Фоторезистори і фототиристори

Фоторезисторами не лише перетворюють світлову енергію в електричну, але й підсилюють останню. Під дією світла на КП відбувається фотогенерація і розділення фотоносіїв електричним полем, як у фотодіодів.

Позитивний заряд p-бази збільшується, ЕП одержує додаткове пряме зміщення, і колекторний струм зростає на величину . Це і означає внутрішнє підсилення фотострумуу приладах. Відтак фотодірки у базі відіграють роль вхідного (базового) струму попри те, що він фактично у схемі на рисунку 5.11 відсутній.

a) б)

Рисунок 5.11

Загальний колекторний струм фото транзистора

, (5.4)

Порівняння формул (5.3) і (5.4) дозволяє зробити висновок інтегральна світлочутливість фототранзистора в разів вища, ніж у фотодіодів. Саме тому фототранзистор називається фотоприймачем із внутрішнім підсиленням.

У фото тиристорах (рис. 5.12) освітлення однієї з баз і наступна генерація фотоносіїв можуть привести до перемикання чотиришарової структури із закритого стану у відкритий, як це у звичайних триністорів досягається при перемиканні керувальним струмом. При цьому потік має бути більший за деяке порогове значення .

а) б)

Рисунок 5.12

Лекція 6

Елемента база напівпровідникової мікроелектроніки

1 Мікроелектроніка: вступні зауваження

2 Транзистори напівпровідникових інтегральних мікросхем

3 Діоди напівпровідникових інтегральних мікросхем

4 Пасивні радіоелементи напівпровідникових інтегральних мікросхем

1 Мікроелектроніка: вступні зауваження

Мікроелектроніка – це область електроніки, зв'язана з розробкою, виготовленням і експлуатацією мікроелект­ронних виробів.

Інтегральна схема (ІС, ІМС) – це мікроелектронний виріб, що виконує певну функцію перетворення та обробки сигналу і має високу щільність упакування (ЩП) електрично з'єднаних елементів (більше 5 елементів на 1 см³). З точки зору виготовлення і експлуатації ІС розглядається як єдине ціле і складається з елементів і компонентів.

Елемент ІС – це частина ІС, що реалізує функцію якогось радіоелемента (транзистора, діода, резистора, конденса­тора). Він не може бути відділеним з ІС як самостійний виріб, і виконаний у кристалі ІС. Наприклад, БТ, діоди у напівпровідникових ІС, плівкові резистори в гібридних ІС.

Компонент ІС – це частина ІС, що реалізує функцію якогось радіоелемента. Однак компонент є самостійним виробом, що виготовляється окремо від ІС і може бути з неї відділений. Наприклад, БТ і діоди в гібридних ІС.

Напівпровідникова ІС – це ІС, у якої всі елементи і з’єднання виконані в об'ємі і на поверхні напівпровід­никової пластини.

Плівкова ІС – це ІС, у якої всі елементи і з’єднання виконані у вигляді різних плівок, нанесених на поверхню діелектричної підкладки.

Гібридна ІС – це комбінація плівкових пасивних елементів і дискретних активних компонентів, розміщених на спільній діелектричній підкладці.

Суміщена ІС  це ІС, у якої активні елементи перебувають в об'ємі напівпровідникового кристалу, а пасивні – це плівкові елементи, що наносяться на попередньо ізольовану діелектричним шаром поверхню напівпровідникового кристала.