Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Физика_1_2_My

.pdf
Скачиваний:
144
Добавлен:
09.05.2015
Размер:
1.38 Mб
Скачать

где – промежуток времени между двумя событиями, отсчитанный движущимися вместе с телом часами; – промежуток времени между теми же событиями, отсчитанный покоящимися часами.

Релятивистское (лоренцево) сокращение длины

l l0 1 2 / c2 ,

где l0 – длина стержня, измеренная в системе отсчета, относительно кото-

рой стержень покоится (собственная длина); l длина стержня, измеренная в системе отсчета, относительно которой он движется со скоростью .

Релятивистский закон сложения скоростей:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 / c2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ux

 

 

 

 

u y 1

 

 

uz 1

 

 

2 / c2

ux

 

 

 

 

 

 

, u y

 

 

 

 

 

 

 

, uz

 

 

 

 

 

 

 

,

1

u

 

/ c

2

1

 

u

 

/ c

2

 

1

 

u

 

/ c

2

 

 

x

 

 

 

x

 

 

 

 

x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где предполагается, что система отсчета K движется со скоростью в положительном направлении оси х системы отсчета К, причем оси х и х совпадают, оси y’ и y, z' и z параллельны.

Интервал s12 между событиями (инвариантная величина):

s2

c2t 2

l 2

inv,

12

12

12

 

где t12 – промежуток времени между событиями 1 и 2; l12 –расстояние между точками, где произошли события.

Масса релятивистской частицы и релятивистский импульс:

m

 

m0

 

, p

 

 

m0

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 2 / c2

1

 

2 / c2

где m0 – масса покоя.

Основной закон релятивистской динамики

F ddtp ,

где p – релятивистский импульс частицы.

Полная и кинетическая энергии релятивистской частицы

E mc2 m0c2 T , T (m m0 )c 2 .

Связь между энергией и импульсом релятивистской частицы

E 2 m2c4

p2c2 ,

 

 

 

pc T (T 2m c2 ) .

0

 

0

 

Энергия связи системы

 

n

Eсв

m0i c2 M 0 c2 ,

 

i 1

21

где m0i – масса покоя i-й частицы в свободном состоянии; M 0

– масса

покоя системы, состоящей из n частиц.

 

 

Электростатика. Основные формулы и законы

 

● Закон Кулона:

 

 

 

 

 

 

F

1

 

 

Q1Q2

,

 

4

0

 

r 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где F – модуль силы взаимодействия двух точечных зарядов Q1

и Q2 в

вакууме; r – расстояние между зарядами;

0 – электрическая постоянная,

равная 8,85 10 12 Ф/м.

 

 

 

 

 

 

● Напряженность и потенциал электростатического поля:

 

 

 

 

 

П / Q0 , или

E F Q0 ;

 

 

 

 

A

Q0 ,

где F – сила, действующая на положительный точечный заряд Q0 помещенный в данную точку поля; П – потенциальная энергия заряда Q0 ; A – работа перемещения заряда Q0 из данной точки поля на бесконечность.

● Напряженность и потенциал электростатического поля точечного заряда Q на расстоянии r от заряда:

Е

1

 

 

Q

;

1

 

 

Q

,

 

 

 

 

 

 

 

 

4

0

 

r 2

4

0

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

● Поток вектора напряжения через площадку:

(E,dS) En dS ,

где dS dSn – вектор, модуль которого равен dS , а направление совпада-

 

 

 

 

 

ет с нормалью n к площадке; En

 

– проекция вектора

E

на направление

нормали к площадке.

 

 

 

 

 

 

 

 

● Поток вектора напряженности через произвольную поверхность S:

 

 

 

 

 

 

En dS .

E

S

E, dS

 

 

 

 

 

S

Принцип суперпозиций (наложения) электростатических полей:

 

n

 

 

n

E

 

Ei ;

i ,

 

i 1

i 1

22

где Ei , i – соответственно напряженность и потенциал поля, создаваемого зарядом Qi .

● Связь между напряженностью и потенциалом электростатического поля

E grad ,

где i , j, k – единичные векторы координатных осей.

● В случае поля, обладающего центральной или осевой симметрией,

Er

d

.

 

dr

 

 

● Электрический момент диполя (дипольный момент): p Q l ,

где l – плечо диполя.

● Линейная, поверхностная и объемная плотности зарядов:

dQdl ; dQdS ; dVdQ ,

т.е., соответственно, заряд, приходящийся на единицу длины, поверхности и объема.

● Теорема Гаусса для электростатического поля в вакууме:

 

 

 

 

 

 

1

n

 

1

 

dV ,

ФE

 

E, dS

En dS

i 1

Qi

 

 

 

 

 

 

0

0 V

 

S

S

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

где 0 – электрическая постоянная;

 

Qi

– алгебраическая сумма заря-

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

дов, заключенных внутри замкнутой поверхности S; n – число зарядов;

– объемная плотность зарядов.

● Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженной бесконечной плоскостью,

E 2 0 .

● Напряженность поля, создаваемого двумя бесконечными параллельными разноименно заряженными плоскостями,

E / 0 .

● Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженной сферической поверхность радиусом R с общим зарядом Q на расстоянии r от центра сферы,

E 0, при r R (внутри сферы);

23

E

 

1

 

Q

, при r R (вне сферы).

 

 

 

r 2

4

0

 

 

● Напряженность поля, создаваемого объемно заряженным шаром радиусом R с общим зарядом Q на расстоянии r от центра шара,

E

 

Q

 

 

r

3

при r

R (внyтри шара);

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r2

 

 

 

 

 

4

0

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

1

 

 

Q

при r

R (вне шара).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

0

 

r2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

● Напряженность поля, создаваемого равномерно заряженным бесконечным цилиндром радиусом R на расстоянии r от оси цилиндра,

E

0,

 

 

при r R (внутри цилиндра);

E

1

 

 

 

, при r R (вне цилиндра).

 

 

 

 

2

0

r

● Циркуляция вектора напряженности электростатического поля

 

 

 

 

 

E1dl 0 ,

 

E, dl

L

L

где E1 – проекция вектора E на направление элементарного перемещения dl . Интегрирование производится по любому замкнутому пути L.

● Работа, совершаемая силами электростатического поля при переме-

щении заряда Q0

из точки 1 в точку 2,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

2

 

 

A12

Q0 1 2 , или

A12

Q0 E, dl

Q0 E1dl1 ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

где E1 – проекция вектора

E

на направление элементарного перемеще-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ния dl .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

● Поляризованность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ V ,

 

 

 

 

 

 

 

P

 

pi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

где V – объем диэлектрика; pi – дипольный момент i – й молекулы.

● Связь между поляризованностью диэлектрика и напряженности электростатического поля

 

 

 

 

P

0 E ,

где – диэлектрическая восприимчивость вещества.

24

● Связь диэлектрической проницаемости с диэлектрической восприимчивостью

1 .

● Связь между напряженностью E поля в диэлектрике и напряженностью E0 внешнего поля

E E0 P 0 , или

EE0 .

Связь между векторами электрического смещения и напряженностью электростатического поля

D 0 E .

Связь между D, E и P

D 0 E P .

● Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике:

 

 

 

 

 

n

ФD D, dS

Dn dS

Qi ,

S

S

i 1

n

 

 

где Qi – алгебраическая сумма заключенных внутри замкнутой по-

i 1

верхности S свободных электрических зарядов; Dn – проекция вектора D по направлению нормали n к площадке dS ; dS dS n – вектор, модуль которого равен dS , а направление совпадает с нормалью n к площадку. Интегрирование ведется по всей поверхности.

● Напряженность электростатического поля у поверхности проводника

E 0,

где – поверхностная плотность заряда.

● Электроемкость уеденного проводника

C

Q

,

где Q – заряд, сообщенный проводнику;

– потенциал проводника.

● Емкость плоского конденсатора

 

 

C

0 S / d ,

где S – площадь каждой пластины конденсатора; d – расстояние между пластинами.

25

● Емкость цилиндрического конденсатора:

C

2

0 l

,

 

 

 

ln r2 / r1

 

 

где l – длина обкладок конденсатора;

r1 ,

r2

– радиусы полых коаксиаль-

ных цилиндров.

 

 

 

 

 

 

● Емкость сферического конденсатора

 

 

 

C

4 0

r1r2

 

,

r2

r1

 

 

 

 

где r1 , r2 – радиусы концентрических сфер.

● Емкость системы конденсаторов при последовательном и параллельном соединении

1

n

1

 

 

и

 

 

 

C

i 1 Ci

n

C Ci ,

i 1

где Ci – емкость i -го конденсатора; n – число конденсаторов.

● Энергия уединенного заряженного проводника

W

C 2

 

Q

 

Q2

.

 

 

 

 

 

2

2

 

2C

● Энергия взаимодействия системы точечных зарядов

 

1

n

W

 

Qi i ,

 

 

2 i 1

где i – потенциал, создаваемый в точке, где находится заряд, всеми зарядами, кроме i-го.

● Энергия заряженного конденсатора

W

C 2 Q

 

 

Q2

,

 

 

 

 

 

 

2

 

 

2 2C

 

 

 

 

где Q – заряд конденсатора; C- его емкость; – разность потенциалов между обкладками.

● Сила притяжения между двумя разноименно заряженными обкладками конденсатора

 

 

 

Q

 

2 S

 

0

E 2 S

.

F

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 0 S

2 0

 

 

2

 

 

 

 

 

 

26

● Энергия электростатического поля плоского конденсатора

 

0

E 2

0

SU 2

0

E 2

W

 

Sd

 

 

V ,

 

2

 

2d

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

где S – площадь одной пластины; U – разность потенциалов между пластинами V Sd – объем конденсатора.

● Объемная плотность энергии

0 E2

 

ED

,

2

2

где D – электрическое смещение.

Постоянный электрический ток

● Сила и плотность электрического тока

 

 

 

 

 

 

I

dQ

;

 

 

j

 

I

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dt

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

где S – площадь поверхности тока.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

● Плотность тока в проводнике

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

nq

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

– скорость упорядоченного движения зарядов в проводнике; n

 

 

концентрация зарядов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

● Электродвижущая сила, действующая в цепи,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A Q0 ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E CT , dl ,

 

где Q0 – положительный единичный заряд; А – работа сторонних сил;

 

 

 

– напряженность поля сторонних сил.

 

 

 

ECT

 

 

 

● Сопротивление R однородного линейного проводника, проводи-

мость G проводника и удельная электрическая проводимость

веще-

ства проводника:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

l S ; G 1/ R;

1 ,

 

где

 

 

– удельное электрическое сопротивление; S – площадь попереч-

ного сечения проводника; l – его длина.

 

 

 

 

 

 

● Сопротивление проводников при последовательном и параллельном соединении:

 

n

R

Ri и

 

i 1

27

1

n

1

 

 

,

 

 

 

R

i 1 Ri

где Ri – сопротивление i-го проводника; n – число проводников.

● Зависимость удельного сопротивления от температуры

0 (1 t) ,

где – температурный коэффициент сопротивления.

● Закон Ома:

для однородного участка цепи

I U / R;

для неоднородного участка цепи

IR

1

2 ;

для замкнутой цепи

IR ,

где U –напряжение на участке цепи; R – сопротивление цепи (участка цепи); ( 1 2 ) – разность потенциалов на концах участка цепи; – ЭДС источника (источников) тока, действующих на участке (в цепи).

● Закон Ома в дифференциальной форме:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j E ,

 

 

 

где

E

– напряженность электростатического поля.

● Работа постоянного тока за время t

 

 

 

 

 

A

IUt

I 2 Rt

 

U 2

t .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

● Мощность тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P

UI

I 2 R

U 2 / R .

● Закон Джоуля-Ленца для постоянного тока:

 

 

 

Q

I 2 Rt

IUt ,

где Q – количество теплоты, выделяющееся в участке цепи за время t.

● Закон Джоуля-Ленца в дифференциальной форме w jE E2 ,

где w – удельная мощность тока.

● Правила Кирхгофа:

Ik

0;

Ii Ri

i .

k

 

i

 

28

Магнитное поле. Основные законы и формулы

● Механический момент, действующий на контур с током, помешенный в однородное поле,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

M

pm

B

 

 

где

 

 

 

 

 

– магнитный момент контура с током:

B

– магнитная индукция; pm

 

 

 

 

 

 

pm

ISn ,

где S – площадь контура с током; n

– единичный вектор нормали к по-

верхности контура.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

● Связь магнитной индукции

B

 

и напряженности

H

магнитного поля

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

0 H ,

где

0 – магнитная постоянная;

– магнитная проницаемость среды.

● Закон Био-Савара-Лапласа:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

I dl, r

,

d B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

r3

 

 

где dB – магнитная индукция поля, создаваемого элементом проводника с током I длины dl ; r – радиус-вектор, проведенный от dl к точке, в которой определяется магнитная индукция.

● Модуль вектора dB :

dB

0

 

I dl sin

,

 

 

 

 

 

 

 

4

 

r 2

 

где – угол между векторами dl и r .

● Принцип суперпозиции (наложения) магнитных полей

B Bi ,

i

где B – магнитная индукция результирующего поля; Bi – магнитные индукции составляющих полей.

● Магнитная индукция поля, создаваемого бесконечным длинным прямым проводником с током,

B

0

 

2I

,

 

 

4 R

где R – расстояние от оси проводника.

29

● Магнитная индукция в центре кругового проводника с током

B

 

 

 

I

,

0

 

2R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где R – радиус витка.

 

 

 

 

 

 

 

● Закон Ампера:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

],

dF

I[dl ,

B

где dF – сила, действующая на элемент длины dl проводника с током I, помещенный в магнитное поле с индукцией B .

● Модуль силы Ампера:

dF IBdl sin ,

где – угол между векторами dl и B .

● Сила взаимодействия двух бесконечных прямолинейных параллельных проводников с токами I1 и I 2

 

 

dF

0

 

2I1 I 2

dl ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где R – расстояние между проводниками; dl – отрезок проводника.

● Магнитное поле точечного заряда Q, свободно движущегося с нере-

лятивистской скоростью

 

,

 

 

 

 

Q

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

r

,

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

r3

 

 

 

 

где r – радиус-вектор, проведенный от заряда к точке наблюдения.

Модуль магнитной индукции

B

0

 

Q

sin ,

 

 

4 r 2

где – угол между векторами и r .

● Сила Лоренца

F Q[ , B],

где F – сила, действующая на заряд Q, движущийся в магнитном поле со скоростью .

● Формула Лоренца

F QE Q , B ,

30