Эти функции представлены ниже на графике. Hc и Br являются пересечениями главного цикла гистерезиса с Н-и B-осями. Bs - пересечение B- оси асимптотической линией, Bsat(H) = Bs + µ0·H, получаемой при

устремлении H в бесконечность. Начальная кривая намагничивания

определяется выражением Bmag(H) = .5 · (Bup(H) + Bdn(H))

Младшие циклы получаются различными преобразованиями вышеприведенных уравнений. Для примера на графике приведен асимметричный младший цикл для типичного феррита (Hc=16 A-витков/м, Bs=.44T, Br= .10T).

В дополнение к основным параметрам Hc, Br, и Bs, требуются:

Lm - Длина сердечника (искл. возд. зазор) [м];

Lg - Длина воздушного зазора [м];

A - площадь поперечного сечения магнитопровода [м2];

N - число витков .

Следует обратить внимание на то, что при определении ненулевого зазора для магнитного поля, H не пропорционально потоку в обмотках. LTspice рассчитывает

магнитное поле в сердечнике и зазоре в предположении их однородности.

Ниже приводится пример, демонстрирующий задание индуктивности через поток для катушки L1, расположенной на сердечнике с зазором.

*

L1 N001 0 Hc=16. Bs=.44 Br=.10 A=0.0000251 + Lm=0.0198 Lg=0.0006858 N=1000

I1 0 N001 PWL(0 0 1 1)

.tran .5

.options maxstep=10u

.end

M. МОП-транзистор с изолированным затвором (MOSFET)

Символьные имена:

NMOS, NMOS3, PMOS, PMOS3

43

В LTspice применяются два существенно различных типа MOSFETS: монолитный MOSFETs и VDMOS - мощный вертикальный МДП-транзи- стор технологии двойной диффузии.

Монолитные MOSFET:

Синтаксис: Mxxx Nd Ng Ns Nb <model> [m=<value>] [L=<len>]

+[W=<width>] [AD=<area>] [AS=<area>]

+[PD=<perim>] [PS=<perim>] [NRD=<value>]

+[NRS=<value>] [off] [IC=<Vds, Vgs, Vbs>]

+[temp=<T>]

Примеры:

M1 Nd Ng Ns 0 MyMOSFET

.model MyMOSFET NMOS(KP=.001)

M1 Nd Ng Ns Nb MypMOSFET

.model MypMOSFET PMOS(KP=.001)

M1 14 2 13 0 PNOM L=25U W=12U

M2A 0 2 100 100 NW L=33U W=12U AD=288P AS=288P

+PD=60U PS=60U

+NRD=14 NRS=24

Вертикальный МДП-транзистор технологии двойной диффузии: Синтаксис: Mxxx Nd Ng Ns <model> [L=<len>] [W=<width>]

+[M=<area>] [m=<value>] [off]

+[IC=<Vds, Vgs, Vbs>] [temp=<T>]

Пример:

M1 Nd Ng Ns Si4410DY

.model Si4410DY VDMOS(Rd=3m Rs=3m Vto=2.6 Kp=60

+Cgdmax=1.9n Cgdmin=50p Cgs=3.1n Cjo=1n

+Is=5.5p Rb=5.7m)

Монолитные МДП-транзисторы:

ND,NG,NS -узлы подключения стока, затвора, истока МОП - транзистора соответственно

NB -узел подключения подложки имя модели -имя модели транзистора

L -длина канала (может устанавливаться пользователем) W -ширина канала (может устанавливаться пользователем)

44

AD -площадь стока в м

AS -площадь истока в м

PD -периметр стока в м

PS -периметр истока в м

NRD -относительное сопротивление стока

NRS -относительное сопротивление истока

Ниже приводится описание некоторых параметров МОП транзистора в формате:

имя параметра - описание - [единица измерения] - значение по умолчанию.

45

O. Линия передачи с потерями

Символьные имена: LTLIN

Синтаксис:

Oxxx L+ L- R+ R- <model>

Пример:

O1 in 0 out 0 MyLossyTline

.model MyLossyTline LTRA(len=1 R=10 L=1u C=10n)

Это - простой проводник линии с потерями. L+ и L- являются входными узлами. R+ и R- являются выходными узлами. При моделировании автоматически определяются электрические характеристики этого элемента.

Параметры для линии передачи с потерями (Lossy Transmission Lines):

46

47