Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Шпоры / once and for all.docx
Скачиваний:
263
Добавлен:
24.06.2013
Размер:
16.99 Mб
Скачать

86 Билет №1 Вопрос №1

(Прохождение сигналов через электронные устройства и цепи. Методы математического описания сигналов и процессов).

Сигналы:

Случайные

Детерминированные

А) Периодические

S(t) = S(t+nT)

U(t)=Um cos(w 0 t + f 0)

U(t)={

Un, t0+nT < t < t0+nT+tn

0, t0+nT+tn< t < t0+(n+1)T

Б) Непериодические

Простейшие схемы:

1) Интегрирующая RC-цепь

Прохождение гармонических сигналов:

K(jw) = ,где СR= Ƭ – постоянная времени

АЧХ : |K(jw)|=K(w) =

ФЧХ: f(w) = arctg( ) = -arctg(w Ƭ)

Частота среза – частота, на которой коэф. передачи уменьшается в √2 раз.

=> wср=1/Ƭ

Если взять 20 * ln|K(jw)|, то получим значение коэф. передачи в децибелах (дБ).

w=0 =>K(w) = 1 0 дБ

w=wcp =>K(w) =1/-3 дБ

w->inf=>K(w) -> 0дБ (-20дБ/дек)

Прохождение импульсных сигналов:

1) t0: 0 ->U0- перепад напряжений

, Uвх = U0

RC+Uвых = U0

Uвых = U0(1 - )

Uвых, %

10

63

90

99

99,9

t

0,1Ƭ

Ƭ

2,3Ƭ

4,6Ƭ

6,9Ƭ

2) t0 : U0 -> 0

Uвых = U0

2) Дифференцирующая RC-цепь

Прохождение гармонических сигналов:

K(jw) = ,где СR= Ƭ – постоянная времени

АЧХ : |K(jw)|=K(w) =

ФЧХ: f(w)= arctg()

K(wcp) , wср=1/Ƭ

Билет №1 Вопрос №2

Составные транзисторы. Основные параметры транзисторов.

Составной транзистор – сочетание двух и более транзисторов, соединенных таким образом, что образуют новый активный трехполюсник.

Некоторые виды:

1 - Схема Дарлингтона(npn). 2 - Схема Дарлингтона(pnp). 3 - Схема Шиклаи.

Так же есть и каскадные составные транзисторы.

1)2)3)

Рассмотрим эквивалентную схему для 1(для 2-го различаться будут только направления токов) случая и рассмотрим её основные характеристики.

Характеристики одного транзистора (для сравнения):

Промежуточные расчеты:

Основные характеристики:

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составного транзистора:

Высокий коэффициент усиления по току.

Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В (не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на p-n переходе).

Большое напряжениенасыщенияколлектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (не может быть меньше чем падение напряжения на p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).

Особенности применения

Применение нагрузочного резистора R позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора VT2. Обычно сопротивление R  составляет сотни Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько кОм в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.

Соседние файлы в папке Шпоры