Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Семестровый план / 5 курс / ФИЗИКО-ХИМ. ОСНОВЫ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ИТС-64М,ИТС-54

.docx
Скачиваний:
20
Добавлен:
05.06.2015
Размер:
19.28 Кб
Скачать

УЧЕБНАЯ ДИСЦИПЛИНА

«ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»

1.ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

    1. ЛИТЕРАТУРА

Основная литература:

1. Б.Ю.Богданович, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии и методы исследования структур КНИ. Москва., МИЭТ, 2003 г. 2003 г. 288 с.

2. Тимошенков С.П. и др. Микроэлектромеханические системы: Учеб. пособие. – М.: МИЭТ, 2009.

3. Минаев В.С., Тимошенков С.П., Калугин В.В. Наногетероморфная структура и релаксация некристаллического вещества Уч. пособие. - М.: МИЭТ, 2010. - 144с.: ил.

Дополнительная литература:.

  1. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ. канд. техн. наук В.В. Баранова / Под ред. Проф., д-ра техн. наук Ю.Д. Чистякова. –М.: Мир,1986.-176с..

  2. Технология СБИС. Под ред. Зи С.. В 2-х книгах. –М.: Мир, 1986.-406с..

  3. Физика тонких пленок. Под ред. Г.Хасса, М. Франкомба и Р. Гофмана. Том 8. Пер. с англ.-М.: Мир, 1978.- 360 с.

  4. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.- 528 с.: ил.

  5. Аш Ж., Датчики измерительных систем: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с франц.- М.: Мир, 1992.- 424 с., ил.

  6. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учеб. для студ. вузов по спец. Полупроводники и диэлектрики, Полупроводниковые и микроэлектронные приборы.-2-е изд., перераб. и доп.- М.: Высш. шк., 1986.-367 с., ил.

  7. Захаров Н.П., Багдасарян А.В. Механические явления в интегральных структурах. –М.: Радио и связь, 1992.-144 с.: ил..

  8. Кардашов Д.А. Конструкционные клеи. –М.: Химия, 1980.-288с.,ил

    1. ЭЛЕКТРОННЫЕ РЕСУРСЫ

1. Коллекция информационных ресурсов МИЭТ: http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/

2. Поисковые системы: http://www.google.com, yandex.ru

3. Физика тонких пленок. Под ред. Г.Хасса, М. Франкомба и Р. Гофмана. Том 8. Пер. с англ.-М.: Мир, 1978.- 360 с. при помощи : http://www.yandex.ru/, http://www.mail.ru/

4. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. – М.: Радио и связь, 1982.- 240 с.: ил. при помощи : http://www.yandex.ru/, http://www.mail.ru/

2.СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

2.1. ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАНЯТИЯ

Занятие 1

Методы получения структур КНИ.

Занятие 2

Технологический маршрут получения структур с диэлектрической изоляцией (типа КСДИ).

Занятие 3

Процессы получения структур типа Smart Cut и Eltran.

Занятие 4

Технологические процессы сращивания. Способы и механизмы сращивания поверхностей кремниевых и других подложек (полупроводниковых, диэлектрических проводящих).

Занятие 5

Ионная имплантация как метод формирования многослойных структур.

Занятие 6

Химическое травление полупроводниковых материалов в процессах получения многослойных структур (3 часа).

Занятие 7

Электрохимическое травление кремния в процессах получения многослойных структур (структур КНИ) (3 часа).

Занятие 8

Плазмохимическое травление кремния. Процессы подготовки подложек, активации поверхности (3 часа).

Занятие 9

Электропроводность и теплопроводность. Электрическая стойкость многослойных структур (3 часа).

Занятие 10

Тепловая стойкость многослойных структур: тепловое расширение, размягчение, плавление (4 часа).

Занятие 11

Применение многослойных структур. Сенсоры, актюаторы, микромеханические элементы, основные элементы конструкций

(4 часа).

Занятие 12

Создание микромеханических элементов на основе многослойных структур (4 часа).