- •Основи електроніки та мікросхемотехнікИ
- •Біполярні напівпровідникові Прилади
- •1 P-n перехід і процеси в ньому
- •1 P-n перехід і процеси в ньому
- •2 Характеристики і параметри p-nпереходу Вольт-амперна характеристика p-nпереходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •3 Напівпровідникові діоди, їх різновид і застосування. Випрямні діоди Напівпровідниковий діод
- •Біполярні напівпровідникові Прилади
- •1 Напівпровідникові стабілітрони і стабістори
- •1 Напівпровідникові стабілітрони і стабістори
- •2 Варикапи
- •3 Біполярні транзистори
- •Принцип дії бт в активному режимі
- •Біполярні напівпровідникові прилади
- •1 Біполярні транзистори: схеми вмикання
- •2 Біполярні транзистори: статичні характеристики
- •Уніполярні напівпровідникові прилади
- •1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Затворна характеристика польового транзистора з керувальним переходом
- •Прохідні (стокозатворні) характеристики польового транзистора з керувальним переходом
- •2 Мон-транзистори
- •Мон-транзистори з індукованим каналом мон-транзистори з індукованим каналом p – області в - кристалі – це витік і стик.
- •Мон-транзистори із вбудованим каналом
- •Біполярні прилади в колах комутації та оптоелектроніці
- •1 Тиристори в диністорному і триністорному режимах
- •2 Світлодіоди
- •3 Біполярні фотоприймачі
- •Фоторезистори і фототиристори
- •Елементи конструкції іс
- •2 Транзистори напівпровідникових інтегральних мікросхем
- •Багатоемітерні транзистори (бет)
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •3 Діоди напівпровідникових інтегральних мікросхем
- •Резистори. Так звані дифузійні резистори одержують з бази інтегрального біполярного транзистора (рис. 6.9). Опір таких резисторів – у межах десятків Ом – десятків кОм.
- •Конденсатори. Частіше застосовуються дифузійні конденсатори (рис. 6.11) з бар'єрною ємністю – переходу як робочим параметром .
- •Аналогова мікросхемотехніка
- •1 Призначення і класифікація аналогових інтегральних мікросхем
- •2 Генератори стабільного струму і напруги Генератори стабільного струму
- •Генератори стабільної напруги
- •3 Схеми зсуву рівня
- •Аналогова мікросхемотехніка
- •1 Диференціальні каскади
- •2 Вихідні каскади
- •3 Структурна схема операційного підсилювача
- •Цифрова мікросхемотехніка
- •1 Цифрові інтегральні схеми
- •2 Елементи транзисторно-транзисторної логіки
- •Ттл-елемент і–не із складним інвертором
- •Базовий логічний елемент 133 і 155 серій
- •Цифрова мікросхемотехніка
- •1 Емітерно-зв’язані логічні елементи
- •Основна схема емітерно-зв’язаного логічного елемента
- •2 Логічні елементи на мон і кмон транзисторних структурах
- •Логічний елемент на р- канальних мон-транзисторах
- •Логічний елемент на кмон-транзисторних структурах
- •Логічний елемент на кмон-транзисторних структурах
- •1. Робота підсилювального каскаду на бт зі спільним емітером
- •2 Забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Основи електроніки та мікросхемотехнікИ
- •6.050903 «Телекомунікації»
3 Структурна схема операційного підсилювача
Усі досі розглянуті пристрої АІС знаходять своє застосування у схемотехніці операційних підсилювачів (ОП). Операційні підсилювачі – це найбільш універсальний і синтетичний пристрій АІС, на базі якого будуються більшість аналогових мікросхем (підсилювачі, генератори, функціональні пристрої, активні фільтри і т. п.). ОП є предметом детального вивчення у рамках дисципліни «аналогова схемотехніка».
Розглянемо варіант структурної схеми ОП рисунка 8.9 за так трикаскадною будовою.
Рисунок 8.9
1-й каскад – вхідний ДП, який забезпечує подавлення синфазного сигналу і порівняне невелике підсилення диференціального сигнала.
2-й каскад – підсилювач напруги ПН1, що забезпечує основне підсилення у схемі і перехід від симетричного виходу до несиметричного. Його вихідний сигнал потребує «зсуву вниз», і тому наступний пристрій – схема зсуву рівня сигналу.
3-й каскад – підсилювач напруги ПН2, що має невеликий коефіцієнт підсилення, але забезпечує повне використання напруг джерел живлення.
Останній пристрій – вихідний каскад – підсилювач потужності.
Лекція 9
Цифрова мікросхемотехніка
1 Цифрові інтегральні схеми: визначення і обсяг поняття. Логічні елементи, їх параметри і характеристики
2 Елементи транзисторно-транзисторної логіки
1 Цифрові інтегральні схеми
Цифрові інтегральні схеми (ЦІС) – це такі ІС, в яких формуються перетворюються і обробляються дискретні сигнали, виражені у двійковому або іншому цифровому коді, і які призначені для роботи в різноманітних електронних вузлах і системах. До ЦІС належать логічні елементи, тригери, регістри, суматори, шифратори, дешифратори, мультиплексори, арифметико-логічні пристрої, аналого-цифровий перетворювач (АЦП), цифро-аналоговий перетворювач (ЦАП), різні схеми пам’яті тощо.
Логічні елементи (ЕЛ) є водночас функціонально самостійними і елементарними «цегликами», «атомами» цифрової електроніки, яка посідає обсягу всієї електроніки. Завдання наступних лекцій – вивчити деякі прийоми схемотехніки ЛЕ.
Базовими ЛЕ є елементи і . Їх визначення, характеристики і параметри, а також «ази» схемотехніки розглядались у курсі «Вступ до спеціальності», а більш розлого описані у [2]. Тут доцільно запинитись лише на статичній передавальній характеристиці (СПХ) і на тому, яку інформацію про ЛЕ вона несе. Типова СПХ інвертувального ЛЕ показана на рисунку 9.1.
Характеристика має три виразні ділянки:
І – (для БТ режим відсічки).
ІІ – (для БТ режим насичення).
ІІІ – перехідний стан (активна область ).
Рисунок 9.1
За СПХ визначають:
- значення логічних рівнів , ;
- величину логічного перепаду ;
- значення порогів перемикання (меж ділянок) і
- ширину активної області ;
- параметри статичної завадостійкості – максимально допустиму величину завади, що не викликає хибного спрацювання або збою ЛЕ: відкриваючу ,закриваючу
У базових ЛЕ показник В відповідає низькій завадостійкості, а – високій завадостійкості.
Основними параметрами базових ЛЕ є:
- швидкодія;
- споживана потужність;
- коефіцієнт об’єднання за входом (для оцінки логічних можливостей елементів);
- коефіцієнт розгалуження за виходом (для оцінки навантажувальної здатності ЛЕ);
- напруга джерела живлення;
- допустимий діапазон температур.
На протязі цих останніх двох лекцій ми розглянемо деякі схемотехнічні розв’язування ТТЛ-елементів, ЕЗЛ-елементів, МОН- і КМОП-елементів. Для їх кращого розуміння доцільно повторити матеріал по потенційним інверторам з дисципліни «Вступ до спеціальності» (див. також [2]).