Резистори. Так звані дифузійні резистори одержують з бази інтегрального біполярного транзистора (рис. 6.9). Опір таких резисторів – у межах десятків Ом – десятків кОм.

Рисунок 6.9

Він є функцією концентрації домішок і геометрич­них розмірів області бази. Він є функцією концентрації домішокі геометричних розмірів області бази.

Розсіювана потужність 0,1 Вт. Розкид параметру – . На відміну від звичайних активних опорів дифузійні резистори є залежними від частоти через вплив бар'єрної ємності КП.

Квазілінійні резистори. Квазілінійні резистори на МОН-транзисторах з індукованим каналом. Застосовується ділянка стокової характеристики до настання перекриття каналу (рис. 6.10). Змінюючи величину напруги затвору перестроюємо резистор. Номінал опору цих елементів перебуває в межах сотеньОм – десятків кОм.

Рисунок 6.10

Для одержання великих (порядку МОм) опорів застосовується зворотно зміщений – перехід.

Конденсатори. Частіше застосовуються дифузійні конденсатори (рис. 6.11) з бар'єрною ємністю – пере­ходу як робочим параметром .

Рисунок 6.11

Ємністі цих елементів лежать у межах пФ (±20%). Номінал ємності задається прикладеною зворотною напругою постійного значення. Можуть працювати як змінні ємності: змінюючиу межахВ, ємність змінюють у рази.

МОН-конденсатори. Одна обкладка – шар n⁺, друга обкладка – алюмінієва плівка. Між ними – діелектричний шар діоксиду кремнію (рис. 6.12). Ємність елементів пФ, розкид параметру . Ці конденсатори не є критичними щодо полярності і величини прикладеної напруги.

Рисунок 6.12

Лекція 7

Аналогова мікросхемотехніка

1 Призначення і класифікація аналогових інтегральних мікросхем

2 Генератори стабільного струму і напруги

3 Діоди напівпровідникових інтегральних мікросхем

4 Схема зсуву рівня

1 Призначення і класифікація аналогових інтегральних мікросхем

Аналогові ІС (АІС) – це інтегральні схеми, призначені для перетворення, генерування і обробки аналогових (неперервних) сигналів. Активні прилади (біполярні транзистори і МОН-транзистори) в АІС працюють у лінійному режимі, і тому більшість АІС називаються лінійними ІС.

АІС застосовуються у широкому діапазоні частот (від постійного струму до десятків ГГц) і у великому динамічному діапазоні вхідних сигналів (до 120 дБ і більше). Обсяг випуску АІС складає % від загального виробництва ІМС.

АІС бувають універсальні і спеціалізовані. Перші мають великий обсяг функціональних можливостей, що варіюються комутацією їх виводів і приєднанням додаткових навісних елементів, і широке застосування. Другі – це схеми окремого застосування.

За функціональним призначенням АІС поділяються на радіочастотні (підсилювачі, генератори, модулятори, фільтри, надвисокочастотні ІС тощо); інструментальні (компаратори, перетворювачі, аналогові ключі тощо) і силові (ІС вторинних джерел живлення, потужні підсилювачі нижньої частоти, ІС радіопередавальних пристроїв і т. п.).

Однією з суттєвих особливостей аналогової мікросхемотехніки є відсутність конденсаторів. Це викликає додаткові схемотехнічні ускладнень: застосування схем зсуву рівня і комплементарних БТ.

Відомо, що елементи напівпровідникових ІС мають велике розсіювання параметрів – в межах % від номіналів. Але позаяк суміжні елементи віддалені один від одного всього намкм, то їхні параметри корельовано: розсіювання параметрів сусідніх елементів ідентичне. Компенсація значних, небезпечних для нормальної роботи ІС розсіювань параметрів здійснюється за допомогою зворотних зв’язків.