Тема 3. Проектирование резисторов п/п ис – 2 ч.

Резисторы применяются в цифровых и линейных интегральных микросхемах. Полупроводниковые резисторы формируются в поверхностном объеме кристалла, как правило, одновременно с изготовлением активных элементов микросхем. Такими слоями могут быть эмиттерный, базовый, коллекторный и композиционные, так называемые «зажатые» (pinch) слои базы и коллектора.

2.5.1 Перечень вопросов занятия по теме 3:

- параметры назначения резисторов;

- выбор формы, расчёт размеров топологии резистора п/п ИМС;

- расчёт элементов схемы замещения;

- корректировка размеров.

Примерные задания по теме 3

Примерами на занятии являются выборочные индивидуальные варианты с номерами 20-25 перечня индивидуальных заданий п. 4.5 практикума [5].

Расчётные соотношения к теме 3

В подготовке и выполнении работ по занятию следует пользоваться методическим материалом раздела 2.16 пособия [3.1.3] и п. 3.3.14 учебного методического пособия [3.2.1].

Тема 4. Анализ защиты ис от внешних воздействий -2ч.

Учёт влияния действия электрических помех, влаги и агрессивных сред на параметры элементов и компонентов ИС осуществляется расширением и дополнением электрических схем замещения электронных узлов.. В схемы замещения включаются дополнительные источники привнесённых сигналов и вводятся параметрические изменения элементов и компонентов. Механические воздействия изменяют ресурс безотказной работы ИС

Перечень вопросов занятия по теме 4:

- учет действия влаги ИС;

- учёт механических воздействий на ИС;

- учёт электромагнитных взаимодействий на ИС.

Примерные задания по теме 4

Составить модель учета влияния влаги для ИС защищённой корпусом. Составить модель учета электромагнитного воздействия. Оценить последствия инерционной ударной и вибрационной нагрузки на ИС.

Методические материалы и соотношения к теме 4

В подготовке и выполнении работ по занятию следует пользоваться методическим материалом подразделов 6.5-6.7 пособия [3.1.3] и п.п. 3.3.11, 3.3.12 учебного методического пособия [3.2.1].

Примечание:

Нумерация источников по тексту соответствует основной и дополнительной