- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •4 Проектирование гимс 4
- •5 Проектирование бис 105
- •4.2 Подложки и платы гимс
- •4.3 Резисторы гис
- •4.3.1 Конструкции пленочных резисторов
- •4.3.2 Функциональные параметры резисторов гис
- •4.3.3 Материалы тонкоплёночных резисторов
- •4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов
- •4.3.5 Технологические ограничения
- •4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки
- •4.3.7 Проектирование резисторов в форме меандра
- •4.3.8 Резисторы с подгонкой сопротивления
- •4.3.9 Проектирование толстоплёночных резисторов
- •4.3.10 Частотные свойства плёночных резисторов
- •4.4 Плёночные конденсаторы гис
- •4.4.1 Введение
- •4.4.2 Конструкции плёночных конденсаторов гимс
- •4.4.3 Функциональные параметры конденсаторов гимс
- •4.4.4 Материалы тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.5 Проектирование тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.6 Подгоняемые плёночные конденсаторы
- •4.4.7 Материалы толстоплёночных конденсаторов
- •4.4.8 Проектирование толстоплёночных конденсаторов
- •4.5 Индуктивные элементы гис
- •4.5.1 Введение
- •4.5.2 Проектирование плёночных катушек
- •4.6 Соединения и контакты гис
- •4.7 Коммутационные платы
- •4.8 Компоненты гис
- •4.8.1 Введение
- •4.8.2 Конструкции кристаллов
- •4.8.3 Конструкции конденсаторов
- •4.8.4 Конструкции резисторов
- •4.8.5 Индуктивные компоненты гимс
- •4.9 Гибридные микросхемы свч диапазона
- •4.9.1 Введение
- •4.9.2 Элементы гимс свч
- •4.9.3 Подложки гимс свч
- •4.9.4 Микрополосковые линии передачи гимс свч
- •4.9.5 Пассивные элементы гимс свч
- •4.9.6 Активные элементы гимс свч
- •4.9.7 Конструкции гимс свч
- •5 Проектирование бис
- •5.1 Введение
- •5.2 Проблемы проектирования бис
- •5.3 Этапы проектирования бис
- •5.4 Элементная база бис. Матричные кристаллы
- •5.4.1 Введение
- •5.4.2 Библиотечный набор функциональных элементов и узлов
- •5.4.3 Конструктивные параметры модулей матричных бис
- •5.5 Автоматизация проектирования топологии имс
- •5.6 Системы автоматизации проектирования бис
- •6 Обеспечение защиты имс и мп
- •6.1 Введение
- •6.2 Корпуса микросхем
- •6.3 Бескорпусные микросхемы
- •6.4 Тепловые режимы имс
- •6.5 Внешние и внутренние паразитные связи и помехи в ис
- •6.6 Обеспечение механической устойчивости конструкций ис
- •6.7 Защита микросхем от воздействия агрессивных сред
- •6.8 Монтаж кристаллов и плат
- •6.9 Электрический монтаж кристаллов и плат
- •7 Конструкторская документация ис
- •7.1 Понятия и определения
- •7.2 Состав и содержание текстовых документов
- •7.3 Схемная докумнтация
- •7.4 Масштабные графические документы микросхем
- •8 Заключение
- •Список литературы
5.6 Системы автоматизации проектирования бис
Средства автоматизации являются рабочим инструментом проектирования и производства ИМС. Для разработки и изготовления фотошаблонов ИМС соответствующее программное обеспечение и программно-управляемое технологическое оборудование применяются повсеместно.
Системы автоматизированного проектирования топологии ИМС должны удовлетворять ряду требований. Помимо обеспечения низкой стоимости, малых сроков и безошибочности проектирования система должна иметь большую пропускную способность, легко адаптироваться к изменениям правил проектирования топологии и технологии, позволять конструктору применять нестандартные методы проектирования. Удовлетворить в полной мере перечисленным требованиям в рамках одной системы едва ли возможно и целесообразно. Развитие отдельных систем и их общего уровня осуществляется с учетом перечисленных требований.
Системы проектирования топологии ИМС классифицируются по следующим признакам:
типам решаемых задач;
структуры процесса взаимодействия конструктора с ЭВМ;
состава средств программного и технического обеспечения.
Объективная оценка эффективности различных систем затруднена, так как они реализованы на разных технических средствах, используют различные терминалы и периферийное оборудование. Как правило, отсутствуют данные о пропускной способности систем, структуре программного обеспечения и алгоритмах решения основных задач. Основные тенденции развития автоматизированных методов проектирования топологии ИМС можно проследить по работам в этой области, ведущимся на передовых фирмах — изготовителях ИМС.
Автоматизация проектирования топологии ИМС развивается по следующим направлениям:
синтез топологии на типовых ячейках;
синтез топологии на компонентном уровне;
компоновка топологии кристаллов и плат, ее редактирование;
разработка фотошаблонов,
Для систем первого направления характерна высокая степень автоматизации при решении задач синтеза топологии. Эти системы обеспечивают относительно высокое качество проектирования при условии доработки машинных решений конструктором с помощью средств графического взаимодействия. При наличии развитых средств графического диалога эти системы позволяют конструировать ИМС, содержащие наряду с регулярно расположенными элементами также и разногабаритные фрагменты топологии. Системы проектирования топлогии, как правило, стыкуются с подсистемами разработки фотошаблонов.
Степень автоматизации процесса синтеза топологии в системах второго направления относительно меньше. Программы, как правило, используются для синтеза топологии фрагментов БИС на радиокомпонетном уровне. Общая компоновка выполняется конструктором на основе машинных эскизов топологии. В синтезе БИС с одноослойной коммутацией программы применяются для решения задач:
анализа планарности схем;
предварительного размещения элементов.
Процесс детального проектирования топологии с учетом физических размеров элементов и соединений осуществляется конструктором с помощью графического дисплея. Разделение оправдано как с точки зрения эффективности решения указанных задач на ЭВМ и конструктором, так и в инвариантности системы к технологии изготовления ИМС.
Развитие систем третьего направления, предназначенных для проектирования и редактирования топологии ИМС, идет по пути организации автоматизированных рабочих мест конструктора. Системы данного типа незаменимы при разработке микросхем, для которых автоматизация процесса синтеза топологии затруднена. Имеется тенденция связи подобных систем с системами первого и второго типов, а также пополнения их средствами машинного контроля топологии. Математическое обеспечение систем совершенствуется с целью освободить конструктора от трудоемких чертежно-графических работ при синтезе топологии ИМС различных типов. Увеличиваются размеры экранов мониторов, повышается устойчивость и разрешающая способность изображений, обеспечивается многооконный вывод изображений и т.п. Системы имеют выход в подсистему разработки фотошаблонов.
Системы четвертого направления предназначены для разработки геометрии фотошаблонов и получения управляющих программ для технологического оборудования. Исходной информацией является описание топологии ИМС, выполненное на специализированном языке. Осуществляется синтаксический контроль входного описания, трансляция описания в форму, необходимую для исполнения чертежей и фотошаблонов на периферийных устройствах. Для сокращения трудоемкости описания и кодирования топологических чертежей применяются полуавтоматические кодировщики. В развитых системах имеются средства редактирования описаний, ведения архивов и т.д.
Отмеченные выше направления развития САПР являются в определенном смысле конкурирующими и взаимно дополняющими друг друга. В рамках одной системы интегрируются наиболее эффективные средства синтеза и редактирования топологии в оперативном режиме, контроля и анализа топологи, подготовки управляющих программ для изготовления фотошаблонов.
В автоматизированном проектировании БИС применяется большое количество пакетов прикладных САПР, среди которых отечественные комплексные системы, такие как версии Компас, АСП-5, АСП-6 и АСП-6М, АРТИС с комплексом подсистем сквозного проектирования и др. Из зарубежных исполнений имеется множество фирменных комплексов САПР БИС, таких как LAMBDA, EDS, UCAD, пакеты P-CAD, SPADE, OrCad, VHDL и др.
Перечисленные системы проектирования ориентированы на автоматизацию выполнения всех ранее перечисленных этапов проектирования цифровых и аналоговых интегральных схем, операционных усилителей, цифровых устройств с радиоэлементным и функционально интегрированным базисом исполнения.
Развитие программного обеспечения САПР требует все более значительных затрат высококвалифицированного труда. Стоимость многих промышленных САПР составляет миллионы долларов. Поэтому актуальной становится разработка САПР второго порядка, или САПР САПРов. В отличие от традиционных САПР в таких системах результат имеет нематериальный (информационный) характер. Различие результатов вызвано различными языками описания предметных областей:
в одном случае — чертежи, схемы, устройства;
в другом — программа проектирования.
В том и в другом случае возможен единый системный методологический подход к проектированию, и актуальным является создание и развитие банка инженерных знаний, необходимых для проектирования.