sty1
.pdf
##type 1
##time 0:00:00
Амплитудная характеристика усилителя (АХ) — это (рис.)
+
зависимость амплитуды или действующего значения выходного напряжения Uвых от входного синусоидального напряжения Uвх
-
зависимость амплитуды или действующего значения входного синусоидального напряжения Uвх от выходного напряжения Uвых ;
-
зависимость амплитуды или действующего значения выходного напряжения Uвых от входного синусоидального напряжения Uвх и напряжения
синусоидальной помехи ;
-
зависимость амплитуды или действующего значения выходного напряжения Uвых от входного синусоидального напряжения Uвх и напряжения
импульсной помехи ;
##theme 1 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
Динамический диапазон D усилителя — это (рис.)
+
-
;
-
;
-
;
##theme 1 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
При отыскании нестабильности какого-либо показателя γустройства принято использовать понятие параметрической чувствительности. Параметрическая чувствительность – это:
+
-
;
-
;
-
;
##theme 2 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
Вольтамперная характеристика p-n перехода представляется (см. рис.):
Здесь: — обратный ток; |
— тепловой |
потенциал, который при комнатной температуре равен ≈ 26 мВ. |
Т - |
температура (по Кельвину). К — постоянная Больцмана. q — заряд электрона.
+
экспоненциальной зависимостью 
-
логарифмической зависимостью 
;
-
экспоненциальной зависимостью 
;
-
логарифмической зависимостью 
;
##theme 2 ##score 2 ##type 1 ##time 0:00:00
Важный параметр p-n перехода (см. рис.) — дифференциальное
сопротивление rd: |
Здесь: — обратный ток; |
— тепловой потенциал, который при комнатной температуре равен ≈ 26 мВ; К — постоянная Больцмана; q — заряд электрона.
+
. |
При I >> Iобр |
|
- |
|
|
. |
При I >> Iобр |
; |
- |
|
|
. |
При I >> Iобр |
; |
- |
|
|
. |
При I >> Iобр |
; |
##theme 2 |
|
|
##score 2 |
|
|
##type 1 |
|
|
##time 0:00:00 |
|
|
При расчете выпрямителей пользуются параметром — статическим
сопротивлением диода по постоянному току (рис.): 
. Из-за Rст на диоде всегда выделяется тепло и необходимы меры по
сохранению теплового баланса. При этом:
Здесь:
— обратный ток; 
— тепловой потенциал, который при комнатной температуре равен ≈ 26 мВ; К — постоянная Больцмана; q — заряд электрона.
+
при прямом смещении Rст > rd всегда, где rd - дифференциальное
сопротивление:
-
При прямом смещении Rст < |
rd всегда, где rd - дифференциальное |
сопротивление: |
; |
- |
rd всегда, где rd - дифференциальное |
При прямом смещении Rст < |
|
сопротивление: |
; |
- |
|
При прямом смещении Rст > rd всегда, где rd - дифференциальное сопротивление: 
;
##theme 2 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Силовые (выпрямительные) диоды — это :
+
диоды, на ВАХ которых имеется участок со слабой зависимостью напряжения от тока
-
полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор с минимальными потерями в диапазоне рабочих частот; используется свойство p-n перехода изменять свою емкость под действием приложенного напряжения. Основное применение— электронная настройка частоты
колебательного контура;
-
полупроводниковые приборы (двухполюсники), которые могут усиливать сигналы из-за наличия на их ВАХ участка с отрицательным сопротивлением;
-
выпрямительные диоды, предназначенные для преобразования переменного тока промышленной частоты в постоянный ток. Основа такого диода — переход p-n с вентильными свойствами;
##theme 2 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Варикап — это:
+
полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор с минимальными потерями в диапазоне рабочих частот; используется свойство p-n перехода изменять свою емкость под действием приложенного напряжения. Основное применение варикапов — электронная настройка частоты колебательного контура
-
полупроводниковые приборы (двухполюсники), которые могут усиливать сигналы из-за наличия на их ВАХ участка с отрицательным сопротивлением;
-
полупроводниковые приборы (двухполюсники), на ВАХ которых имеется участок со слабой зависимостью напряжения от тока;
-
выпрямительные диоды, предназначенные для преобразования переменного тока промышленной частоты в постоянный ток. Основа такого диода — переход p-n с вентильными свойствами;
##theme 2 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Туннельные диоды — это :
+
полупроводниковые приборы (двухполюсники), которые могут усиливать сигналы из-за наличия на ВАХ участка с отрицательным сопротивлением
-
полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор с минимальными потерями в диапазоне рабочих частот; используется свойство p-n перехода изменять свою емкость под действием приложенного напряжения;
-
полупроводниковые приборы (двухполюсники), на ВАХ которых имеется участок со слабой зависимостью напряжения от тока;
-
выпрямительные диоды, предназначенные для преобразования переменного
тока промышленной частоты в постоянный ток. Основа такого диода — переход p-n с вентильными свойствами;
##theme 2 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Фотодиоды — это:
+
оптоэлектрические приборы с одним p-n переходом с явлением внутреннего фотоэффекта. Интенсивность фотоионизации (фотогенерации) определяется энергией квантов падающего на полупроводник излучения, их потоком и спектром поглощения полупроводника. Характеристиками фотодиода являются интегральная чувствительность и пороговая чувствительность, определяемая минимальным световым сигналом, вызывающим ток в диоде, различимый на фоне собственных шумов
-
излучающий p-n переход, свечение которого вызвано рекомбинацией заряда в высокоомной области диода (базе). Основная характеристика — яркостная (мощностная) характеристика;
-
полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор с минимальными потерями в диапазоне рабочих частот; используется свойство p-n перехода изменять свою емкость под действием приложенного напряжения;
-
полупроводниковый прибор (двухполюсник), который может усиливать сигналы из-за наличия на ВАХ участка с отрицательным сопротивлением;
##theme 2 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Светодиоды — это:
+
излучающий p-n переход, свечение которого вызвано рекомбинацией заряда в высокоомной области диода (базе). Основная характеристика светодиода как источника света — яркостная (мощностная) характеристика
-
фотоэлектрический прибор с одним p-n переходом с явлением внутреннего фотоэффекта. Интенсивность фотоионизации (фотогенерации) определяется энергией квантов падающего на полупроводник излучения, их потоком и спектром поглощения полупроводника;
-
полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор с минимальными потерями в диапазоне рабочих частот; используется свойство p-n перехода изменять свою емкость под действием приложенного напряжения;
-
полупроводниковый прибор (двухполюсник), который может усиливать сигналы из-за наличия на ВАХ участка с отрицательным сопротивлением;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
регулятора напряжения на стабилитроне
-
схема усиления на туннельном диоде;
-
однофазного мостового выпрямителя;
-
логарифматора;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
схема усиления на туннельном диоде
-
однофазного мостового выпрямителя;
-
умножители напряжения;
-
логарифматора;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
однофазного однополупериодного выпрямителя
-
однофазного мостового выпрямителя;
-
умножители напряжения;
-
логарифматора;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
однофазного мостового выпрямителя
-
умножители напряжения;
-
сумматора токов;
-
логарифматора;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
двухстороннего ограничителя
-
умножители напряжения;
-
делителя напряжения;
-
сумматора двух напряжений;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
умножители напряжения
-
получения симметричного выходного напряжения;
-
делителя напряжения;
-
сумматора двух напряжений;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
получения симметричного выходного напряжения
-
умножителя напряжения;
-
делителя напряжения;
-
сумматора двух напряжений;
##theme 2 ##score 3 ##type 1 ##time 0:00:00
На рис. изображена схема:
+
логарифматора
-
сумматора токов;
-
преобразователя сопротивления;
-
умножителя напряжения;
##theme 3 ##score 1 ##type 1 ##time 0:00:00
Биполярный транзистор — это:
+
полупроводниковый элемент с двумя р-n переходами и тремя электродами. Главный отличительный признак: обеспечение его нормальной работы осуществляется за счет носителей зарядов — электронов и дырок — за счет их инжекции
-
полупроводниковый усилительный прибор, в основе работы которого используются подвижные носители зарядов лишь одного типа — либо электроны, либо только дырки. Его отличительная черта — управление осуществляется напряжением, а не током;
-
полупроводниковый элемент, удельное сопротивление которого больше, чем у проводника, но меньше, чем у изолятора (диэлектрика). Основное свойство такого полупроводникового элемента – наличие p-n перехода, который пропускает ток в одном направлении;
-
полупроводниковый прибор (двухполюсник), который может усиливать сигналы из-за наличия на ВАХ участка с отрицательным сопротивлением;