- •Пермь 2006 г.
- •Часть 11. Резисторы ____
- •11.1 Общие сведения
- •11.1.3. Основные электрические параметры и характеристики резисторов
- •11.2. Резисторы постоянные
- •Часть 1. Диоды и тиристоры
- •1.1. Обозначение диодов (по ост 11336.919-81, гост 10862-73)
- •1.2. Замечания по эксплуатации
- •1.3. Технические характеристики диодов
- •5.1.2. Система условных обозначений
- •5.1.3. Параметры конденсаторов
- •7.4.1. Трансформаторы питания типов тан, тпп. Конструкция
- •13.1. Классификация
- •6.2. Микросхемы аналоговые
1.2. Замечания по эксплуатации
Приведенные в справочнике параметры являются усредненными. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать полупроводниковые приборы (диоды) на уровне 0,5-0,8 предельных значений. Превышение предельных значений при эксплуатации даже кратковременное не допускается. Параметры полупроводниковых приборов резко зависят от температуры окружающей среды. Надежность падает приблизительно в два раза при повышении температуры на каждые 10е С. При работе приборов в условиях повышенных электрических нагрузок и температуры необходимо применять теплоотводы (радиаторы).
■)
1.3. Технические характеристики диодов
Условные обозначения параметров
Общие обозначения:
Unp - постоянное прямое напряжение диода, Unp,и - импульсное прямое напряжение, Uобр - постоянное обратное напряжение, Uобр,и - обратное импульсное напряжение. Unp,cp - среднее прямое напряжение. проб - пробивное напряжение. IПр - постоянный прямой ток, 1Пр,и - импульсный прямой ток, Iпр,ср - средний прямой . ж, Iобр - постоянный обратный ток, Iобр,и — импульсный обратный ток;
РпР - прямая рассеиваемая мощность (рассеиваемая мощность при протекании прямого ток обР - обратная рассеиваемая мощность (при протекании обратного тока). Рср - средняя рассеиваемая мощное к .среднее за период значение мощности рассеиваемой диодом), Ри - импульсная рассеиваемая мощность (наиослыиее мгновенное значение мощности);
fm«x - граничная частота;
tioe обр - время обратного восстановления (время переключения от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения). Tmn - максимальная рабочая температура окружающей среды.
Выпрямительные диоды
Inpr - ток перегрузки при ь (tnpr) длительности импульса (времени перегрузки).
Туннельные диоды
1Лр - пиковый ток туннельного диода (значение прямого тока в точке максимума ВАХ, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю).
Варикапы
Qi - добротность варикапа (отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте, к сопротивлению потери).
Кс - коэффициент перекрытия по емкости варикапа (отношение общих емкостей варикапы при двух задан^^ значениях обратного напряжения. ЩШ
Сверхвысокочастотные диоды
Lnp6 - потери преобразования смесительного диода (отношение мощности СВЧ сигнала на входе к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода).
NM - выходное шумовое отношение СВЧ диода (отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот).
Кстм - коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода.
1вп - выпрямленный ток СВЧ диода (постоянная составляющая в рабочем режиме).
WH - энергия одиночного импульса.
Стабилитроны и стабисторы
Ucr - напряжение стабилизации.
1ст - ток стабилизации.
Лет, Д1ст - технологический разброс напряжения, тока стабилизации.
аст - температурный коэффициент напряжения стабилизации.
Тиристоры
Uoc - постоянное напряжение в открытом состоянии. Uyj - запирающее напряжение управления. Цуот - отпирающее напряжение управления. U»c - предельное значение напряжения на закрытом тиристоре.
1Уд - ток удержания (минимальный ток необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии). 1>с - постоянный ток в закрытом состоянии. 1обр - постоянный анодный ток в непроводящем состоянии. 1ос - постоянный ток в открытом состоянии. 1уот - отпирающий ток управления. lyi - запирающий постоянный ток управления. ' Ькл - время включения, Ьыкл - время выключения. Рос - рассеиваемая мощность в открытом состоянии.
6 ЧАСТЬ 1
ЦИОДЫ И ТИРИСТОРЫ 7
Вакуумные конденсаторы применяются в передающих устройствах ДВ, СВ и KB диапазонов на частотах до 30-80 МГц в качестве контурных, блокировочных, фильтровых и разделительных конденсаторов, используются также в качестве накопителей в импульсных искусственных линиях формирования и различного рода мощных высоковольтных высокочастотных установках.
В зависимости от способа монтажа конденсаторы могут выполняться для печатного и для навесного монтажа, а также для использования в составе микромодулей и микросхем или для сопряжения с ними. Выводы конденсаторов для навесного монтажа могут быть жесткие или мягкие, аксиальные или радиальные из проволоки круглого сечения или ленты, в виде лепестков, с кабельным вводом, в виде проходных шпилек, опорных винтов и т. п. У конденсаторов для микросхем и микромодулей, а также СВЧ конденсаторов в качестве выводов могут использоваться части их поверхности. У большинства типов оксидных, а также проходных и опорных конденсаторов одна их обкладка соединяется с корпусом, который служит вторым выводом.
По характеру защиты от внешних воздействующих факторов конденсаторы выполняются: незащищенными, защищенными, неизолированными, изолированными, уплотненными и герметизированными.
Незащищенные конденсаторы допускают эксплуатацию в условиях повышенной влажности только в составе герметизированной аппаратуры. Защищенные конденсаторы допускают эксплуатацию в аппаратуре любого конструктивного исполнения.
Неизолированные конденсаторы (с покрытием или без покрытия) не допускают касания своим корпусом шасси аппаратуры. Напротив, изолированные конденсаторы имеют достаточно хорошее изоляционное покрытие (компаунды, пластмассы и т. п.) и допускают касания корпусом шасси или токоведущих частей аппаратуры.
Уплотненные конденсаторы имеют уплотненную органическими материалами конструкцию корпуса.
Герметизированные конденсаторы имеют герметичную конструкцию корпуса, который исключает возможность сообщения окружающей среды с его внутренним пространством. Герметизация осуществляется с помощью керамических и металлических корпусов или стеклянных колб.