- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •4 Проектирование гимс 4
- •5 Проектирование бис 105
- •4.2 Подложки и платы гимс
- •4.3 Резисторы гис
- •4.3.1 Конструкции пленочных резисторов
- •4.3.2 Функциональные параметры резисторов гис
- •4.3.3 Материалы тонкоплёночных резисторов
- •4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов
- •4.3.5 Технологические ограничения
- •4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки
- •4.3.7 Проектирование резисторов в форме меандра
- •4.3.8 Резисторы с подгонкой сопротивления
- •4.3.9 Проектирование толстоплёночных резисторов
- •4.3.10 Частотные свойства плёночных резисторов
- •4.4 Плёночные конденсаторы гис
- •4.4.1 Введение
- •4.4.2 Конструкции плёночных конденсаторов гимс
- •4.4.3 Функциональные параметры конденсаторов гимс
- •4.4.4 Материалы тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.5 Проектирование тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.6 Подгоняемые плёночные конденсаторы
- •4.4.7 Материалы толстоплёночных конденсаторов
- •4.4.8 Проектирование толстоплёночных конденсаторов
- •4.5 Индуктивные элементы гис
- •4.5.1 Введение
- •4.5.2 Проектирование плёночных катушек
- •4.6 Соединения и контакты гис
- •4.7 Коммутационные платы
- •4.8 Компоненты гис
- •4.8.1 Введение
- •4.8.2 Конструкции кристаллов
- •4.8.3 Конструкции конденсаторов
- •4.8.4 Конструкции резисторов
- •4.8.5 Индуктивные компоненты гимс
- •4.9 Гибридные микросхемы свч диапазона
- •4.9.1 Введение
- •4.9.2 Элементы гимс свч
- •4.9.3 Подложки гимс свч
- •4.9.4 Микрополосковые линии передачи гимс свч
- •4.9.5 Пассивные элементы гимс свч
- •4.9.6 Активные элементы гимс свч
- •4.9.7 Конструкции гимс свч
- •5 Проектирование бис
- •5.1 Введение
- •5.2 Проблемы проектирования бис
- •5.3 Этапы проектирования бис
- •5.4 Элементная база бис. Матричные кристаллы
- •5.4.1 Введение
- •5.4.2 Библиотечный набор функциональных элементов и узлов
- •5.4.3 Конструктивные параметры модулей матричных бис
- •5.5 Автоматизация проектирования топологии имс
- •5.6 Системы автоматизации проектирования бис
- •6 Обеспечение защиты имс и мп
- •6.1 Введение
- •6.2 Корпуса микросхем
- •6.3 Бескорпусные микросхемы
- •6.4 Тепловые режимы имс
- •6.5 Внешние и внутренние паразитные связи и помехи в ис
- •6.6 Обеспечение механической устойчивости конструкций ис
- •6.7 Защита микросхем от воздействия агрессивных сред
- •6.8 Монтаж кристаллов и плат
- •6.9 Электрический монтаж кристаллов и плат
- •7 Конструкторская документация ис
- •7.1 Понятия и определения
- •7.2 Состав и содержание текстовых документов
- •7.3 Схемная докумнтация
- •7.4 Масштабные графические документы микросхем
- •8 Заключение
- •Список литературы
4.3.2 Функциональные параметры резисторов гис
Функциональными параметрами плёночных конструкций резисторов, как элементов электрических схем, являются:
номинальное сопротивление резистора, R;
допустимое отклонение сопротивления резистора, dR;
допустимое эксплуатационное отклонение сопротивления, dRэ;
допустимая мощность рассеяния, Р
верхняя граничная частота резистора, Fгр.
Имея аналогичными ряд параметров с полупроводниковыми, плёночные резисторы обретают определённую специфику, связанную с плёночной технологией исполнения. Специфичность проявляется:
в отсутствии ограничений на рабочие напряжения, кроме связанных с допустимой величиной мощности рассеяния резисторов;
относительно низкая теплопроводность несущих диэлектрических подложек обуславливает потребность учёта требований к мощности резистора в индивидуальном порядке;
в отличии конструкций контактных областей к резистору;
в возможности и доступности корректировки сопротивления резисторов после формирования топологических конфигураций;
в «размытости» ёмкостных эффектов конструкции плёночных резисторов;
в «технологических ограничениях» на форму и размеры резисторов в связи с возможностями трафаретных технологий формообразования топологических конфигураций.
К проектированию резисторов (одного или массива) формируются три группы исходных ограничений:
на параметры функционального назначения резисторов;
допусковые ограничения технологии производства резисторов;
допусковые отклонения параметров в процессе эксплуатации резисторов.
Согласование названных ограничений реализуется в выпуске информационных документов, по которым осуществляется производство, контроль, приёмка и последующая эксплуатация изделия.
Последняя группа ограничений учитывается рациональным выбором материалов конструкций и мерами по стабилизации свойств конструкции в процессе ее проектирование, производства и эксплуатации. Для рационального выбора материалов необходим справочный материал по совокупности определяющих параметров, а по мерам стабилизации свойств необходим плохо формализуемый опыт работы. Определяющими параметрами материалов для перечисленных функциональных параметров резисторов являются:
сопротивление квадрата плёнки R□, Ом;
удельная мощность рассеяния Руд, Вт/см2;
удельное переходное сопротивление контактной пары «резистив-проводник» Ro, Ом∙см2;
диэлектрическая проницаемость материала платы п;
диэлектрические потери материала платы tgδ;
удельное объёмное сопротивление материала платы ρ, Ом∙см.
Проектные расчёты опираются на учёт трёх первых из названных параметров материалов. Три последних параметра учитываются в предельных оценках. Точный их учёт затруднён и характеризуется значительной неопределённостью.
При выборе форм и размеров конструкций резисторов учёту подлежат следующие технологические ограничения:
относительное производственное отклонение удельного поверхностного сопротивления δ R□;
абсолютная погрешность линейного размера ∆L, ∆b по одной стороне топологического фрагмента;
абсолютная погрешность совмещения (∆совм) топологических элементов в смежных слоях;
допустимые формы и отношения размеров.