Лабы и курсовая / план семинаров и лаб по ЦИС

ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАНЯТИЯ

по курсу «Микросхемотехника ЦИС»

2002 г

• СЕМИНАРЫ 1-2. ВАХ МДП- транзисторов, режимы работы. МДП- ключи. Одноканальные ключи. Нагрузочные характеристики. Формирование логических функций.

• СЕМИНАРЫ 3-4. КМДП – ключи. Статика. Динамика. Потребляемая мощность. Эффект защелки.

• СЕМИНАР 5. Оптимизация параметров КМДП- схем при работе в каскадных устройствах, при работе на большую емкостную нагрузку. Проектирование топологии МДП- ключевой схемы

• СЕМИНАР 6. Контрольная работа по МДП- схемотехнике.

• СЕМИНАР 7. Биполярный транзистор. Режимы работы. Модель Эберса-Молла.

• СЕМИНАР 8. Ключи на ИБТ. Входная, передаточная и выходная характеристики РТЛ элемента. Законы Кирхгофа.

• СЕМИНАРЫ 9-11. ЭСЛ-схема. Статические характеристики. Роль ЭП. Расчет логического перепада. Потребляемая мощность в ЭСЛ- схеме. Нестабильность параметров схемы. Многоярусные ЭСЛ-схемы.

• СЕМИНАРЫ 12-13. ТТЛ- схема со сложным каскадом. Вывод передаточной характеристики. Режимы работы всех транзисторов.

• СЕМИНАРЫ 14-15. Расчет нагрузочной способности ТТЛ- схемы. Переходные процессы в ТТЛ- схемах.

• СЕМИНАР 16. Контрольная работа по биполярной схемотехнике.

• СЕМИНАР 17. Зачетное занятие.

• Дополнительная тема – элементы памяти.

ЛАБОРАТОРНЫЕ ЗАНЯТИЯ по ЦИС

1. РТЛ- элемент 4 часа.

2. Исследование ЭСЛ-элемента. 4 часа.

3. Исследование ДТЛ- элемента. 4 часа.

4. Исследование схемы бистабильной ячейки. 4 часа.

5. Исследование схемы проходного КМДП- ключа 4 часа.

6. Исследование схемы JK- триггера. 4 часа.

7. Изучение программы топологического проектирования ИМС PULT.

8. Зачетное занятие.