
- •86 Билет №1 Вопрос №1
- •Билет №1 Вопрос №2
- •Билет №2 Вопрос №1
- •Билет №2 Впорос №2
- •Билет №3
- •Билет №3 Вопрос №2
- •Билет №4 Вопрос №1
- •Вопрос №2
- •Билет №5 Вопрос №1
- •Билет №5 Вопрос №2
- •Преобразование фвч к фнч
- •Билет №6 Вопрос №1
- •Билет №6 Вопрос №2
- •Билет №7 Вопрос №1
- •Rc-каскад с общим эмиттером. Описание в области низких частот.
- •Область низких частот.
- •Билет №7 Вопрос №2
- •Билет №8 Вопрос №1
- •Билет №8 Вопрос №2
- •Билет №9 Вопрос №1
- •Билет №9 Вопрос №2
- •Билет №10 Вопрос №1
- •Билет №10 Вопрос №2
- •Билет №11 Вопрос №1
- •Билет №11 Вопрос №2
- •Билет №12 Вопрос №1
- •3.1.1. Интегрирующий усилитель (иу)
- •3.1.2. Дифференцирующий усилитель
- •Билет №12 Вопрос №2
- •Билет №13 Вопрос №1
- •Билет №13 Вопрос №2
- •Билет №14 Вопрос №1
- •Билет №14 Вопрос №2
- •Билет №15 Вопрос №1
- •Билет №15 Вопрос №2
Билет №4 Вопрос №1
(Биполярные транзисторы. Обозначение, схемы включения и режимы работы транзисторов. Работа транзистора в активном режиме. Эффект Эрли.)
Биполярный транзистор – п/п с двумя взаимодействующими р-nпереходами и тремя выводами.
Усилительные свойства БТ основаны на явлениях инжекции и экстракции неосновных носителей зарядов.
Виды
транзисторов и обозначения:
Выводы:
Э – эммиторный
К – коллекторный
Б – база
В зависимости от того, какой из электродов транзистора является общей точкой действия входного и выходного напряжений, различают три основные схемы включения БТ:
1) Cобщей базой
Iвых=Iк Iвх=Iэ Uвх=Uэб Uвых=Uкб
2) С общим эммитором
Iвых=Iк Iвх=Iб Uвх=Uбэ Uвых=Uкэ
3) С общим коллектором
Iвых=Iэ Iвх=Iб Uвх=Uбк Uвых=Uкэ
Режимы работы:
1)активный режим, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном;
2) режим насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении;
3) режим отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении;
4) инверсный режим, когда эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный в прямом;
Работа транзистора в активном режиме:
Т.к.
эммитерный переход смещен в прямом
направлении, дырки из эммитера инжектируют
в область базы. В базе они продолжают
дифундировать по направлению к
коллекторному переходу. При этом часть
дырок рекомбинируют с находящимися в
базе электронами. Электроны, рекомбинирующие
в базе с дырками, пополняютя за счет
источника ЭДС. Так в цепи базы возникает
ток. Если бы база была достаточно толстой
(W>>Lp),
то все инжектируемые дырки были бы в
базе иIб=Iэ. Однако во всех транз. базу стараются
сделать наиболее тонкой, поэтому основная
часть инжектируемых дырок достигает
коллекторного перехода не успев
рекомбинировать в базе. Т.к. дырки в базе
не основные носители заряда, а коллекторный
переход смещен в обратном направлении,
то дырки затягиваются полем коллекторного
перехода, а затем на источник ЭДС.
Iк=a*Iэ+Iкбо, где а- коэф. передачи тока эммитера.
Эффект Эрли (Модуляция толщины базы)
Размер p-nперехода зависит от напряжения. В прямом – меньше, в обратном – больше , чем в равн. случае.
Изменение ширины обратно смещенного коллекторного перехода от приложенному к нему напряжению приводит к изменению толщины базы. Этот эффект называется эффектом Эрли.
Следствия:
1) Iк=aIэ+Iкбо+,
приI0=const
2) Уменьшается время пролета базы, что влияет на ?част свойства
3)Uкб
влияет наUэб. Коэф. обратной
связи по напряженюµ=при I0=const
Билет № 4
Вопрос №2
Статические погрешности операционных усилителей
Погрешности ОУ:
1) Статические
-Мультипликативные
-Аддитивные
2) Динамические
3) Случайные
а
,
на выходе
;
- выводится из (*);
Билет №5 Вопрос №1
Реальный
транзистор при расчете электронных
схем можно представить в виде эквивалентной
схемы. Здесь оба электронно-дырочных
перехода, эмиттерный и коллекторный,
представлены диодами VD1 и VD2,
а их взаимодействие учитывается
генераторами токов, которые генерируют
токи: –
в нормальном включении (
–
коэффициент передачи транзистора в
нормальном включении);
–
в инверсном включении. (
–
коэффициент передачи по току в инверсном
включении). Собственные сопротивления
различных областей транзистора
учитываются сопротивлениями:
–
сопротивление эмиттерной области,
–
сопротивление базы,
–
сопротивление коллектора. Рассмотренная
схема, является эквивалентной схемой
транзистора по постоянному току, так
как не учитывает ряда факторов, оказывающих
существенное влияние на переменную
составляющую.
Н-параметры:
Физ смысл Н-параматров h11 – вх сопр-е в режиме к.з. выхода
h12 – коэф обр связи по напряжению в режиме хх вх. цепи
h21 – коэф передачи входного тока в режиме кз вх цепи
h22 – выходная проводимость в режиме хх вых цепи
Режим хх и кз д.б. обеспечены только для перем. Сигнала
Для схем с ОБ добавляют индекс б: h11б
ОЭ – индекс э.