Семестровый план / 5 курс / ФИЗИКО-ХИМ. ОСНОВЫ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ИТС-64М,ИТС-54
.docxУЧЕБНАЯ ДИСЦИПЛИНА
«ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»
1.ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
-
ЛИТЕРАТУРА
Основная литература:
1. Б.Ю.Богданович, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии и методы исследования структур КНИ. Москва., МИЭТ, 2003 г. 2003 г. 288 с.
2. Тимошенков С.П. и др. Микроэлектромеханические системы: Учеб. пособие. – М.: МИЭТ, 2009.
3. Минаев В.С., Тимошенков С.П., Калугин В.В. Наногетероморфная структура и релаксация некристаллического вещества Уч. пособие. - М.: МИЭТ, 2010. - 144с.: ил.
Дополнительная литература:.
-
Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ. канд. техн. наук В.В. Баранова / Под ред. Проф., д-ра техн. наук Ю.Д. Чистякова. –М.: Мир,1986.-176с..
-
Технология СБИС. Под ред. Зи С.. В 2-х книгах. –М.: Мир, 1986.-406с..
-
Физика тонких пленок. Под ред. Г.Хасса, М. Франкомба и Р. Гофмана. Том 8. Пер. с англ.-М.: Мир, 1978.- 360 с.
-
Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.- 528 с.: ил.
-
Аш Ж., Датчики измерительных систем: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с франц.- М.: Мир, 1992.- 424 с., ил.
-
Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учеб. для студ. вузов по спец. Полупроводники и диэлектрики, Полупроводниковые и микроэлектронные приборы.-2-е изд., перераб. и доп.- М.: Высш. шк., 1986.-367 с., ил.
-
Захаров Н.П., Багдасарян А.В. Механические явления в интегральных структурах. –М.: Радио и связь, 1992.-144 с.: ил..
-
Кардашов Д.А. Конструкционные клеи. –М.: Химия, 1980.-288с.,ил
-
ЭЛЕКТРОННЫЕ РЕСУРСЫ
1. Коллекция информационных ресурсов МИЭТ: http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/
2. Поисковые системы: http://www.google.com, yandex.ru
3. Физика тонких пленок. Под ред. Г.Хасса, М. Франкомба и Р. Гофмана. Том 8. Пер. с англ.-М.: Мир, 1978.- 360 с. при помощи : http://www.yandex.ru/, http://www.mail.ru/
4. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. – М.: Радио и связь, 1982.- 240 с.: ил. при помощи : http://www.yandex.ru/, http://www.mail.ru/
2.СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
2.1. ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАНЯТИЯ
|
Занятие 1 |
Методы получения структур КНИ. |
|
Занятие 2 |
Технологический маршрут получения структур с диэлектрической изоляцией (типа КСДИ). |
|
Занятие 3 |
Процессы получения структур типа Smart Cut и Eltran. |
|
Занятие 4 |
Технологические процессы сращивания. Способы и механизмы сращивания поверхностей кремниевых и других подложек (полупроводниковых, диэлектрических проводящих). |
|
Занятие 5 |
Ионная имплантация как метод формирования многослойных структур. |
|
Занятие 6 |
Химическое травление полупроводниковых материалов в процессах получения многослойных структур (3 часа). |
|
Занятие 7 |
Электрохимическое травление кремния в процессах получения многослойных структур (структур КНИ) (3 часа). |
|
Занятие 8 |
Плазмохимическое травление кремния. Процессы подготовки подложек, активации поверхности (3 часа). |
|
Занятие 9 |
Электропроводность и теплопроводность. Электрическая стойкость многослойных структур (3 часа). |
|
Занятие 10 |
Тепловая стойкость многослойных структур: тепловое расширение, размягчение, плавление (4 часа). |
|
Занятие 11 |
Применение многослойных структур. Сенсоры, актюаторы, микромеханические элементы, основные элементы конструкций (4 часа). |
|
Занятие 12 |
Создание микромеханических элементов на основе многослойных структур (4 часа). |
