
- •86 Билет №1 Вопрос №1
- •Билет №1 Вопрос №2
- •Билет №2 Вопрос №1
- •Билет №2 Впорос №2
- •Билет №3
- •Билет №3 Вопрос №2
- •Билет №4 Вопрос №1
- •Вопрос №2
- •Билет №5 Вопрос №1
- •Билет №5 Вопрос №2
- •Преобразование фвч к фнч
- •Билет №6 Вопрос №1
- •Билет №6 Вопрос №2
- •Билет №7 Вопрос №1
- •Rc-каскад с общим эмиттером. Описание в области низких частот.
- •Область низких частот.
- •Билет №7 Вопрос №2
- •Билет №8 Вопрос №1
- •Билет №8 Вопрос №2
- •Билет №9 Вопрос №1
- •Билет №9 Вопрос №2
- •Билет №10 Вопрос №1
- •Билет №10 Вопрос №2
- •Билет №11 Вопрос №1
- •Билет №11 Вопрос №2
- •Билет №12 Вопрос №1
- •3.1.1. Интегрирующий усилитель (иу)
- •3.1.2. Дифференцирующий усилитель
- •Билет №12 Вопрос №2
- •Билет №13 Вопрос №1
- •Билет №13 Вопрос №2
- •Билет №14 Вопрос №1
- •Билет №14 Вопрос №2
- •Билет №15 Вопрос №1
- •Билет №15 Вопрос №2
86 Билет №1 Вопрос №1
(Прохождение сигналов через электронные устройства и цепи. Методы математического описания сигналов и процессов).
Сигналы:
Случайные
Детерминированные
А) Периодические
S(t) = S(t+nT)
U(t)=Um cos(w 0 t + f 0)
U(t)={ |
Un, t0+nT < t < t0+nT+tn |
0, t0+nT+tn< t < t0+(n+1)T |
Б) Непериодические
Простейшие схемы:
1) Интегрирующая RC-цепь
Прохождение гармонических сигналов:
K(jw)
=
,где СR= Ƭ – постоянная
времени
АЧХ
: |K(jw)|=K(w)
=
ФЧХ:
f(w) = arctg(
) = -arctg(w Ƭ)
Частота среза – частота, на которой коэф. передачи уменьшается в √2 раз.
=> wср=1/Ƭ
Если взять 20 * ln|K(jw)|, то получим значение коэф. передачи в децибелах (дБ).
w=0 =>K(w) = 1 0 дБ
w=wcp
=>K(w)
=1/-3 дБ
w->inf=>K(w)
-> 0дБ
(-20дБ/дек)
Прохождение импульсных сигналов:
1) t0: 0 ->U0- перепад напряжений
, Uвх
= U0
RC+Uвых
= U0
Uвых
= U0(1
-
)
Uвых, % |
10 |
63 |
90 |
99 |
99,9 |
t |
0,1Ƭ |
Ƭ |
2,3Ƭ |
4,6Ƭ |
6,9Ƭ |
2) t0 : U0 -> 0
Uвых
= U0
2) Дифференцирующая RC-цепь
Прохождение гармонических сигналов:
K(jw)
=
,где СR= Ƭ – постоянная
времени
АЧХ
: |K(jw)|=K(w)
=
ФЧХ:
f(w)= arctg()
K(wcp)
, wср=1/Ƭ
Билет №1 Вопрос №2
Составные транзисторы. Основные параметры транзисторов.
Составной транзистор – сочетание двух и более транзисторов, соединенных таким образом, что образуют новый активный трехполюсник.
Некоторые виды:
1 - Схема Дарлингтона(npn). 2 - Схема Дарлингтона(pnp). 3 - Схема Шиклаи.
Так же есть и каскадные составные транзисторы.
1)2)
3)
Рассмотрим эквивалентную схему для 1(для 2-го различаться будут только направления токов) случая и рассмотрим её основные характеристики.
Характеристики
одного транзистора (для сравнения):
Промежуточные расчеты:
Основные характеристики:
Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.
Достоинства составного транзистора:
Высокий коэффициент усиления по току.
Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора:
Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В (не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на p-n переходе).
Большое напряжениенасыщенияколлектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (не может быть меньше чем падение напряжения на p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).
Особенности применения
Применение нагрузочного резистора R позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора VT2. Обычно сопротивление R составляет сотни Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько кОм в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.