
- •1. Термодинамика и магнитные свойства сверхпроводников, развитие теории сверхпроводимости.
- •Термодинамика сверхпроводников
- •Развитие теории сверхпроводимости
- •2. Уравнение Лондонов.
- •Нелокальная электродинамика сверхпроводников
- •Квантование магнитного потока
- •3. Комплексная проводимость, кинетическая индуктивность сверхпроводника.
- •Комплексная проводимость сверхпроводника
- •4. Скин-эффект и поверхностный импеданс в сверхпроводниках.
- •5. Уравнения Гинзбурга-Ландау Свободная энергия сверхпроводника
- •Уравнения Гинзбурга – Ландау
- •6. Длина когерентности, глубина проникновения, сверхпроводники I и II рода.
- •Энергия границы раздела между n и s фазами
- •7. Критическое поле и критический ток тонкой сверхпроводящей пленки.
- •Критический ток тонкой пленки
- •8. Поле одиночного вихря, первое критическое поле сверхпроводника II рода. Сверхпроводимость второго рода
- •Первое критическое поле
- •9. Взаимодействие вихрей, второе критическое поле сверхпроводника II рода. Сверхпроводимость второго рода
- •Второе критическое поле
- •10. Критический ток в сверхпроводниках второго рода.
- •11. Электрон-фононное взаимодействие, основное состояние сверхпроводника.
- •Основное состояние сверхпроводника
- •12. Спектр элементарных возбуждений сверхпроводника.
- •Незатухающий ток в сверхпроводниках
- •13. Туннельный эффект в сверхпроводниках.
Основное состояние сверхпроводника
Напомним основные
свойства электронов проводимости в
нормальных металлах. Почти всегда можно
пренебречь взаимодействием между
электронами и считать, что каждый
электрон имеет индивидуальную энергию
Е
и импульс
.
Поскольку волновая функция электрона
должна удовлетворять определенным
граничным условиям, в данной области
энергий существует конечное число
разрешенных состояний, в каждом из
которых энергия и импульс электрона
определены с точностью, допускаемой
соотношением неопределенностей.
Вероятностьf
того, что данное состояние с энергией
Е
заполнено, дается распределением Ферми
– Дирака:
(6.2)
Точки, соответствующие
волновым векторам электронов
К,
образуют в
трехмерном импульсном пространстве
сферу Ферми с радиусом
.
Вслед за предположением Фрелиха, что взаимодействие между электронами может осуществляться посредством фононов, следующий шаг сделал Купер. Он рассмотрел случай, когда к металлу при абсолютном нуле добавляются два электрона, которые в силу принципа Паули занимают состояния с K > KF. Купер показал, что если между этими электронами есть притяжение, хоть и слабое, то они могут образовывать связанное состояние, их полная энергия при этом будет меньше 2EF.
Рассмотрим для начала случай двух невзаимодействующих электронов с волновыми векторами К1 и К2. Их волновая функция
(r1, К1, r2, К2), определяющая вероятность того, что электрон с волновым вектором К1 находится вблизи точки r1, в то время как электрон с волновым вектором К2 находится вблизи точки r1, является произведением двух одноэлектронных волновых функций (r1, К1) и (r2, К2). Опуская далее зависимость от координат, запишем для кратности:
(К1, К2) = (К1)(К2).
Волновые функции (К), по сути, – функции Блоха. Если же между парами электронов существует взаимодействие, вызывающее рассеяние электронов с последующим изменением их волновых функций, это приводит к "смешиванию" волновых функций, а двухэлектронная волновая функция превращается в сумму волновых функций, отвечающих широкому интервалу волновых векторов:
(6.3)
Коэффициенты |aij|2 описывают вероятность обнаружить в любой момент времени электроны с индивидуальными волновыми векторами Кi, Кj. Естественно, при этом должен выполняться закон сохранения импульса Кi + Кj = K = const.
Для того чтобы было возможным рассеяние электронов из состояния (К1, К2) в состояние (К3, К4), необходимо, чтобы состояние (К1, К2) сначала было заполненным, а состояние (К3, К4) – пустым. То есть вектора К1 и К2 должны лежать вблизи поверхности Ферми в тонком слое толщиной порядка К, определенной формулой (6.1). Поэтому при фиксированном K = К1 + К2 участвовать в переходах могут только электроны, лежащие в заштрихованной области (рис. 6.2), которая образована пересечением слоев толщиной 2К вокруг поверхностей Ферми, центры которых разнесены на K. Очевидно, что число таких электронов имеет острый максимум при К = 0, когда эти слои совпадают. Поэтому в сумме (6.2) можно оставить только слагаемые, отвечающие условию К = 0, то есть Кi = –Кj. Обозначая (Кi)(–Кi) = i, перепишем формулу (6.3) в виде:
.
(6.4)
Рис. 6.1. Электрон-фононное
Взаимодействие
Рис. 6.2. Взаимодействующие
электроны
Индексом n здесь занумерованы все возможные пары электронов с волновыми векторами (К, –К), лежащие в узком шаровом слое К вблизи поверхности Ферми. Энергию в состоянии Ф можно записать в виде:
,
где
– оператор Гамильтона,
– оператор потенциальной энергии
взаимодействия,
– кинетическая энергия электронов. С
учетом формулы (6.4), обозначая
,
получимЕ
= ЕК
+ V,
где
(6.5)
потенциальная энергия взаимодействия электронов.
Выражение Vn,
m
называется матричным элементом перехода
из состояния n
в состояние m:
.
В нашем случае это означает переход из
состоянияn,
в котором ячейки (Кn,
–Кn)
заняты, а ячейки (Кm,
–Кm)
пусты, в состояние m,
в котором ячейки (Кm,
–Кm)
заняты, а ячейки (Кn,
–Кn)
пусты. Коэффициент an
здесь обозначает амплитуду состояния
n,
а коэффициент am
- амплитуду состояния m.
Введем в рассмотрение некоторую функцию
vn2
волнового вектора К
– вероятность того, что пара состояний
(Кn,
–Кn)
занята. Тогда амплитуду состояния, в
котором ячейки (Кn,
–Кn)
заняты, а ячейки (Кm,
–Кm)
пусты, можно записать в виде:
,
где un2 =1 – vn2. Аналогично am = vmun. Теперь, используя формулу (6.5), можно записать полную энергию сверхпроводника в виде:
.
(6.6)
Первое слагаемое здесь – полная кинетическая энергия электронов в сверхпроводнике, En – энергия электрона в ячейке Кn, отсчитанная от уровня Ферми, то есть
,
второе слагаемое - средняя потенциальная энергия взаимодействия электронов, где матричный элемент Vn m определен формулой (6.5).
Найдем теперь
такую функцию vn2,
которая минимизирует полную энергию
сверхпроводника ES,
то есть приравняем к нулю частную
производную
.
Положим в соотношении (6.6)Vn
m
= –V
для всех Кn
и Кm,
лежащих в шаровом слое толщиной К
около поверхности Ферми, то есть будем
считать, что энергия взаимодействия
электронов не зависит от их импульсов
и что это – притяжение. Тогда из формулы
(6.6) получаем условие минимума:
,
откуда находим:
,
(6.7)
где обозначено
.
(6.8)
Штрих на сумме означает, что суммирование ведется только по тем состояниям Кn, которые лежат в шаровом слое толщиной К около поверхности Ферми, где отличен от нуля матричный элемент взаимодействия.
Уравнение (6.7) можно свести к квадратному уравнению относительно vn2:
где
.
(6.9)
Тогда
.
(6.10)
Знак минус в формуле (6.10) поставлен из физических соображений, так как при Kn очевидно, что vn 0, a Wn En, как это следует из формулы (6.9).
График функции vn2 изображен на рис 6.3. Видно, что даже при температуре абсолютного нуля минимум энергии достигается тогда, когда распределение электронов "размазано" на некотором интервале энергий порядка 20. Мы знаем, что без электрон-фононного взаимодействия минимуму энергии отвечает распределение Ферми, имеющее при T = 0 вид ступеньки: f(K < KF) = 1, f(K > KF) = 0. Фактически, "размазывая" распределение, природа идет на некоторый проигрыш кинетической энергии, зато появляются заполненные ячейки над поверхностью Ферми и пустые под ней, появляется взаимодействие, уменьшающее полную энергию системы. Состояние, описываемое распределением (6.10), называется основным состоянием сверхпроводника. Для того чтобы найти его энергию, вычислим сначала величину 0. Из соотношений (6.8), (6.9) и (6.10) получаем:
.
Таким образом, приходим к уравнению относительно 0:
От суммирования по К здесь удобно перейти к интегрированию по шаровому слою около сферы Ферми. Обозначая N(0) плотность состояния около энергии EF, получим уравнение:
или
.
(6.11)
Для большинства сверхпроводников N(0)V < 0,3, и можно приближенно записать:
.
(6.12)
Часто величину 0
выражают в Кельвинах, то есть фактически
ищут величину 0/kB,
где kB
– постоянная Больцмана. Обозначая
,
получим:
.
Как правило, ТD ~ 100 К; N(0)V ~ 0,3, тогда 0 ~ 4 К.
Вспомним, что в нормальном состоянии при Т = 0 заполнены все ячейки с K < KF, а выше все ячейки пустые. Поэтому энергия основного состояния образца в нормальном состоянии без электрон-фононного взаимодействия составляет:
Будем отсчитывать энергию основного состояния сверхпроводника от энергии основного состояния нормального металла и найдем W = ES – EN. С учетом формул (6.6) и (6.10) получим:
(6.13)
Учитывая определение 0 (6.8), находим:
.
Отсюда легко получить:
.
Вновь переходя от суммирования к интегрированию, получаем:
Поскольку
,
используя равенство (6.11), находим:
.
(6.14)
Таким образом, разность энергий между сверхпроводящим и нормальным состоянием отрицательна, то есть сверхпроводящее состояние энергетически более выгодно. Учитывая формулу (1.2), получим:
,
или
.
(6.15)
В 1 см3 металла содержится около 1022 электронов, а ширина зоны проводимости составляет около 10 эВ, поэтому N(0) ~ 1033 1/(Эргсм3). При 0 ~ 10 К ~ 10–15 Эрг, получим НCM(0) ~ 100 Э.