г.10⁶,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

Кс

К_пс

1. Апроб

А_обрыв

э10⁶, ч^-1

АП.008

ТЛ.001

ТЛ.002

УН.005

К10-17В

10-10²

0.025

0.59

1

1

0.624

–

39/2

0.0034

–

–

–

3

10²-10³

0.025

0.08

1

1

0.837

–

39/2

0.0170

–

–

–

3

10³-10⁴

0.025

0.59

1

1

1.208

–

39/2

0.0178

–

–

2

–

0.08

0.0024

–

–

–

9

К10-47В

10⁴-10⁵

50

0.020

0.52

1

1

1.454

–

39/2

0.0064

1

–

–

–

10⁵-10⁶

50

0.020

0.08

1

1

1.672

–

39/2

0.0027

–

1

–

3

К10-50В

10³-10⁴

0.04

0.22

1

1

1.000

–

39/2

0.0088

–

1

–

–

10⁴-10⁵

0.04

0.22

1

1

1.392

–

39/2

0.0122

2

–

–

9

Резистор

б.с.г.10⁶,

ч^-1

Кр

Кэ

Кпр

э10⁶, ч^-1

АП.008

ТЛ.001

ТЛ.002

УН.005

По типу Б19

–

0.02

0.61

1

1

0.0122

13

23

12

39

Плата 5066 (ЦП)

–

–

6.2

UN10 96-5

–

–

10.0

Плата 5300

–

–

0.8879

Плата 5600

–

–

0.674

Блок питания ZX200

–

–

2.2

Блок питания ZX550

–

–

2.5

Блок питания 5124

–

–

0.8333

Конвертер ADAM4520

–

–

16.9

Преобразователи Gray Hill (типа 73 GITCK, 73GOI420, 70GIDC, 70GODC и т.п.)

–

–

4.0

Кабели VTC-9F, VTC-9M

–

–

4.5

Тактовая кнопка типа SWT

–

–

1.65

Микросхема MAX 232 EPE

H559ИП11(цифровая)

Количество элементов – 353,

б.с.г.=0.017 10^-6 ч^-1;Кст=1.52; Кi=1

0.0258

Микросхема MAX 951 EPА

521СА3 (аналоговая)

Данные по расчету приведены в табл.1 (Приложение 1)

0.0366

Микросхема MAX 1480А

Аналоговая (среднегрупповая)

Для аналоговых М/схем

э^табл.=0.023 10^-6 ч^-1(при tокр.ср.=+30^оС)

Для tокр.ср.=+45^оС:

э =э^табл Кст(+45^оС).=0.023 Кст(+35^оС)

10^-6 1.59 = 0.0324 10^-6

1.13

0.0324

Микросхема MAX 1490 BEPG

Аналоговая (среднегрупповая)

Для аналоговых М/схем

э^табл.=0.023 10^-6 ч^-1(при tокр.ср.=+30^оС)

Для tокр.ср.=+45^оС:

э =э^табл Кст(+45^оС).=0.023 Кст(+30^оС)

10^-6 1.59 = 0.0324 10^-6

1.13

0.0324

Микросхема SI 9434 DY

590КН5 (аналоговая)

Данные по расчету приведены в таблице 1 (Приложения 1)

0.0847

Микросхема АТ89С2051-24PI

1806ВМ2(микропроцессор)

Количество элементов – 134636,

б.с.г.=0.017 10^-6 ч^-1;Кст=13.65; Ккорп=1; Кv=1; Кис=1; Кэ=1; Кпр=1

0.2320

Резонатор кварцевый 11059 кГц

РК319(4-20 МГц)

б=0.02 10^-6 ч^-1;Кт=1.64; Кэ=1; Кпр=1

0.0328

Резонатор кварцевый 24.0 МГц

РК32(18-30 МГц)

б=0.034 10^-6 ч^-1;Кт=1.47; Кэ=1; Кпр=1

0.05

Оптопреобразователь DEK-OE-24DC

30Т127А, три 2D213A, один светодиод КИПМО1Б

Из таблицы 1 (Приложения 1):

э_{”ЗОТ127А”}=0.1242 10^-6 ч^-1;

э_{”КИПМО1Б”}=0.0272 10^-6 ч^-1;

э_”2D213A”=0.0076 10^-6 ч^-1

0.18

Оптопреобразователь DEK-OE-230АC

30Т127А, три 2D213A, один светодиод КИПМО1Б,

один резистор, один конденсатор

Из таблицы 1 (Приложения 1):

э_{”ЗОТ127А”}=0.1242 10^-6 ч^-1;

э_{”КИПМО1Б”}=0.0272 10^-6 ч^-1;

э_”2D213A”=0.0076 10^-6 ч^-1;

э_{”резистор”}=0.003 10^-6 ч^-1;

э_{”конденсатор”}=0.006 10^-6 ч^-1;

0.19

Оптопреобразователь EMG 17-OV-5DC

-

Полагаем:

э_”EMG”э_{”DEK-OE-24DC»}

0.18

Реле WAGO (типа 286-571, 286-386)

РЭС 80 (два переключающих контакта)

Из таблицы 1 (Приложения 1):

э =0.0007 10^-6 ч^-1;

0.0007

Вставка плавкая SI FORMC

Предохранитель VIOK-15; UK5-HESI; UK-6FSI

ВП-1 или ВП-6

б_”ВП-6”=0.03 10^-6 ч^-1;Кт=2.23; Кэ=1; Кпр=1

0.067

Чип-конденсатор CO 603 NPO-16B

К10-17…К10-60 (керамические)

б =0.02 10^-6 ч^-1;Кр=0.18; Кэ=1; Кпр=1

Кс=1.2 (6.8нф)

0.0043

Кс=1.6 (22нф; 33нф; 100нф)

0.0058

Кс=2.1 (150нф)

0.0076

Чип-конденсатор танталовый

К52 (объемно пористый танталовый)

б =0.125 10^-6 ч^-1;Кр=0.18; Кэ=1; Кпр=1

Кс=0.5 (1мкф)

0.0112

Кс=0.6 (2мкф)

0.0135

Кс=0.9 (22мкф)

0.0202

Кс=1.3 (68нф)

0.0292

Чип-резистор R/C 1206-0,125

Постоянный непроволочный (среднегрупповой)

б.с.г. =0.04 10^-6 ч^-1;Кр=0.45; Км=0.7; Кэ=1;

Кпр=1; Кстаб=1

К_R=1.0 (R<1кОм)

0.0158

К_R=0.7 (R1кОм<100кОм)

0.0110

К_R=2.0 (R100кОм<1МОм)

0.0315

Штеккер ST-K4, ST-BE

СР-50 (соединитель радиочастотный)

б.с.г. =0.012 10^-6 ч^-1; tраб=tо.с.+5^оС; Кт=1.6; Кэ=1; Кпр=1;

Ккк=1.36 (2 контакта); Ккс=0.32 (n=1-25)

0.0084

Источник бесперебойного питания UPS ( составные части UPS: химический источник тока, транзисторные ключи, трансформатор статических преобразователей, выпрямительные диоды)

Отечественные аналоги составных частей UPS:

1. химический источник тока – щелочной аккумулятор типа НКГК-3С;

2. переключающие транзисторы типа 2Т834А (2шт.);

3. трансформатор статических преобразователей типа ТПр13;

4. выпрямительные диоды типа 2D213A (2шт).

1. э_{”НКГК-3С”}=1.9 10^-6 ч^-1 [1,т.Ш];

2. данные по расчету э транзистора 2Т834А приведены в табл.1 Приложения 1:

э =2э_{”2Т834А”}=20.008010^-6 ч^-1;

3. математическая модель для расчета э трансформаторов:

э =б Кт Кэ Кпр, где

б= 0.06 10^-6 ч^-1;Кэ=1; Кпр=1; для определения Кт найдена температура перегрева tп=18.49^оС, соответствующая коэффициенту нагрузки Кн=0.4 и tп^ТУ=50^оС,и найдена температура максимально нагретой точки обмотки tм=tокр.ср.+tп=63.5^оС.

Отсюда Кт= 3.65

(для tокр.ср.^ТУ=85^оС);

э =0.0610^-6 3.6511=0.219 10^-6 ч^-1;

4)данные по расчету э диода 2D213А приведены в табл.1 Приложения 1:

э =2 э_”2D213А»= 2 0.0076 10^-6 =

= 0.0152 10^-6 ч^-1

2.1502

_аналога =  i= 1.9 10^-6 + +0.0160 10^-6+ 0.219 10^-6 + +0.0152 10^-6= 2.1502 10^-6 ч^-1

Низкочастотные соединители:

а) типа IDS, MSTB, MOLEX и т.д.;

б) типа DB9F/

a) низкочастотный соединитель для печатного монтажа типа CHП 58;

а) математическая модель для расчета э соединителей:

э =б Кр Ккк Ккс Кэ Кпр, где

б= 0.00112 10^-6 ч^-1;Кэ=1; Кпр=1; коэффициент, зависящий от сочленений-расчленений, Ккс=0.32 (для реального применения в диапазоне n=1-25);

коэффициент режима выбран равным Кр=0.88 (для температуры перегрева контактов tп30^оС); значение Ккк зависит от количества задействованных контактов (см.ниже):

а) 0.00049-0.00161 ( в зависимости от значения Ккк);

б) 0.00069-0.00073 ( в зависимости от значения Ккк)

Кол-во контактов

Ккк

3

4

6

8

10

12

15

16

18

19

20

21

23

24

27

1.55

1.72

2.02

2.3

2.58

2.86

3.28

3.42

3.71

3.86

4.00

4.16

4.47

4.62

5.11

б) Математическая модель прежняя:

б=0.00106 10^-6 ч^-1;Кпр=1; Кэ=1; Ккс=0.32; Кр=0.88; Ккк=2.3 (для 8 контактов) и Ккк=2.44 (для 9 контактов)

Кабель “3107 Belden»

–

–

0.45

Сетевой фильтр PILOT

Электрический шнур связи типа ШМП ЭВ

Математическая модель для расчета э:

э =б Кt L Кэ, где

б= 0.072 10^-6 ч^-1;Кэ=1; зависимостью э от длины L пренебрегаем, т.к. L<3м; коэффициент Кt=2.7 (для энергии активации Eа=38 кДж/моль).

0.1944

Наименование платы, блока

Значение э10^-6, ч^-1

ПНВИ (8Т5.104.185)

2.6654

АСВК-98 (8Т5.104.207)

5.2477

UFI (8Т5.104.213-01) (БЗД)

1.4146

БЗД-96-60

25.8608

Ввод (8Т5.104.217) (БЗД)

0.0594

Вывод (8Т5.129.033) (БЗД)

3.2563

УФИ (8Т5.129.034)

0.6789

БУШ-96 (на 6-8 год эксплуатации),

( к окончанию Гос. испытаний)

16.8349

39,4749

АТ (8Т5.104.194) (БУШ)

0.5566

Преобразователь напряжения (8Т5.087.030) (БУШ)

2.2452

БП (8Т3.211.011) (БУШ) (без платы АТ и без преобразователя напряжения)

1.0820

Управление ДВШ и ВИП (8Т5.129.028) (БУШ)

8.9111

Усилитель ДВШ (8Т5.129.029) (БУШ)

3.5331