sty1

+

стокозатворные

-

проходные;

-

выходные, стоковые;

-

амплитудные;

##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

Крутизна для полевого транзистора с p–n переходом определяется (рис.):

Здесь: Smax – максимальная

крутизна при Uз=0, определяется: ;

+

, (мА/В);

-

, (В/мА); ;

-

, (мА/В); ;

-

, (В/мА); ;

##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема включения полевого транзистора с управляемым p-

n переходом:

+

с общим истоком

-

с общим стоком;

-

с общим затвором;с общим затвором

-

с общим эмиттером;

##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема включения полевого транзистора с управляемым p-

n переходом:

+

с общим стоком

-

с общим истоком;

-

с общим затвором;

-

с общим эмиттером;

##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема включения полевого транзистора с управляемым p-

n переходом :

+

с общим затвором

-

с общим стоком;

-

с общим эмиттером;

-

с общим истоком;

##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показан:

+

МДП-транзистор с индуцированным (наведенным) каналом

-

МДП-транзистор со встроенным каналом;

-

полевый транзистор с управляемым p-n переходом с каналом n- типа;

-

полевый транзистор с управляемым p-n переходом с каналом p- типа;

##theme 3 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показан:

+

МДП-транзистор со встроенным каналом

-

МДП-транзистор с индуцированным (наведенным) каналом;

-

полевый транзистор с управляемым p-n переходом с каналом n-типа;

-

полевый транзистор с управляемым p-n переходом с каналом p-типа;

##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана стоко-затворная характеристика:

+

для МДП-транзистора с индуцированным каналом

-

для МДП-транзистора со встроенным каналом;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом n- типа;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом p- типа;

##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана стоковая (выходная) характеристика:

+

для МДП-транзистора с индуцированным каналом

-

для МДП-транзистора со встроенным каналом;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом n- типа;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом p- типа;

##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана стоко-затворная характеристика:

+

для МДП-транзистора со встроенным каналом

-

для МДП-транзистора с индуцированным каналом;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом n- типа;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом p- типа;

##theme 3 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана стоковая (выходная) характеристика:

+

для МДП-транзистора со встроенным каналом

-

для МДП-транзистора с индуцированным каналом;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом n- типа;

-

для полевого транзистора с управляемым p-n переходом с каналом p- типа;

##theme 4 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема питания транзистора:

+

последовательная

-

параллельная;

-

последовательно-параллельная;

-

комбинированная;

##theme 4

##score 1

##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема питания транзистора:

+

параллельная

-

последовательная;

-

последовательно-параллельная;

-

комбинированная;

##theme 4 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема установки смещения транзистора фиксированным:

+

током базы

-

напряжением «база - эмиттер»;

-

током эмиттера;

-

током коллектора;

##theme 4 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

Для схемы установки смещения транзистора фиксированным током базы

(рис.) справедливо утверждение:

+

, т.е. ток базы практически не зависит от параметров транзистора, является фиксированным (определяется только величинами Eип и Rδ1)

-

, т.е. ток базы практически зависит от параметров транзистора, хотя является фиксированным (определяется величинами Eип и Rδ1);

-

; при этом ток базы зависит от параметров транзистора; является фиксированным (определяется только величинами

Eип и Rк);

-

; т.е. ток базы практически не зависит от параметров транзистора, не является фиксированным (определяется величинами Eип и Rк);

##theme 4 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема установки смещения транзистора фиксированным:

+

напряжением «база-эмиттер»

-

током базы;

-

током эмиттера;

-

током коллектора;

##theme 4 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

Для схемы установки смещения транзистора фиксированным напряжением «базыэмиттер» (рис.) справедливо утверждение:

+

смещение фиксировано, и зависит только от величины тока Iдел ;

##theme 4 ##score 2 ##type 1

##time 0:00:00

На рис. показана схема установки смещения транзистора фиксированным:

+

током эмиттера

-

током коллектора;

-

током базы;

-

напряжением Еп1;

##theme 4 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00

На рис. показана схема стабилизации тока коллектора транзистора:

+

эмиттерная

-

коллекторная;

-

комбинированная (коллекторно-эмиттерная);

-

генератор стабильного тока;

##theme 4 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00

Для схемы эмиттерной стабилизации тока коллектора транзистора (рис.)

справедливо утверждение: напряжение смещения:

. При этом:

базы Iбо. Напряжение Uбэ будет при этом стабильным, так как его возможные изменения будут «компенсироваться» соответствующим

изменением Iэо (изменением величины)

-

так как ток Iд >> Iбо, то напряжение зависит от тока базы Iбо. Напряжение Uбэ будет при этом нестабильным, так как его возможные изменения не будут «компенсироваться» соответствующим изменением Iэо

(изменением величины);

-

так как ток , то напряжение зависит от тока базы Iбо. Напряжение Uбэ будет при этом нестабильным, так как его возможные изменения не будут «компенсироваться» соответствующим изменением Iэо

(изменением величины);

-

так как ток , то напряжение практически зависит от тока базы Iбо. Напряжение Uбэ будет при этом нестабильным, так как его возможные изменения не будут «компенсироваться» соответствующим

На рис. показана схема стабилизации тока коллектора транзистора: