Порядок выполнения работы

1. Включить характериограф.

2. Установить в гнезда характериографа испытуемый транзистор.

3. Получить на характериографе семейство характеристик транзистора I_к=f(U_к)_Iбдля различных типов базы. Зарисовать их с соблюдением и указанием масштаба и осей координат.

4. Получить характеристики I_э=f(U_э)_Uки зарисовать их (U_К=5–12 В).

5. Включить нагреватель и дождаться температуры 45-50°С.

6. Выполнить п.п. 3, 4.

7. Построить график I_К=f(I_б)_Uкдля трех значенийU_Кпри комнатной и повышенной температуре (~60°С).

8. Используя полученные графики и соответствующие расчетные формулы, определить характеристики транзистора α, построить графикα=f(U_К) при разных температурах.

9. Вычислить значения r_э,r_к,r_Бдля двух температур.

10. Сделать выводы о протекающих в транзисторе процессах при изменении режимов и температуры.

Контрольные вопросы

11. Чем отличаются бездрейфовые и дрейфовые биполярные транзисторы?

12. Нарисуйте зонную диаграмму n-p-n-транзистора в равновесном состоянии.

13. Какое смещение имеют эмиттерный коллекторный переходы при нормальном включении?

14. Назовите основные схемы включения биполярных транзисторов.

15. Дайте определение коэффициенту переноса и коэффициенту инжекции.

16. Как связаны коэффициенты усиления эмиттерного и базового тока?

17. Как связан коэффициент переноса с шириной базы?

18. Как влияет уровень легировании эмиттера на величину коэффициента инжекции?

19. Объясните зависимость коэффициента усиления от тока эмиттера.

20. Объясните зависимость коэффициента усиления от коллекторного напряжения.

21. Как изменяется коэффициент усиления с увеличением температуры?

22. В чем заключается эффект Эрли?

23. Сравните наклон выходных характеристик транзистора при включении ОЭ и ОБ.

24. Каков порядок величины сопротивления базы?

Литература

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники / И.П. Степаненко: – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000 – 488 с.

2. Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники / В.Н. Игумнов. - Йошкар-Ола, МарГТУ – 272 с.

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Методические указания к выполнению лабораторной работы для студентов специальностей 210201.65, 210202.65 и направления 551100

Составитель Игумнов Владимир Николаевич

Редактор Л.С. Емельянова

ПЛД № от

Подписано в печать . Формат 60×84/16

Бумага офсетная. Печать офсетная

Тираж экз. Заказ №

Марийский государственный технический университет

424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3

Отдел оперативной полиграфии

Марийского государственного технического университета

424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова,17

33