Тема 8 Конструирование имс и мсб– 1 час (срс- 12 часов)

Конструкции защиты и обеспечение надёжности ИМС и МСБ. Средства защиты кристаллов и плат. Корпусированные и бескорпусные исполнения ИМС. Корпусы ИМС. Классификация и конструкции корпусов. Конструкции бескорпусных ИМС. Материалы конструктивных элементов средств защиты плат и кристаллов.

Показатели качества конструкций ИМС. Надёжность ИМС. Обеспечение надёжности. Обеспечение теплового режима ИМС. Обеспечение электромагнитной совместимости в ИМС. Обеспечение влагозащиты ИМС. Обеспечение защиты ИМС при механических воздействиях, Нормирование показателей качества ИМС.

Тема 9Техническая документация на имс и мсб

– 0,5 часа (срс - 6 часов)

Нормативно-техническая и техническая документация. Состав комплекта технической документации на ИМС. Характеристика конструкторских документов проекта по содержанию и требованиям к оформлению.

Эксплуатационная документация на ИМС. Технические условия ИМС.Паспорт, патентный формуляр. Содержание и требования к изложению эксплуатационных документов. Система обозначений документов комплекта.

Тема 10 Перспективные конструкции изделий микроэлектроники

- 0,5 часа (срс - 6 часов)

Функциональная электроника в ИМС Магнитные, оптоэлектронные и акустоэлектронные ИС. Нанотехнология и конструкции ИМС

2.2 Практические занятия и их содержание– 8 часов

Рабочие и справочные материалы размещены в руководстве к проведению практических занятий (см. УМП, [3.3, п.2])

Тема 1Оценка параметров технологического слоя - 2 часа (8 сем.)

Перечень вопросов занятия:

- идентифицировать структурную принадлежность заданного слоя в составе слоев варианта технологической структуры БПТ;

- выполнить графическое представление структуры, разметку заданных концентраций, пространственных размеров слоя;

- выбрать и согласовать применение расчётных соотношений и методик определения параметров слоя (электрической прочности изоляции слоя, удельной ёмкости изоляции слоя, поверхностного сопротивления слоя);

- выполнить расчёты и подготовить рекомендации к применению полученных параметров в проектировании конструкций радиоэлементов ИС.

Тема 2Проектирование топологии бпт – 2 часа (8 сем.).

Перечень вопросов практического занятия:

- выбор форм и размеров топологии эмиттера;

- проектирование топологии эмиттера по рабочему току;

- корректировка топологии по рабочему току;

- оценка влияния топологии на усиление БПТ.

Тема 3.Проектирование резисторов п/п ис – 2 часа (9 сем.).

Перечень вопросов занятия:

- параметры назначения резисторов;

- выбор формы, расчёт размеров топологии резистора п/п ИМС;

- расчёт элементов схемы замещения;

- корректировка размеров.

Тема 4Анализ защиты ис от внешних воздействий -2 часа (9 сем.)

Перечень вопросов занятия:

- учет действия влаги ИС;

- учёт механических воздействий на ИС;

- учёт электромагнитных взаимодействий на ИС.

2.3 Лабораторные занятия– 8 часов (9 сем.)

Занятия выполняются по учебному по лабораторному практикуму дисциплины (см.УМП, [3.3, п.1])

1 Анализ конструкции п/п ИМС – 4 часа

2 Анализ конструкции ГИС – 4 часа

Лабораторные занятия 1,2 по анализу конструкций выполняются в форме стендового анализа образцов серийных ИМС ( ГИС и п/п ИМС) с применением микроскопов и компьютерной программы поддерживающей контроль размеров и индексацию элементов на цифровых фотографиях плат и кристаллов ИМС.

Методические указания по выполнению лабораторных работ сопровождаются электронными приложениями с каталогом цифровых фотографий, с программами измерения и разметки геометрически размеров на фотографиях, расчётными методиками и справочными материалами по проектированию. Путь доступа к приложениям приведен в описании лабораторных работ.