- •1. Структура р-п перехода
- •Эммитер — более легированная область; база — менее легированная область.
- •Технологический
- •Основные результаты
- •2. Равновесное состояние р-п перехода
- •3. Неравновесное состояние р-п перехода
- •3.1. Прямое и обратное включение р-п перехода
- •3.2. Квазиуровни Ферми для электронов и дырок
- •3.3. Энергетическая диаграмма неравновесногор-п перехода
- •3.4. Граничные условия и уровень инжекции
- •; .(3.5А) Граничные
- •3.5. Ширина р-п перехода
- •4. Уравнения для анализа полупроводниковых приборов
- •4.1. Набор уравнений
- •4.2. Биполярное уравнение непрерывности
- •1). Нуи.
- •2). Вуи.
- •Основные результаты
- •5. Анализ идеализированного диода
- •5.4. Тампературная зависимость вах
- •5.5. Дифференциальное сопротивлениер-п перехода
- •5.6. Коэффициенты инжекции
- •Основные результаты
- •6. Вах реального диода
- •6.1. Особенности вах реального диода
- •6.2. Токи рекомбинации-генерации в опз
- •6.3. Сопротивление базы
- •0 WB X
- •I i0 eV/m
- •7Y67. Барьерная и диффузионная емкости в диоде
3. Неравновесное состояние р-п перехода
3.1. Прямое и обратное включение р-п перехода
![]()
—прямое
смещение;
—обратное
смещение.
Изменяется высота барьера:
.
Следствия:
1).
Изменяется ширина перехода:
.
2). Изменяюстя концентрации носителей заряда на границах с ОПЗ:
![]()
;
![]()
.
3).
Изменяются
(сильно), а также
(слабо).
3.2. Квазиуровни Ферми для электронов и дырок
Ансамбли электронов и дырок описываются функциями распределения:
Ev
Fi
F
Ec
E 1 1/2 0 fn0 р п









;![]()
.
В состоянии равновесия:
;


.
Положение
F
определяет
значения п0
и р0.
При
,
:
;
(3.1а)
;
(3.1.б)
.
Е
сли
равновесие нарушено не слишком сильно,
функции распределения похожи на
равновесные, но сдвинуты по энергиям:
;
.
Причина: для электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне функции распределения релаксируют к равновесным быстро:
с
— время релаксации энергии.
Для всего ансамбля (электроны + дырки) — гораздо медленнее:
с
— время жизни.
Положения
Fп
и Fп
определяют значения п
и р0.
При
,
:
;
;
.
Градиенты квазиуровней Ферми определяют токи:










![]()
![]()
![]()
.


![]()
![]()
![]()
;
.

3.3. Энергетическая диаграмма неравновесногор-п перехода
1). V > 0.
;
;
Инжекция
дырок из р
– области в п
–область:
;
инжекция
электронов из п
– области
в р
– область:
.
Если рекомбинация в ОПЗ незначительна, то в ОПЗ квазиуровни Ферми почти горизонтальны:
![]()
.
Обоснование: в
ОПЗ ![]()
— не зависит от
.
.
почти
во всей ОПЗ. Следовательно,
![]()
![]()
;
.
Аналогично
.
2
).V
<
0.
Экстракция
дырок из р
– области:
;
экстракция
электронов из п
– области:
.
3.4. Граничные условия и уровень инжекции
Избыточные
концентрации носителей заряда:
;
.
В
ОПЗ (и на ее границах):
;
. (3.2)
Вне ОПЗ (и на ее границах) — квазинейтральность:

;![]()
. (3.3)
Из
(3.2) и (3.3) на границе ОПЗ и базы п-типа
:
![]()
;
. Отсюда:
![]()
(3.4а)
Аналогично
на границе ОПЗ и эмиттера р-типа
:
(3.4б)
Уровень инжекции: отношение концентрации неосновных носителей к равновесной концентрации основных носителей.
Для
п-типа
![]()
; для
р-типа
![]()
.
НУИ:
.ВУИ:
.
Уровни инжекции в базе (п-типа) и эмиттере (р-типа):
.
.
При
НУИ в
базе и эмиттере
,
,
и из (3.2):
; .(3.5А) Граничные
;
(3.5а)условия
Шокли
При
ВУИ в
базе
,
и из (3.2):
.
(3.6)
В эмиттере ВУИ быть не может.
3.5. Ширина р-п перехода
В
формулах для равновесной ширины р-п
перехода:
.
Ступенчатый р-п переход: Линейный р-п переход
.
.
В общем случае:
,
где
.
Основные результаты
1. Токи дрейфа и диффузии пропорциональны концентрациям носителей заряда и градиентам квазиуровней Ферми.
2. Квазиуровни Ферми в ОПЗ постоянны. Расстояние между ними равно приложенному напряжению.
3.
Напряжение на переходе определяет
граничные концентрации носителей
заряда. При НУИ справедливы граничные
условия Шокли, при ВУИ в базе
![]()
.
4.
Ширина р-п
перехода зависит от напряжения и
определяется соотношением
,
где
.
