V.Контакт двух полупроводников.

Граница соприкосновения двух полупроводников с различными n и р – типами проводимости называют p – n переходом. При p – n переходе в результате перемещения электронов из n в р – полупроводник (т.к. А_р > A_n) и дырок в обратном направлении образуется двойной электрический слой (это равносильно подключению батареи Е_к).

прямое напряжение	Приложим к n – p полупроводникам напряжение. Внешнее поле, созданное Евн уменьшит поле контакта Ек, т.е. облегчит передвижение свободных носителей заряда в этой области. Ток будет больше.
обратное напряжение	Внешнее поле, созданное Евн увеличит поле внутри контакта (Е­к) т.е. сопротивление этой области для подвижных носителей заряда становится большим и ток проводимости резко уменьшается.
	Статическая вольтамперная характеристика n – p перехода имеет вид на рисунке. ОА – прямое напряжение ОВ – обратное напряжение ВС – пробой контактного слоя

VI.Применение полупроводников.

1. Полупроводниковые выпрямители (диоды).

Диоды: точечные (точечный контакт кристалла и проводника Ge или Si с металлической проволокой);

плоскостные (контакт путем наплавки на Ge или Si индия).

2. Полупроводниковые усилители – транзисторы (триоды).

3. Термосопротивления (термисторы).

4. Фотосопротивления.

5. Полупроводниковые фотоэлементы.