- •1. Структура р-п перехода
- •Эммитер — более легированная область; база — менее легированная область.
- •Технологический
- •Основные результаты
- •2. Равновесное состояние р-п перехода
- •3. Неравновесное состояние р-п перехода
- •3.1. Прямое и обратное включение р-п перехода
- •3.2. Квазиуровни Ферми для электронов и дырок
- •3.3. Энергетическая диаграмма неравновесногор-п перехода
- •3.4. Граничные условия и уровень инжекции
- •; .(3.5А) Граничные
- •3.5. Ширина р-п перехода
- •4. Уравнения для анализа полупроводниковых приборов
- •4.1. Набор уравнений
- •4.2. Биполярное уравнение непрерывности
- •1). Нуи.
- •2). Вуи.
- •Основные результаты
- •5. Анализ идеализированного диода
- •5.4. Тампературная зависимость вах
- •5.5. Дифференциальное сопротивлениер-п перехода
- •5.6. Коэффициенты инжекции
- •Основные результаты
- •6. Вах реального диода
- •6.1. Особенности вах реального диода
- •6.2. Токи рекомбинации-генерации в опз
- •6.3. Сопротивление базы
- •0 WB X
- •I i0 eV/m
- •7Y67. Барьерная и диффузионная емкости в диоде
7Y67. Барьерная и диффузионная емкости в диоде
7.1. Барьерная емкость р-п перехода
;
.
(7.1)
(7.2)
7.2. Диффузионные емкости базы и эмиттера
.
a)
.
. (7.3а)
б)
—
среднее время пролета дырок через базу.
. (7.3.б)
Аналогично вычисляется диффузионная емкость эмиттера:
a)
.
б)
.
При :. При:.
7.3. Эквивалентная схема диода
Основные результаты
1. Диод обладает барьерной и диффузионной емкостями, подключенными параллельно ОПЗ.
2. Барьерная емкость связана с изменением заряда ионов в ОПЗ при изменении напряжения и ширины перехода. Барьерная емкость нелинейна — обратно пропорциональна ширине ОПЗ, зависящей от напряжения.
3. Диффузионная емкость связана с накоплением избыточных носителей заряда в базе и эмиттере. Диффузионная емкость нелинейна —пропорциональна току через диод.
4. В диодах с толстой базой диффузионная емкость пропорциональна времени жизни избыточных носителей заряда, диодах с тонкой базой – времени пролета неосновных носителей через базу.