![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •4 Проектирование гимс 4
- •5 Проектирование бис 105
- •4.2 Подложки и платы гимс
- •4.3 Резисторы гис
- •4.3.1 Конструкции пленочных резисторов
- •4.3.2 Функциональные параметры резисторов гис
- •4.3.3 Материалы тонкоплёночных резисторов
- •4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов
- •4.3.5 Технологические ограничения
- •4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки
- •4.3.7 Проектирование резисторов в форме меандра
- •4.3.8 Резисторы с подгонкой сопротивления
- •4.3.9 Проектирование толстоплёночных резисторов
- •4.3.10 Частотные свойства плёночных резисторов
- •4.4 Плёночные конденсаторы гис
- •4.4.1 Введение
- •4.4.2 Конструкции плёночных конденсаторов гимс
- •4.4.3 Функциональные параметры конденсаторов гимс
- •4.4.4 Материалы тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.5 Проектирование тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.6 Подгоняемые плёночные конденсаторы
- •4.4.7 Материалы толстоплёночных конденсаторов
- •4.4.8 Проектирование толстоплёночных конденсаторов
- •4.5 Индуктивные элементы гис
- •4.5.1 Введение
- •4.5.2 Проектирование плёночных катушек
- •4.6 Соединения и контакты гис
- •4.7 Коммутационные платы
- •4.8 Компоненты гис
- •4.8.1 Введение
- •4.8.2 Конструкции кристаллов
- •4.8.3 Конструкции конденсаторов
- •4.8.4 Конструкции резисторов
- •4.8.5 Индуктивные компоненты гимс
- •4.9 Гибридные микросхемы свч диапазона
- •4.9.1 Введение
- •4.9.2 Элементы гимс свч
- •4.9.3 Подложки гимс свч
- •4.9.4 Микрополосковые линии передачи гимс свч
- •4.9.5 Пассивные элементы гимс свч
- •4.9.6 Активные элементы гимс свч
- •4.9.7 Конструкции гимс свч
- •5 Проектирование бис
- •5.1 Введение
- •5.2 Проблемы проектирования бис
- •5.3 Этапы проектирования бис
- •5.4 Элементная база бис. Матричные кристаллы
- •5.4.1 Введение
- •5.4.2 Библиотечный набор функциональных элементов и узлов
- •5.4.3 Конструктивные параметры модулей матричных бис
- •5.5 Автоматизация проектирования топологии имс
- •5.6 Системы автоматизации проектирования бис
- •6 Обеспечение защиты имс и мп
- •6.1 Введение
- •6.2 Корпуса микросхем
- •6.3 Бескорпусные микросхемы
- •6.4 Тепловые режимы имс
- •6.5 Внешние и внутренние паразитные связи и помехи в ис
- •6.6 Обеспечение механической устойчивости конструкций ис
- •6.7 Защита микросхем от воздействия агрессивных сред
- •6.8 Монтаж кристаллов и плат
- •6.9 Электрический монтаж кристаллов и плат
- •7 Конструкторская документация ис
- •7.1 Понятия и определения
- •7.2 Состав и содержание текстовых документов
- •7.3 Схемная докумнтация
- •7.4 Масштабные графические документы микросхем
- •8 Заключение
- •Список литературы
4.9.5 Пассивные элементы гимс свч
Ширина элементов конструкции МПЛ составляет (0,3–1,5) мм. Длина элементов не превышает двух-трех длин волн в диэлектрике.
В случаях, когда необходима более высокая степень миниатюризации, применяют элементы с сосредоточенными параметрами. Индуктивности, конденсаторы и резисторы в ГИМС СВЧ исполняются методами пленочной технологии. Это объясняется тем, что номинальные значения параметров индуктивности, емкости и сопротивлений для диапазона СВЧ невелики.
Индуктивности изготовляют в форме плоской круглой или прямоугольной спирали (рис. 4.38). Резонансные частоты спирали с тремя витками — порядка 5 ГГц, а спирали с пятью витками — порядка 2 ГГц. При ширине проводника 50 мкм, диаметре спирали 1,5 мм, индуктивность спирали равна 20 нГ, а собственная резонансная частота равна 2,7 ГГц. Индуктивности менее 1 нГ реализуются в виде коротких отрезков проводника (например, длиной 1 мм при ширине 10 мкм).
Рисунок 4.38
В микросхемах используют пленочные плоские конденсаторы емкостью от 1 нФ до нескольких нанофарад, образованные двумя перекрывающимися участками проводника с диэлектрической прослойкой между ними (см. рис. 4.38, а). Для емкостей менее 1 пФ применяют гребенчатую структуру (см. рис. 4.38, б).
Пленочные резисторы, применяемые в качестве оконечной нагрузки, в большинстве случаев имеют сопротивление равное волновому. При поверхностном сопротивлении резистивного слоя 1 порядка 50 Ом оконечный резистор имеем квадратную форму (рис. 4.39, а) и соединение резистора с заземленным электродом осуществляется через отверстие в подложке. Пленочный оконечный резистор оптимально работает на длинноволновом участке СВЧ диапазона из-за пренебрежимо малых реактивных составляющих.
На
рисунке 4.39,б
показана
высокочастотная оконечная поглощающая
нагрузка, выполненная в виде линии без
потерь (длиной в несколько длин волн),
которая переходит в короткозамкнутую
на конце линию с большими потерями,
которую следует применять в высокочастотной
части СВЧ диапазона.
Относительно крупные пассивные элементы исполняются на подложке методами тонкопленочной и толстопленочной технологии, которые позволяют получить параметры элементов удовлетворяющих предъявленным требованиям. Для уменьшения потерь толщина проводников должна быть не менее 10 мкм, что соответствует превышению в несколько раз глубины проникновения тока для самых низких частот диапазона СВЧ.
4.9.6 Активные элементы гимс свч
Активные приборы ГИМС СВЧ применяются в виде компонентов. Компонентами являются проводниковые приборы СВЧ и кристаллы полупроводниковых микросхем. Конструкции компонент рассмотрены в подразд. 4.8. Электромонтаж полупроводниковых приборов и кристаллов, работающих на частотах ниже 2 ГГц, выполняется с помощью проволочных выводов. На более высоких частотах применяются полупроводниковые приборы с выводами в виде шариков или столбиков, изготовленных из пластичных металлов (золото, серебро, алюминий, медь).
При
последовательном электромонтаже
компонент устанавливается в разрыве
верхнего проводника МПЛ. При параллельном
электромонтаже компоненты устанавливаются
между верхним проводником и заземленным
основанием. Выбор электромонтажа в
значительной степени зависит от
применяемого в микросхеме типа МПЛ и
мощности рассеяния прибора. Последовательный
монтаж целесообразен, если прибор
требуется включить в высокоомную цепь;
параллельный монтаж применяется, если
необходимо обеспечить хороший теплоотвод
при выделении большой мощности. При
мощности рассеяния выше 0,5 Вт для
улучшения теплоотвода полупроводниковые
компоненты целесообразно монтировать
на металлических основаниях 1 корпусовмикросхем,
как показано на рисунке 4.40. Соединение
с элементами плат осуществляется
монтажной проволокой, лентой 2 или МПЛ
3.
Монтаж
приборов с балочными выводами позволяет
уменьшить паразитную индуктивность,
обеспечить надежность соединения и
повторяемость параметров приборов.
Емкость балочных выводов составляет
(0,05±0,02) пФ. Теплоотвод при монтаже
приборов и кристаллов с шариковыми,
столбиковыми и балочными осуществляется
через выводы, что ограничивает применение
этих конструкций для компонентов
повышенной удельной мощности. Приборы
3 с балочными выводами 5 присоединяют к
плёночным проводникам 6 пассивной части
с помощью электродов 2 термокомпрессионной
сварки, как показано на рисунке 4.41.
Контроль соединения осуществляется
визуально или применением
измерительных при-боров и контактного
зонда 4.
Монтаж активных приборов шариковыми выводами кристаллов или кристаллодержателей (см. рис. 4.42) целесообразен в массовом производстве ГИМС, включая микросхемы СВЧ, так как процесс монтажа и электромонтажа открыт автоматизации.
К основным параметрам, влияющим на качество соединения, относятся температура, чистота поверхности, усилие прижима (давление), длительность процесса соединения, материалы припоя и точность аппаратуры.