Оценка выставляется на основании

• результатов государственного квалификационного экзамена

• заключения ГАК на соответствие

• оценки диссертации на основании защиты.

Основные пункты, по которым проводится оценка работы рецензентом:

• степень полноты обзора состояния вопроса, корректность постановки задачи

• уровень и корректность использования используемых моделей и методов исследования

• ясность, последовательность изложения

• применение современных компьютерных технологий

• качество оформления работы (грамотность, стиль качество иллюстраций и т.д.)

• объем и качество графического материала

• оригинальность и новизна полученных результатов.

Технические детали и правила оформления диссертации приведены в тексте ГОСТА 7.32-2001, доступном в библиотеке ИППС для магистров ИППС (16 страниц текста).

DSD24.

Лектор Эннс В.И.

Лекция 3. Требования к оформлению технической документации на интегральные схемы (в том числе в рамках ОКР, НИР, договорных работ).

На лекции рассматриваются следующие вопросы:

1. НИР и ОКР – особенности.

2. Приемка 1, приемка 5 – особенности.

3. Темы с военной приемкой – особенности.

4. Порядок оформления договоров на НИР или ОКР (форма договора, ТЗ, протокол согласования цены, календарный план, структура цены).

5. Порядок и оформление документации при сдаче темы.

6. Техническая документация (порядок и правила оформления):

- техническое задание (ТЗ);

- технические условия (ТУ);

- справочный лист;

- протоколы испытаний;

- таблица норм (ТБ);

- конструкторская документация (КД);

- технологическая документация (ТД);

- программа испытаний;

- научно-технический отчет;

- ведомость соответствия;

- программа обеспечения качества;

- решение.

7. Особенности оформления технической документации в зарубежных странах (форма технической спецификации, разделы технической спецификации, форма и типы документации по качеству, типы сопроводительной документации и т. д.).

При выполнении ОКР и других работ по разработке интегральных микросхем требуется оформление следующих документов:

2. Тематическая карточка;

3. Техническое задание;

4. Технические условия;

5. Таблица норм;

6. Комплект конструкторской документации (чертеж на кристалл, чертеж на пластину, ведомость покупных);

7. Комплект технологической документации;

8. Справочный лист;

Типовые формы перечисленных документов приведены ниже.

Типовое техническое задание.

Т е х н и ч е с к о е з а д а н и е

на опытно-конструкторскую работу

“ Название ”

Шифр “_________”

1. НАИМЕНОВАНИЕ, ШИФР ОКР И ОСНОВАНИЕ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ОКР

Наименование: «Разработка ____________________________________»

Шифр ОКР: «__________».

Основание: _________________(Постановление Правительства РФ № 790-48 от 30 декабря 2003 г., Протокол заседания конкурсной комиссии от 12 апреля 2004г. №2.)

2. Цель выполнения ОКР и назначение изделия

Целью работы является разработка и организация производства микросхемы _____.

Технический уровень разрабатываемой микросхемы уточняется в процессе разработки. Таблица сравнительных характеристик электрических параметров разрабатываемой микросхемы и зарубежного аналога прилагается к настоящему техническому заданию.

3. Технические требования к изделию

Разрабатываемая микросхема должна удовлетворять техническим требованиям ОСТ В 11 0998-99 с уточнениями и дополнениями, приведенными в настоящем разделе ТЗ. Основные электрические параметры микросхемы при приемке и поставке приведены в таблице 1. Предельно-допустимые и предельные значения электрических параметров микросхемы и режимов ее эксплуатации приведены в таблице 2.

3.1. Конструктивные требования

3.2. Требования назначения

Таблица 1

Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

№ п/п	Наименование параметров, единица измерения	Буквенное Обозначение	Норма		Режим измерения	Темпера- тура, оС
			Не Менее	Не Более

Таблица 2

Предельно-допустимые и предельные значения электрических параметров микросхемы

№ п/п	Наименование Параметра режима, Единица измерения	Буквен- ное обоз- начение	Норма
			Предельно – допустимый режим		Предельный режим
			не менее	не более	не менее	не более
1.

3.2.3. В ходе ОКР исследуется наличие тиристорного эффекта. В ОКР проводятся исследования влияния режимов и условий воздействий на параметры и определяются параметры-критерии радиационной стойкости.

3.2.6. В процессе ОКР снимаются зависимости основных электрических параметров от режимов эксплуатации в соответствии с п. 6.2 ОСТ В 11 0998-99.