- •Рабочая программа
- •1. Цели и задачи дисциплины, её место в учебном процессе
- •1.3 Место и преемственность изучения дисциплины
- •2.Содержание дисциплины
- •Тема 1 Введение – 0,5 часа (срс- 4 часа) 8 сем.
- •Тема 2Конструкции элементов полупроводниковых интегральных микросхем (имс)– 1.5 час (срс- 18 часов).
- •Тема 3 Расчёт параметров конструктивных элементов и разработка топологии биполярных имс – 2,5 часа (срс- 30 часов).
- •Тема 4 Конструирование имс на биполярных структурах – 0,5 часа (срс- 6 часов).
- •Тема 5 Разработка конструкции и расчёт параметров элементов имс на полевых структурах – 1 часа (срс- 20 часов).
- •Тема 6 Конструирование плат гибридных интегральных схем
- •Тема 7Проектирование топологии больших интегральных схем (бис)– 0,5 часа (срс- 6 часов)
- •Тема 8 Конструирование имс и мсб– 1 час (срс- 12 часов)
- •Тема 9Техническая документация на имс и мсб
- •Тема 10 Перспективные конструкции изделий микроэлектроники
- •Тема 1Оценка параметров технологического слоя - 2 часа (8 сем.)
- •Тема 2Проектирование топологии бпт – 2 часа (8 сем.).
- •Тема 3.Проектирование резисторов п/п ис – 2 часа (9 сем.).
- •Тема 4Анализ защиты ис от внешних воздействий -2 часа (9 сем.)
- •2.4 Самостоятельная работа
- •3 Учебно-методические материалы дисциплины
- •3.1 Основная литература
- •3.2 Дополнительная литература
- •3.3. Учебно-методические пособия и программное обеспечение
- •3.4 Базы данных, информационно-справочные и поисковые системы
- •3.5 Материально-техническое обеспечение дисциплины:
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ
УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
УТВЕРЖДАЮ
Первый проректор,
проректор по
учебной работе
________________
Л. А. Боков «___»
_______________2012 г.
Рабочая программа
учебной дисциплины “Проектирование интегральных микросхем и
микропроцессоров” для студентов заочного отделения специальности 210202 - “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”.
Заочный и вечерний факультет
Учебный план набора 2007г. и последующих лет
Курс 4, 5
Семестр 8, 9
Распределение учебного времени:
Семестр 8 Семестр 9 Всего
Лекции 6 часов 4 часа 10 часов
Лабораторные занятия - 8 часов 8 часов
Практические занятия 4 часа 4 часа 8 часов
Всего аудиторных занятий 10 часов 16 часов 26 часов
Самостоятельная работа 82 часа 92 часа 174 часа
Общая трудоёмкость 92 часа 108 часов 200 часов
Контрольные работы - 2 раб. 2 раб.
Экзамен 9 семестр
2012
Рабочая программа подготовлена на основе ГОС ВПО по специальности 210202 - “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”, утверждённого 10.03. 2000г., рассмотрена и утверждена на заседании кафедры КИБЭВС от “_08_” _02_________2012 г., протокол №_114____.
Разработчик
доцент кафедры КИБЭВС Л.А. Торгонский
Зав. кафедрой КИБЭВС,
д.т.н, профессор А.А. Шелупанов
Рабочая программа согласована с факультетом, профилирующей и выпускающей кафедрой специальности.
Декан ЗиВФ И.В. Осипов
Зав. профилирующей
кафедрой КИБЭВС,
профессор А.А. Шелупанов
Зав. выпускающей
кафедрой КИБЭВС,
профессор А.А. Шелупанов
1. Цели и задачи дисциплины, её место в учебном процессе
1.1 Цель преподавания дисциплины
Дисциплина «Проектирование интегральных микросхем (ИМС) и микропроцессоров (МП)» в учебном плане специальности 210202 определена ГОС ВПО от 2000 года, как специальная (код СД.03).
Целями изучения материалов дисциплины являются:
- освоение понятий, определений, отношений конструкторского проектирования, с учётом схемного представления и технологического обеспечения производства конструкций интегральных микросхем (ИМС);
- освоение знаний, развитие умений и навыков выполнения комплекса работ по конструкторскому проектированию интегральных микросхем и микропроцессоров
1.2 Задачи изучения дисциплины
В результате усвоения теоретических положений курса студент должен знать:
- состав этапов и работ конструкторского проектирования ИМС;
- методы выбора форм и размеров элементов, радиокомпонентов современных и перспективных пленочных, гибридных и полупроводниковых ИМС;
- состав конструкций, параметры типовых модификаций современных микросхем и способы применения микросхем;
- принципы и методы разработки конструкций ИМС, оценки их показателей качества с учетом действия дестабилизирующих факторов;
- требования, состав и методы подготовки конструкторской документации на микросхемы с использованием средств автоматизации конструкторского проектирования.
В результате развития и закрепления знаний студент должен уметь:
1) формулировать технические задания на проектирование ИМС;
2) анализировать требования технического задания и формулировать требования к конструктивному составу микросхем;
3) выбирать форму элементов и взаимное расположение их композиций в конструкциях ИМС, выполнять необходимые проектные расчёты их размеров;
4) оценивать влияние дестабилизирующих факторов и предусматривать меры стабилизации параметров, повышения их надежности микросхем на этапах конструкторского проектирования;
5) выполнять проектную и эксплуатационную техническую документацию на микросхемы.
Студент должен владеть навыкамипо перечисленным позициям умений. Навыки приобретаются в процессе выполнения лабораторных работ, программы практических занятий, выполнения контрольных работ по дисциплине.