- •Пермь 2006 г.
- •Часть 11. Резисторы ____
- •11.1 Общие сведения
- •11.1.3. Основные электрические параметры и характеристики резисторов
- •11.2. Резисторы постоянные
- •Часть 1. Диоды и тиристоры
- •1.1. Обозначение диодов (по ост 11336.919-81, гост 10862-73)
- •1.2. Замечания по эксплуатации
- •1.3. Технические характеристики диодов
- •5.1.2. Система условных обозначений
- •5.1.3. Параметры конденсаторов
- •7.4.1. Трансформаторы питания типов тан, тпп. Конструкция
- •13.1. Классификация
- •6.2. Микросхемы аналоговые
7.4.1. Трансформаторы питания типов тан, тпп. Конструкция
Трансформаторы ТПП - отличаются низкими напряжениями вторичных обмоток, применяются для питания полупроводниковых приборов-Конструкция: броневыеи стержневые (дйоЛ. 8). Схема рис. 7.11, варианты подключения табл. 7.32.
Эксплуатация: срок службы 10.000 ч.; атмосферное давление - 400-790 мм. рт. с; перегрев обмоток при нормальных условиях - +55 °С; вибрация 5-1000 Гц до 7,5 д, многократные удары - 100 д, линейные нагрузки 25 д, Щ. изоляции 20 МОм.
Классификация
Указания по эксплуатации
Технические характеристики транзисторов
Габаритные чертежи транзисторов
13.1. Классификация
По ОСТ 11336.038-77: 1-й элемент буква (цифра для транзисторов спецприменения) обозначает исходный материал: Г (1) - германий, К (2) - кремний, А (3) - арсенид галлия, 2-й элемент - подкласс: Т -биполярный, П — полевой, 3-й — цифра, определяющая функциональные возможности; 1 — Р рассеяния<1 Вт, f граничная (для биполярных) (f рабочая - для полевых)£30 МГц, 2 - Р£1 Вт, 30<fЈ3OO МГц, 4 - Р<1 Вт, f>300 МГц, 7 -Р>1 Вт, f<30 МГц, 8 - Р>1 Вт, 30<fЈ300 МГц, 9 - Р>1 Вт f>300 МГц. 4-й элемент - трехзначное число - номер разработки, 5-й - буква, условно определяющая классификацию по параметрам. Дополнительные символы: С после 2-го элемента - транзисторная сборка, цифра через дефис после 5-го элемента - бескорпусное исполнение (1-е гибкими выводами без подложки, 2-е гибкими выводами на подложке, 3 — жесткие выводы без подложки, 4 -жесткие выводы на подложке, 5-е контактными площадками без подложки и без выводов (кристалл), 6 - кристалл на подложке. Для транзисторов разработки до 1964 г.: П - биполярный (МП - герметизация холодной сваркой), трехзначное число - номер разработки и класс; 1-99 - германиевые, маломощные, низкочастотные; 101-199 кремниевые, маломощные, низкочастотные; 201-299 германиевые мощные, низкочастотные; 301-399 - кремниевые, мощные, низкочастотные; 401-499 - германиевые, маломощные, высокочастотные; 501-599 - кремниевые, маломощные высокочастотные; 601-699 - германиевые, мощные, высокочастотные; 701-799 - кремниевые, мощные, высокочастотные. Для транзисторов 1964-1977 гг.: Г (1) - германий, К (2) — кремний, Т - биполярный, 3-й элемент -функциональные возможности: 1 - Р£0,3 Вт, fЈ3 Мгц; 2 - Р^О.З Вт, f>30 МГц; 4 - 0,3<Р<1,5 Вт, f<3 МГц; 5 -0,3<Р<1,5 Вт, 3<fЈ30 МГц, 6 - 0,3<Р<1,5 Вт, f>30 МГц, 7 -Р>1,5 Вт, f<3 Мгц; 8 - Р>1,5 В, 3<f<30 МГц;Э-Р>1,5 Вт, f>30 МГц. Последующие элементы обозначения аналогичны современным.
13.2. Указания по эксплуатации
Эксплуатация транзисторов должна осуществляться в соответствии с требованиями ТУ и
РТМ. В справочнике приводятся типовые (усредненные)и предельно допустимые параметры. Превышение предельных параметров не допускается (даже кратковременное) не допускается работа в совмещенных предельных режимах. При работе необходимо учитывать воздействие окружающей среды особенно температуры. Правильный выбор теплового режима увеличивает надежность И стабильность работы. Для увеличения теплового рассеяния надо увеличивать площадь рассеяния путем применения теплоотвода (радиатора). Следует выбирать рабочие режимы с коэффициентами по напряжению и по мощности 0,7—0,8. Вместе с тем работа при малых рабочих токах снижает устойчивость в диапазоне температур, вызывает нестабильность во времени. Нежелательно использование ВЧ транзисторов в НЧ схемах из-за склонности к самовозбуждению и меньшими предельными запасами. Монтаж: расстояние от корпуса до начала изгиба >2 мм, до места пайки 3 мм. При работе с полевыми транзисторами с изолированы затвором необходимо обеспечивать защиту от статического электричества.
13.3. Технические характеристики транзисторов
биполярный п-р-п
Биполяоные: биполярный р-п-р
h2b (h2t3)- статический коэффициент передачи тока (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала по схьме с общим эмиттером); Конас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер; l/кэя max (икэя.и.твх) - максимально допустимое постоянное (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер; U*6o max (U»6o m«x) -постоянное максимальное напряжение коллектор-база (эмиттер-база) при токе эмиттера (коллектора), равном нулю; I* max (1к,и,т«х) - постоянный (импульсный) ток коллектора; 1юо Окэя) Пкэх] обратный ток коллектор-эмиттер при разомкнутом выводе базы (при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер)[при заданном обратном напряжении эмиттер-база]; 1кбо - обратный ток коллектора; fh2t (M - предельная (граничная) частота коэффициента передай тока; Р« mix(Pmax) - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (транзистора); С« - емкость коллекторного перехода, Rin-ofRmJ - тепловое сопротивление переход-среда(корпус) Ттах - максимально допустимая температура (к - корпуса, п - перехода).
Однопереходные:
однопереходной с п-базой
Лавинные: лавинный п-р-п
им,л - напряжение лавинного пробоя.
Двухэмиттерные:
Uotk - падение напряжения на открытом ключе;
Rotk - сопротивление открытого ключа;
эшф - ток закрытого ключа;
иуПр т« - максимально допустимое напряжение управления между коллектором и базой 1 или коллектором Щ
бялпй
Вкй - внешнее сопротивление, включенное между выводами коллектора и оазы; иэ»т« - максимально допустимое напряжение на закрытом ключе между эмиттерами.
с каналом р-типа
Полевые: полевой с каналом п-типа
полевой с изолированным затвором, выводит,
подложки, обогащенный, р-канал
обедненный, п-канал
обогащенный, п-канал, внутреннее
соединение подложки и истока
с двумя изолированными затворами, п-канал
изи отс - напряжение отсечки полевого транзистора; i» ут — ток утечки затвора; tc нач — начальный ток стока; 5 -: крутизна характеристики; иСи max, u>c max, изи max - максимально допустимые напряжения; lc max - максимально' допустимый ток стока; Cnu(Ci2u) - входная (проходная) емкость; Сэи - емкость затвор-исток; Ucn max - максималь но допустимое напряжение сток—подложка.