- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
Глава 2 50
2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников 50
Контрольные вопросы 57
2.2. Синтез ВТСП материалов 57
Контрольные вопросы 61
2.3. Технология объемных сверхпроводников 61
2.3.1. Методы жидкофазного получения Bi-2212 сверхпроводников 65
Контрольные вопросы 73
2.4. Технология пленочных сверхпроводников 73
2.4.1. Физические методы получения тонких пленок 74
2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий 84
2.4.3. Подложки. Буферные слои 89
Контрольные вопросы 91
2.5. Основные свойства сверхпроводников 91
2.5.1. Переход металл-изолятор 92
2.5.2. Терморезистивные характеристики 93
2.5.3. Критический ток 96
2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле 102
Контрольные вопросы 106
Глава 3 107
3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства 108
3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки 110
3.1.2. Фильтры 113
3.1.3. Резонаторы 116
3.1.4. Приборы на S – N переходах 117
Контрольные вопросы 120
3.2. Болометры 121
Контрольные вопросы 125
3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона 125
3.3.1. Джозефсоновские криотроны 126
3.3.2. Цифровые устройства на Д-криотронах 130
3.3.3. Квантроны 134
3.3.4. Приемные устройства 136
3.3.5. Генераторы 139
Контрольные вопросы 142
3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров 142
3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр 143
3.4.2. Цифровые устройства на основе СКВИДов 147
3.4.3. Магнитометры и градиентометры 152
3.4.4. Магнитометрические системы 154
Контрольные вопросы 160
3.5. Магнитные экраны 160
Контрольные вопросы 164
Глава 4 165
4.1. Синтез ВТСП материалов 165
Контрольные вопросы 168
4.2. Получение и исследование тонкопленочных ВТСП элементов 168
Контрольные вопросы 172
4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана 173
Контрольные вопросы 176
4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана 176
Контрольные вопросы 181
4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов 182
Контрольные вопросы 186
Заключение 187
Библиографический список 189
Предметный указатель 192
Оглавление 195
-