- •Физические основы электроники
- •Тема 1. Основы теории твердого тела
- •1.1 Строение твердых тел
- •2. Кристаллическое строение веществ:
- •4. Дефекты кристалла
- •1.3 Собственная проводимость полупроводников
- •1.5 Примесные полупроводники
- •1.6 Оптические и электрические свойства полупроводников
- •1.7 Жидкокристальные приборы для отображения информации
- •Тема 2. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках
- •2.1 Поляризация, электропроводность, диэлектрические потери, проницаемость
- •Виды поляризации: электронная, ионная, дипольно-релаксационная, ионно-релаксационная, самопроизвольная и др.
- •Ионная поляризация. Она возникает вследствие упругого смещения связанных ионов из положения равновесия на расстояние, меньшее постоянной кристаллической решетки.
- •Дипольно-релаксационная поляризация. Заключается в повороте (ориентации) дипольных молекул в направлении электрического поля.
- •Диэлектрики с ионной структурой. К ним относятся твердые неорганические диэлектрики с выше перечисленными поляризациями и делятся по потерям на 2 группы:
- •2.2 Электропроводность диэлектриков, диэлектрические потери, диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность, виды пробоя в диэлектриках
- •Электропроводность. В твердых диэлектриках представляет собой сумму токов:
- •Пробой диэлектриков. Явление образования в диэлектрике проводящего канала под действием электрического поля называется пробоем. Различают два вида пробоя: полный и неполный.
- •Тепловой пробой. Обусловлен нарушением теплового равновесия диэлектрика вследствие диэлектрических потерь. Мощность, выделяющаяся в образце равна:
- •2.3 Сегнетодиэлектрики
- •2.4 Пьезоэлектрики
- •2.5 Активные диэлектрики
- •Вывод. При отсутствии внешнего поля сегентодиэлектрики представляет собой как бы мозаику из доменов - областей с различными направлениями поляризованности.
- •2.6 Электропроводность газообразных диэлектриков
- •4 Вида самостоятельного разряда:
- •Закон Пашека. Пробивное напряжение воздуха и других газов в электрическом поле является функцией произведения давления газа на расстояние между электродами:
- •2.7 Электролюминесценция, катодолюминесценция
- •Тема 3. Физические эффекты в проводниках
- •3.2 Полукристаллические и аморфные металлы и сплавы
- •2 Алюминий
- •3 Железо
- •4 Натрий
- •5 Вольфрам
- •6 Молибден
- •7 Благородные металлы
- •8 Никель и кобальт
- •9 Свинец
- •10 Олово
- •11 Цинк и кадмий
- •12 Индий и галлий
- •13 Ртуть
- •3.3 Особенности металлов в тонкопленочном состоянии
- •Вольфрамобариевые катоды
- •Вторичная эмиссия
- •3.4 Сверхпроводящие проводники. Статический эффект Джозефсона. Применение сверхпроводимости
- •Применение
- •3.5 Контактная разность потенциалов, термо-эдс, эффекты
- •Два закона:
- •Механизм возникновения
- •Тема 4. Физические эффекты в магнитных материалах
- •4.2 Зависимость параметров от температуры. Свойства магнитных материалов в свч полях
- •Магнитодиэлектрики
- •Тема 5. Физические основы процессов в полупроводниковых материалах
- •Концентрация зарядов в пп. Вероятность Fn (w) нахождения свободного электрона в энергетическом состоянии w определяется функцией Ферми- Дирака:
- •5.2 Понятие об электронно-дырочном переходе, типы переходов, токи в p-n-переходе
- •5.3 Прямо смещенный p-n-переход
- •5.4 Вольтамперные характеристики и p-n модель
- •2 Вольтамперная характеристика
- •3. Физические процессы в контактах пп с различной шириной запрещенной зоны (гетеропереходы), металл - пп
- •4. Гетеропереходы
- •5. Люминесценция полупроводников
- •6. Фотопроводимость полупроводников
- •7. Эффект Холла
- •5.5 Эффект поля
- •2 Эффекты в структурах мдп
- •3. В идеальных мдп-структурах не учитывалось влияние зарядов в окисле и на границе окисел - кремний
Электропроводность. В твердых диэлектриках представляет собой сумму токов:
,
где - ток смещения, обусловлен электронной и ионной поляризации, он проходит в очень малые промежутки времени (с);
- ток абсорбции, обусловлен перераспределением свободных зарядов в объеме диэлектрика. Часть носителей встречает на своем пути ловушки захвата - дефекты решетки, захватывающие и удерживающие носители. Со временем, когда все ловушки заполняются, ток абсорбции прекращается;
- сквозной ток, обусловленный объемным сопротивлением диэлектрика и поверхностным, так как в любом диэлектрике имеется небольшое количество свободных электронов, за счет примеси.
Диэлектрические потери. Понимают электрическую мощность поглощаемую диэлектриком при воздействии на него электрического поля. Она рассеивается в диэлектрике, превращаясь в тепло. Они в основном обусловлены сквозным током. При высоких напряжениях и частоты потери могут возникать за счет ионизации газов внутри диэлектрика.
Потери возникают как на постоянном так и на переменном.
Для расчета потерь используют соотношение
,
где - угол диэлектрических потерь, который определяет соотношение между резистивной и реактивной составляющими тока. Чем меньше, тем лучше диэлектрик.≈ 0,0001 - 0,01.
Пробой диэлектриков. Явление образования в диэлектрике проводящего канала под действием электрического поля называется пробоем. Различают два вида пробоя: полный и неполный.
Полный - если проводящий канал проходит от одного электрода к другому и замыкает их.
Частичный (неполный), если пробивается лишь газовое или жидкое включение твердого диэлектрика.
Поверхностный пробой - который возможен в твердых диэлектриках.
Пробивное напряжение диэлектрика зависит от толщины диэлектрика.
,
где - электрическая прочность;
h - толщина диэлектрика.
Значение зависит от формы электродов, времени прохождения под напряжением, вида напряжения, частоты, температуры, влажности.
Физические процессы пробоя в разных случаях различны. Различают несколько механизмов пробоя: электрический, тепловой, электрохимический, ионизационный, электромеханический.
Электрический пробой - обусловлен ударной ионизацией или разрывом связей между частицами диэлектрика непосредственно под действием электрического поля. Электрический пробой обусловлен внутренним строением диэлектрика (плотностью упаковки атомов, прочностью и связей) и слабо зависит от внешних факторов (температуры, формы образца его размеров, частоты напряжения). Длится процесс микросекунды и менее, а в пределах 100 - 1000 МВ/м.
Тепловой пробой. Обусловлен нарушением теплового равновесия диэлектрика вследствие диэлектрических потерь. Мощность, выделяющаяся в образце равна:
Рn = U2ωC
Тепловая мощность, отводимая от образца, пропорциональна площади теплоотвода S и разности температур Т и окружающей среды То.
Рр = кS(T-T°),
где к - коэффициент теплоотдачи.
Условие теплового равновесия является Рn = Рр, но так как обычно растет с повышением температуры, то, начиная с некоторой критической Ткр, значение Рn > Рр В результате превышения тепловыделения над теплоотдачей диэлектрик лавинообразно разогревается, что приводит к разрушению.
Напряжение теплового пробоя отличается от напряжения электрического пробоя и зависит от частоты.
где А - постоянная.
С повышением f Uпр уменьшается, аналогично и от изменения температуры, за счет роста .
По указанным причинам изменяется механизм пробоя: при низких f или Т, когда Uпр.тепл велико, происходит электрический пробой, а при высоких f или Т, Uпр.тепл. Снижается до значений, меньших значений Uпр.электр, пробой становится тепловым. Отмечается fкр и Ткр происходит этот переход от электрического к тепловому и зависят от диэлектрика, условий теплоотвода, времени приложения U, скважности импульсов.
Электрохимический пробой. Обусловлен химическими процессами, приводящими к изменениям в диэлектрике под действием электрического поля, так как приводит к «старению», и определяется временем жизни изоляции.
Ионизационный пробой. Он обусловлен ионизационными процессами вследствие частичных разрядов в диэлектрике. Особенно это характерно для диэлектриков с воздушными включениями (бумага).
При больших Е и воздушных порах возникает ионизация воздуха, образуется озон, ускоряются ионы, что приводит к выделению тепла, что снижает Епр. При этом возможен и поверхностный пробой. Чтобы его не допустить необходимо: удлинять возможный путь разряда по поверхности. Для этого поверхность изоляторов делают гофрированной, в конденсаторах оставляют неметаллизированные закраины диэлектрика, поверхности покрывают лаками, компаундами, жидкими диэлектриками с высокой Епр.
Пробой неоднородных микроскопических диэлектриков. Большинство диэлектриков состоят из нескольких слоев обладающих разными электрическими свойствами и имеют больше или меньше количество пор. Например: намоточные изделия, керамические диэлектрика (керамика и стекло).
Если приложить к такому диэлектрику U, то напряженность в отдельных слоях будет отличаться от среднего значения Еср = U (h1 + h2). Поэтому, если произойдет пробой одного слоя, то это вызовет пробой всего образца.
Чем меньше размер пор в диэлектрике, тем более высокое U нужно приложить к образцу, чтобы вызвать разряды в порах. Для этого пористые диэлектрики заполняют жидким или твердеющим электроизоляционным материалом. У кабельной бумаги Епр = 3-5 МВ/м, для пропитанной компаундом Епр = 40 - 80 МВ/м.