
- •ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ
- •Тема 1.1. ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ
- •1. Вступ. Мета та завдання предмету.
- •2. Електрони в атомі. Основи зонної теорії твердого тіла.
- •3. Робота виходу електронів
- •4. Види електронної емісії.
- •5. Рух електронів в електричному полі.
- •6. Рух електронів в магнітному полі
- •1. Електронно-променеві трубки (ЕПТ) та їх класифікація
- •2. ЕПТ з електростатичним керуванням
- •3. ЕПТ з магнітним керуванням
- •Тема 1.3. ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НАПІВПРОВІДНИКІВ
- •1. Внутрішня структура напівпровідників
- •2. Власна провідність напівпровідників
- •3. Дрейфовий та дифузійний струми в напівпровідниках
- •4. Температурна залежність провідності напівпровідників.
- •5. Домішкова провідність напівпровідників
- •6. Електропровідність напівпровідників в сильних електричних полях. Ефект Ганна
- •7. Ефект Холла
- •Тема1.4.КОНТАКТНІ ЯВИЩА В НАПІВПРОВІДНИКАХ
- •2. Енергетична діаграма p-n переходу
- •3. Властивості p-n переходу при наявності зовнішньої напруги
- •4. Вольт-амперна характеристика (ВАХ) p-n переходу
- •5. Температурні і частотні властивості p-n переходу
- •6. Контакт метал – напівпровідник. Перехід Шотткі
- •7. Тунельний ефект
- •Тема 1.5.ОПТИЧНІ І ФОТОГАЛЬВАНІЧНІ ЯВИЩА В НАПІВПРОВІДНИКАХ
- •2. Фотогальванічний ефект
- •3. Електромагнітне випромінювання в напівпровідниках. Лазери.
- •Тема 2.1. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ
- •1. Класифікація і умовні позначення напівпровідникових діодів.
- •3. Вольтамперна характеристика і основні параметри напівпровідникових діодів.
- •4. Випрямні діоди
- •5. Стабілітрони
- •9. Високочастотні діоди
- •Тема 2.2.НАПІВПРОВІДНИКОВІ РЕЗИСТОРИ
- •1. Види напівпровідникових резисторів
- •Тема 2.3. БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ
- •1. Класифікація і маркування транзисторів
- •3. Принцип роботи біполярних транзисторів
- •4. Схеми ввімкнення біполярних транзисторів
- •5. Підсилювальні властивості транзисторів та їх еквівалентні схеми
- •6. Статичні характеристики біполярних транзисторів
- •7. Динамічний режим роботи транзисторів
- •8. Транзистор, як активний чотириполюсник. h – параметри транзистора
- •Тема 2.4. ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ
- •1. Загальні відомості
- •2. Будова та принцип роботи польових транзисторів з керуючим p-n переходом
- •3. Польові транзистори з ізольованим затвором
- •4. Польові транзистора для ІМС репрограмуючих постійних запам'ятовуючих пристроїв ( РПЗП ).
- •Тема 2.5 ТИРИСТОРИ
- •1. Будова принципи роботи диністорів
- •2. Триністори
- •3. Спеціальні види тиристорів (симістори, фототиристори, оптронний тиристор).
- •Тема 3.1. КЛАСИФІКАЦІЯ І ОСНОВНІ ТЕХНІЧНІ ПОКАЗНИКИ ПІДСИЛЮВАЧІВ
- •2. Основні технічні параметри підсилювачів.
- •3. Характеристики підсилювачів
- •1. Призначення та структурна схема підсилювача сигналів низької частоти (ПНЧ)
- •2. Кола зміщення підсилювальних каскадів.
- •3. Температурна стабілізація режимів роботи підсилювачів
- •5. Підсилювальні каскади на польових транзисторах.
- •6. Види міжкаскадних зв’язків в підсилювачах
- •7. Еквівалентна схема підсилювального каскаду з резистивно – ємнісними зв’язками
- •Тема 3.3. ВИХІДНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ СИГНАЛІВ НИЗЬКОЇ ЧАСТОТИ
- •1. Прохідна динамічна характеристика транзистора
- •2. Режими роботи підсилювальних каскадів
- •3. Вихідні каскади підсилювачів
- •Тема 3.4: ЗВОРОТНІЙ ЗВ'ЯЗОК В ПІДСИЛЮВАЧАХ
- •2. Вплив зворотного зв’язку на коефіцієнт підсилення і вхідний опір підсилювача.
Розділ 3 ПІДСИЛЮВАЧІ ЕЛЕКТРИЧНИХ СИГНАЛІВ
Тема 3.1. КЛАСИФІКАЦІЯ І ОСНОВНІ ТЕХНІЧНІ ПОКАЗНИКИ ПІДСИЛЮВАЧІВ
План
1.Класифікація підсилювачів
2.Основні технічні параметри підсилювачів
3.Характеристики підсилювачів
1. Класифікація підсилювачів Електронним підсилювачем називається пристрій, призначений для підсилен-
ня потужності електричних сигналів Підсилювачі класифікують по декількох ознаках:
1)За призначенням (підсилювачі напруги,струму та потужності)
2)За формою сигналу (підсилювачі гармонійних сигналів,імпульсні підсилювачі і т.д.)
3)За діапазоном частот електричних сигналів.
Основою класифікацією підсилювачів є діапазон частот підсилюваних сигналів. За частотою підсилювачі поділяють на:
1.Підсилювачі низької частоти (ПНЧ) – діапазон підсилювальних частот від 10 Гц до 100 кГц.
2.Підсилювачі високої частоти (ПВЧ) – діапазон підсилювальних частот від 100 кГц до 100 мГц.
3.Підсилювачі постійного струму (ППС). Вони можуть підсилювати постійний струм. Діапазон підсилювальних частот від 0 Гц до одиниць мегагерц.
4.Вибірні (селективні) або резонансні підсилювачі. Вони підсилюють сигнали в дуже вузькій смузі частот.
5.Широкосмугові підсилювачі. Діапазон частот від декількох кілогерців до декількох мегагерців. Ці підсилювачі призначені для підсилення сигналів в пристроях імпульсного зв’язку, радіолокації і телебачення. Часто широкосмугові підсилювачі називають відео-підсилювачами.
Найпростіший вузол, що забезпечує підсилення електричного сигналу, назива-
ють підсилювальним каскадом.
За видом зв’язку між джерелом сигналу та каскадами підсилювачі поділяються на такі типи:
-з безпосереднім зв’язком,
-резистивним зв’язком,
-оптронним зв’язком,
-резистивно – ємнісним зв’язком
-трансформаторним зв’язком.
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
141 |

2. Основні технічні параметри підсилювачів.
1) Коефіцієнт підсилення. Коефіцієнт підсилення за напругою, струмом або потужністю показує, у скільки разів встановлена напруга ( струм або потужність)
|
|
|
|
|
|
ВИХ ; |
|
|
|
ВИХ; |
|
|
ВИХ |
(1) |
|
|||||
на виході підсилювача більша, ніж її значення на вході: |
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Як правило підсилювачі |
складаються із декількох каскадів, що виконують пос- |
|||||||||||||||||||
|
= |
|
|
|
= |
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|||||
лідовне підсилення, |
сигналу (рис.1.) При цьому загальне підсилення становить: |
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
К = К ∙ К ∙ К |
|
(2) |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
(3) |
|
|
|
|||||||||||
Для структурної схеми, |
приведеної на рис.1. |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
К = К ∙ К ∙ К |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
К К К |
= |
|
|
∙ |
|
|
|
|
ВИХ = |
|
ВХ |
||||||||
|
ВИХ |
ВИХ ∙ |
|
|||||||||||||||||
Легко перевірити, що |
або |
|
|
|
= |
|
ВИХ |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис Структурна схеми підсилювача
У багатьох випадках коефіцієнт підсилення представляють у логарифмічних |
|||||||||||
одиницях – децибелах (дБ): ДБ = 20 |
ВИХ |
= 20 |
|
(4) |
|
||||||
|
|
ДБ |
= 20 |
|
ВИХ |
= 20 |
|
(5) |
|
||
|
|
ДБ/ |
, |
|
ВИХ |
|
|
(6) |
(7) |
||
|
|
|
|
ДБ/ , |
|
ДБ/ |
|||||
Зворотний перехід від |
децибел до безрозмірної величини здійснюється так: |
||||||||||
ДБ = 100 |
|
|
|
= 100 |
|
|
|
||||
підсилення каскадів виражені в децибелах, то загальний кое- |
|||||||||||
Якщо коефіцієнт = 10 |
|
|
= 10 |
|
|
|
= 10 |
|
|
||
фіцієнт підсилення дорівнює їх сумі: |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
логарифмуючи вираз (3) |
|
(8) |
|
|||||||
Це легко отримати, |
|
|
|
||||||||
|
КДБ |
= К ДБ |
+ К |
ДБ + К ДБ |
|
|
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
142 |

2) Вхідний і вихідний опори. Підсилювач можна розглядати як активний чотириполюсник, до вхідних затискачів якого під’єднано джерело підсилювального сигналу, а до вихідних – опір навантаження (рис.2)
Рис.2. Підсилювач як активний чотириполюсник
Джерело вхідного сигналу представлено в виді генератора напруги з ЕРС Евх, що має внутрішній опір Rг. Зі сторони вихідних затискачів підсилювач показаний у виді генератора напруги з ЕРС Евих і внутрішнім опором Rвих.
Вхідний опір підсилювача представляє собою опір між вхідними клемами під-
силювача і визначається так: |
|
вх |
|
|
|
(9) |
|
визначається як опір між вихідними клемами |
|||
Вихідний опір підсилювача RвихRвх |
= |
Івх |
|
підсилювача при вимкненому опорові навантаження Rн.
В залежності від співвідношення між опорами Rг і Rвх джерело сигналу може працювати в режимі холостого ходу (Rвх >> Rг), короткого замикання (Rвх << Rг), і узгодження (Rвх ≈ Rг). Аналогічні режими роботи можливі для вихідного кола (Rн>> Rвих – холостий хід; Rн << Rвих – коротке замикання; Rн ≈ Rвих – узгодження ). У відповідності з цим і розрізняють режими підсилення наруги , струму і потужності.
3) Вихідна потужність. При активному характері опору навантаження вихідна
потужність підсилювача дорі нює: |
|
|
|
|
Pвих = |
вих |
= |
вих |
(10) |
н |
н |
|
де Uвих – діюче значення вихідної напруги; Umвих – амплітудне значення вихідної напруги.
4) Коефіцієнт корисної дії (к.к.дη.)=підсилювача дає змогу оцінити його економічність
(11)
де P0 – загальна потужність, що відбирається від всіх джерел живлення. 5) Діапазон підсилювальних частот, або смуга пропускання підсилювача – це
область частот, в якій коефіцієнт підсилення змінюється не більше , ніж це допустимо за технічними умовами.
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
143 |

6) Динамічний діапазон амплітуд – це відношення амплітуд найсильнішого і найслабшого сигналів на виході підсилювача. Динамічний діапазон амплітуд звичайно виражають в децибелах:D = 20lg
(12)
Рівень найслабшого сигналу обмежується в підсилювачі його власними шумами. Причини виникнення завад на виході підсилювача різні. Їх можна поділити на три основні групи: 1) теплові шуми; 2) шуми підсилювальних елементів; 3) завади що виникають в наслідок пульсацій напруг живлення і наведення збоку зовнішніх електричних і магнітних полів.
7) Нелінійні спотворення – це зміна форми підсилювальних сигналів, яка зумовлена нелінійними властивостями кола, через яке ці сигнали проходять. Основною причиною виникнення нелінійних спотворень у підсилювачі є нелінійність характеристик транзисторів і намагнічування транзисторів, що мають осердя з магнітних матеріалів.
Ступінь нелінійних спотворень підсилювача оцінюють величиною коефіцієнта
нелінійних спотворень (коефіцієнта гармонік)
Кг =
, (13)
де P2 + P3 + … + Pn – сума електричних потужностей, що виділяються на навантаженні гармоніками, які виникають в наслідок нелінійного підсилення;
P1 – електрична потужність першої гармоніки.
Якщо опір навантаження має незмінну величину для всіх гармонічних складо-
вих, можна записати вираз для Кг так: |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
, |
(14) |
|
|
|
|
|
|
||
де І1, І2, І3, Іn,- |
діючі (або амплітудні) значення першої, другої, третьої і т. д. гар- |
||||||
Кг = |
|
= |
|
|
|
||
|
|
|
монік струму на виході; |
|
|
U1, U2, U3, Un – діючі (або амплітудні) значення першої, другої, третьої і т. д. гармонік вихідної напруги.
Коефіцієнт нелінійних спотворень звичайно виражають у відсотках, тому знайдені за формулами (13) і (14) значення К слід помножити на 100. Загальну величину коефіцієнта нелінійнихКг.загспотворень. = Кг + ггпідсилювача+ + Кг визначають за формулою:
, (15)
де Кг1, Кг2, Кгn – нелінійні спотворення, внесені кожним каскадом підсилювача. 8) Частотні спотворення. Вони зумовлені змінами величини коефіцієнта підсилення на різних частотах. Причиною частотних спотворень є наявність у схемі підсилювача реактивних елементів – конденсаторів, котушок індуктивності, міжелек-
тродних ємностей транзисторів. Залежність величини реактивного опору від частоти не дає змоги дістати сталий коефіцієнт підсилення в широкій смузі частот.
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
144 |